產品特點：

• SCH2080KE實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
• 無開啟電壓
  ，具備卓越的電流電壓特性
• 正向電壓降低70％以上，減少了損耗和部件個數
• 無尾電流，可進行低損耗開關

應用領域：

• 工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器
  、轉換器

羅姆麵向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器
、轉換器
，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。本產品實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，比Si-IGBT相比
，工作損耗降低了70％
，並可達到50kHz以上的開關頻率。

本產品於世界首次成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時還可減少部件個數。該產品生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續量產。

現在，在1200V級別的逆變器和轉變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢複導致的功率轉換損耗較大，因此，更低損耗
、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發備受期待。但是，傳統的SiC-MOSFET
，體二極管通電導致的特性劣化（導通電阻和正向電壓的上升／耐性劣化）和柵氧化膜故障等可靠性方麵的課題較多，之前無法實現真正的全麵導入。

此ci次ci，羅luo姆mu通tong過guo改gai善shan晶jing體ti缺que陷xian相xiang關guan工gong藝yi和he元yuan件jian構gou造zao，成cheng功gong地di攻gong克ke了le包bao括kuo體ti二er極ji管guan在zai內nei的de可ke靠kao性xing方fang麵mian的de所suo有you課ke題ti。而er且qie，與yu傳chuan統tong產chan品pin相xiang比bi
，單dan位wei麵mian積ji的de導dao通tong電dian阻zu降jiang低di了le約yue30％
，實現了芯片尺寸的小型化。
另外

，通過獨創的安裝技術，還成功將傳統上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長久以來的課題—降低正向電壓成為可能。
由此，與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時的損耗降低了70％以上，實現了更低損耗的同時，還實現了50kHz以上的更高頻率，而且有助於外圍部件的小型化。

另外，此次還同時開發了與SiC-SBD非同一封裝的型號SiC-MOSFET“SCT2080KE”，提供滿足不同電路構成和客戶需求的產品。兩種產品將在6月19日(周二)～21日(周四)於上海世博展覽館舉行的聚集電力電子、智能運動
、電力特性等最新技術的專業類展會“PCIM Asia 2012”的羅姆展台展出。詳細特點描述如下：

SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝

成功實現“SCH2080KE”與傳統上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝，降低了正向電壓。可減少部件個數，而且有助於進一步節省空間。產品陣容中還包括傳統結構的“SCT2080KE”，可滿足客戶的多種需求。
無開啟電壓，具備卓越的電流電壓特性
通過優化工藝和元件構造，與第1代產品相比，單位麵積的導通電阻降低約30％。不存在一般使用的Si-IGBT長久以來所存在的開啟電壓，因此即使在低負載運轉時損耗也很低。
正向電壓降低70％以上，減少了損耗和部件個數
SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質特性的原理上決定了其開啟電壓較大
，高達2.5V以上
，常常成為逆變器工作時的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET於同一封裝內
，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個數。

無尾電流，可進行低損耗開關
由於不會產生Si-IGBT中常見的尾電流，因此關斷時的開關損耗可減少90％
，有助於設備更加節能。另外，達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率，因此，可實現外圍設備的小型化、輕量化。