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瑞薩電子推出麵向高壓工業設備和太陽能發電係統的耦合器

瑞薩電子宣布推出用於逆變器的長爬電距離光電耦合器PS9905，其適於采用690 V最高商業電源電壓的工業設備或者采用1,000 V高壓的太陽能發電係統之類的應用。還提供一款高速光電耦合器PS9924，它在提供14.5 mm的長爬電距離的同時，還支持10 Mb/s的內部係統通信速度。新款光電耦合器將有助於實現電壓處理能力更高、更小巧的轉換器，而它們預計能夠推動市場增長。

2012-07-09
瑞薩600V耐壓超結MOSFET導通電阻僅為150mΩ

瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5係列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情況下，降低導通電阻的功率MOSFET的元件構造。雖然其他競爭公司已經推出了采用這種構造的功率MOSFET，但據瑞薩電子介紹，“RJL60S5係列”在600V耐壓產品中實現了業界最小水平的導通電阻。馬達驅動電路和逆變器等采用RJL60S5係列功率MOSFET後，可以降低功耗，該產品主要麵向空調等家電產品。

2012-07-02
Vishay發布用於工業傳動和逆變器的3相圓柱形電容器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用於電力電子產品的新係列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。

2012-07-02
電裝推出輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器

由電裝與豐田汽車及豐田中央研究所的共同研發，采用SiC功率元件製成的逆變器，其輸出功率密度高達60kW/L。該試製品通過將功率半導體材料由原來的Si改為SiC，同時功率元件內部通過采用自主開發的構造實現了低電阻化，從而降低了電力損耗。

2012-06-26
英飛淩推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件開關損耗大幅降低

英飛淩推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 係列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗，在不犧牲係統總體效率的情況下，可以支持更高的開關頻率。設計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現更高的輸出功率。

2012-06-21
羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝可替代Si-IGBT

羅姆麵向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關頻率

2012-06-18
博世：推進電動動力傳動係統模塊化，以規模降成本

德國博世公司2012年6月11日在日本東京麵向新聞媒體舉行了技術演講會，公布了電動動力傳動係統相關戰略。汽油係統事業部董事、負責電動化係統的斯蒂芬•卡普曼（Stephan Kampmann）言道：“將通過馬達、逆變器及充電電池等的模塊化降低成本，以此增加向汽車廠商的供貨。”

2012-06-14
逆變器中能量緩衝器的電容選型原則

太陽能逆變器中DC/DC轉換和DC/AC轉zhuan換huan之zhi間jian的de能neng量liang緩huan衝chong器qi會hui吸xi收shou掉diao兩liang個ge轉zhuan換huan器qi之zhi間jian功gong率lv流liu的de差cha值zhi。成cheng功gong實shi現xian這zhe個ge過guo程cheng在zai很hen大da程cheng度du上shang取qu決jue於yu能neng量liang緩huan衝chong器qi選xuan擇ze的de電dian容rong器qi。本ben文wen介jie紹shao了le如ru何he根gen據ju能neng量liang緩huan衝chong器qi的de需xu求qiu在zai薄bo膜mo電dian容rong器qi和he鋁lv電dian解jie電dian容rong器qi之zhi間jian進jin行xing取qu舍she。

2012-06-11
RUBYCON小型化高可靠性薄膜電容專為逆變器應用開發

當dang前qian多duo數shu的de工gong業ye機ji械xie為wei了le達da到dao節jie省sheng能neng源yuan的de目mu的de，而er采cai用yong控kong製zhi精jing確que更geng高gao的de變bian頻pin器qi技ji術shu，所suo使shi用yong電dian容rong當dang中zhong，薄bo膜mo電dian容rong份fen額e不bu斷duan增zeng加jia，並bing成cheng為wei主zhu導dao，主zhu要yao是shi因yin為wei薄bo膜mo電dian容rong有you眾zhong多duo優you勢shi。RUBYCON開發出了三個係列小型化、重量輕、低成本、高可靠性的大型薄膜電容。

2012-06-05
TDK集團成員愛普科斯(EPCOS)保護太陽能裝置的低成本方案

對貴重太陽能裝置及其電子配備的過電壓與電流浪湧的可靠保護日益重要。貴重太陽能裝置有什麼可靠且成本較低的解決方案呢？看看TDK集團成員愛普科斯(EPCOS)熱保護壓敏電阻和氣體放電管吧。對逆變器實現全麵保護，保險標準要求再高也不怕。

2012-05-25
英飛淩推出光伏發電逆變器耐壓1200V SiC型FET

德國英飛淩科技（Infineon Technologies AG）開發出了適用於光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，新產品的主要用途為光伏發電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現裝置的小型輕量化。這是因為新產品可實現高於IGBTdegongzuosudu。yejiushishuo，jibiantigaogongzuopinlv，yenengjiangdikaiguansunshi。yinci，dianganqijidianrongqidengbeidongyuanjiankeshiyongxiaoxingchanpin，suoyinenggoushixianzhenggezhuangzhidexiaoxingqinglianghua。

2012-05-24
羅姆開發出業內最小的車載絕緣元件內置型半導體

隨著電動汽車、混合動力車的普及，為了提高性能，亟需使作為動力部分的逆變器電路進一步實現小型化，由於車載逆變器每台配備6個柵極驅動IC，因此要實現逆變器電路的小型化，需要先縮小柵極驅動IC的體積。為了防止觸電，此前必須使用外置絕緣元件。日本羅姆公司日前開發出了業內最小的車載絕緣元件內置型半導體裝置柵極驅動IC可滿足這一需求。

2012-05-22

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