產品特點：

• 新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關損耗
• 開關性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管

應用領域：

• 太陽能逆變器

在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上，英飛淩科技股份公司推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 係列，該產品係列增強了英飛淩在SiC（碳化矽）產品市場的領先地位。這個革命性的新產品係列，立足於英飛淩在SiC技術開發以及高質量
、大批量生產方麵十多年的豐富經驗。

英飛淩科技股份公司高壓功率轉換產品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛淩已針對需要高效電源管理的市場推出了多項突破性技術。CoolSiC 也是一種革命性的創新技術，可將太陽能逆變器的性能提升至新的水平。憑借新型SiC JFET技術
，我們可以幫助客戶開發出更好的氣候保護解決方案。”

與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大(da)幅(fu)度(du)降(jiang)低(di)了(le)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)
，在(zai)不(bu)犧(xi)牲(sheng)係(xi)統(tong)總(zong)體(ti)效(xiao)率(lv)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，可(ke)以(yi)支(zhi)持(chi)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)。這(zhe)為(wei)使(shi)用(yong)更(geng)小(xiao)的(de)無(wu)源(yuan)元(yuan)件(jian)創(chuang)造(zao)了(le)條(tiao)件(jian)，其(qi)結(jie)果(guo)是(shi)縮(suo)小(xiao)客(ke)戶(hu)設(she)計(ji)的(de)產(chan)品(pin)的(de)尺(chi)寸(cun)
，降(jiang)低(di)其(qi)重(zhong)量(liang)
，並(bing)壓(ya)縮(suo)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)。換(huan)言(yan)之(zhi)，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)可(ke)在(zai)不(bu)增(zeng)加(jia)太(tai)陽(yang)能(neng)逆(ni)變(bian)器(qi)體(ti)積(ji)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)的(de)輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)。

為了確保常通型JFET技術的安全性和易用性
，英飛淩開發出一種被稱為直驅技術的概念。在這一概念中
，JFET與外部低壓MOSFET和專用的驅動芯片組合在一起，確保了安全的係統啟動
，以及快速可控的開關。 

CoolSiCTM JFET集成了一個體二極管，其開關性能可媲美外置SiC肖特基勢壘二極管。這種組合最大限度提高了器件的效率
、可靠性、安全性和易用性。

供貨和定價
CoolSiCTM JFET產品和驅動芯片的首批樣品於2012年第二季度供貨。OEM量產預計將於2013年上半年開始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定價為每件24.90美元（€ 18.44）（起訂量為1,000件）。