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整合ADC的一種簡易測試方法

基於Hein van den Heuvel的電路，構建了一個經典的、三運放、狀態變量振蕩器，並用一小粒小麥燈泡作為振幅穩定電路。對電路中運算放大器的各級負載進行了一天的擺弄，成功地將諧波失真產物降至-95 dBc以下，滿足了當時的需求。

2022-11-01
同相運算放大器電壓增益、輸入／輸出阻抗計算方法

運算放大器的放大主要取決於兩個反饋電阻，如 R1 和 R2，它們連接在分壓器配置中。R1 電阻器稱為反饋電阻器 (Rf)，提供給運算放大器反相引腳的分壓器輸出等效於 Vin，因為分壓器的 Vin 和結點位於類似的接地節點上。因此，Vout 取決於反饋網絡。

2022-10-28
如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號？

zaidianciliuliangjiheshengwudianceliangdengyingyongzhong，xiaochafenxinhaoyudadeduodechafenpianyichuanlian。zhexiepianyitongchanghuixianzhidianluzaiqianduanshejizhongkeyihuodedezengyi，jineryingxiangzhengtidongtaifanwei。dangshiyongjiaodidianyuandianyashi，liruzaidianchigongdiandexinhaolianzhong，zengyixianzhigengjutiaozhanxing。jiejuezhegedachafenpianyiwentideyizhongfanganshishiyongjiaoliuouheceliangxinhaolian。dianxingdejiaoliuouhexinhaolianbaokuoyigedizengyiyibiao放大器，其後是一個高通濾波器和額外的增益級(請參閱 "放大具有大直流偏移的交流信號以支持低功耗設計")。

2022-10-21
如何表征寬帶大功率放大器

用戶對更高數據速率應用的需求正在飛速增長，因此業界需要開發能夠在更高頻率和更高階調製方案下實現大信號帶寬的現代化技術（如高通量衛星和 5G 新空口）。然而，帶寬越大，帶給係統的噪聲就越多；調製方案越高階，則越容易受到噪聲的影響。

2022-10-21
運算放大器:模擬電路的“基礎積木”

所(suo)謂(wei)模(mo)擬(ni)芯(xin)片(pian)，是(shi)處(chu)理(li)外(wai)界(jie)信(xin)號(hao)的(de)第(di)一(yi)關(guan)，所(suo)有(you)數(shu)據(ju)的(de)源(yuan)頭(tou)是(shi)模(mo)擬(ni)信(xin)號(hao)，模(mo)擬(ni)芯(xin)片(pian)是(shi)集(ji)成(cheng)的(de)模(mo)擬(ni)電(dian)路(lu)，用(yong)於(yu)處(chu)理(li)模(mo)擬(ni)信(xin)號(hao)。模(mo)擬(ni)信(xin)號(hao)是(shi)在(zai)時(shi)間(jian)和(he)幅(fu)值(zhi)上(shang)都(dou)連(lian)續(xu)的(de)信(xin)號(hao)，數(shu)字(zi)信(xin)號(hao)則(ze)是(shi)時(shi)間(jian)和(he)幅(fu)值(zhi)上(shang)都(dou)不(bu)連(lian)續(xu)的(de)信(xin)號(hao)。外(wai)界(jie)信(xin)號(hao)經(jing)傳(chuan)感(gan)器(qi)轉(zhuan)化(hua)為(wei)電(dian)信(xin)號(hao)後(hou)，是(shi)模(mo)擬(ni)信(xin)號(hao)，在(zai)模(mo)擬(ni)芯(xin)片(pian)構(gou)成(cheng)的(de)係(xi)統(tong)裏(li)進(jin)行(xing)進(jin)一(yi)步(bu)的(de)放(fang)大(da)、濾波等處理。處理後的模擬信號既可以通過數據轉換器輸出到數字係統進行處理，也可以直接輸出到執行器。

2022-10-18
使用功率mos管設計的100W直流伺服放大電路方案

給大家分享的是使用功率 mos 管的 100W 直流伺服放大電路。如果你正好需要直流放大器電路，就可以直接參考了。直流伺服放大器電路使用 MOSFET 2SJ162 + 2SK1058 或 MOSFET 2SK134 + 2SJ49 (To-3)。

2022-10-14
高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化镓 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與矽相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的矽基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達範疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。

2022-10-13
ADI電磁流量計模擬前端電路方案實測

電磁流量計是20世紀50~60年nian代dai隨sui著zhe電dian子zi技ji術shu的de發fa展zhan而er興xing起qi的de新xin型xing流liu量liang測ce量liang儀yi表biao，由you於yu其qi無wu阻zu流liu件jian等deng特te點dian，在zai測ce量liang領ling域yu得de到dao廣guang泛fan應ying用yong。持chi續xu的de技ji術shu進jin步bu要yao求qiu不bu斷duan提ti高gao解jie決jue方fang案an的de集ji成cheng度du，技ji術shu型xing授shou權quan代dai理li商shangExcelpoint世健的工程師Nathan Xiao借助ADI的放大器、模數轉換器，進行了可實現高分辨率、低噪聲的工業電磁流量計模擬前端電路的實測。

2022-10-10
鎖相環環路計算中用到的波特圖

波特圖也是根據人名命名的，它是出自貝爾實驗室，由荷蘭裔科學家 Hendrik Wade Bode在1930年發明的。Bode當時需要設計用於電話網絡的放大器，放大器帶有負反饋。為了能夠快速了解放大器保持絕對穩定所需的增益裕度和相位裕度，Bode開發了波特圖。

2022-10-09
紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試

隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為製約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m•K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。

2022-10-08
射頻通信接收機設計的主要結構

在一個射頻通信係統中，噪聲，尤其是信噪比（SNR），是無線接收機中的一個基本問題。高噪聲電平會限製係統的容量、覆fu蓋gai範fan圍wei，以yi及ji許xu多duo對dui係xi統tong運yun營ying商shang和he終zhong端duan用yong戶hu都dou有you重zhong大da影ying響xiang的de相xiang關guan特te性xing。射she頻pin通tong信xin接jie收shou機ji是shi射she頻pin電dian路lu中zhong比bi較jiao重zhong要yao的de一yi部bu分fen，射she它ta能neng在zai頻pin信xin號hao經jing天tian線xian接jie收shou後hou，經jing過guo相xiang關guan濾lv波bo器qi和he放大器，將射頻信號進行一係列的頻率變化，最終將信號調節成所需要的調製信號。

2022-10-08
兩級運算放大器的設計與仿真

運算放大器deshejikeyifenweilianggejiaoweidulidebuzhou，diyibushixuanzehuodajianyunfangdejibenjiegou，huichudianlujiegoucaotu，dierbujiuyaoxuanzezhiliudianliu，shougongshejiguanzichicun，yijishejibuchangdianludengdeng，ranhouzaishougongjisuandejichushang，yunyongmonidianlufangzhenruanjianduishejideliangjiyunfangjinxingfangzhen，bingduidianlujinxinghouxudetiaoshihexiugai。

2022-09-30

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