飛思卡爾半導體推出RF LDMOS組合適用於航空航天工業與商業
發布時間:2010-11-24 來源:ednchina
RF LDMOS組合的產品特性:
飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點,麵向OEM(原始設備製造商)推出三款先進的工業RF功率晶體管。 增強的耐用性與領先的RF性能結合,使OEM廠商能夠大幅縮減在工業和商用航空航天領域的係統級設計成本。
飛思卡爾MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS功率晶體管提供增強的耐用性,以便在惡劣環境下支持匹配度極低的應用,如等離子發生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。MRF8P29300H / S 30V LDMOS功率晶體管專為脈衝S波段應用(如空中交通管製 -ATC)設計,同時還可支持調製通信應用。
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Ritu Favre表示,“我們推出最新的30V、50V LDMOS功率晶體管, 是在履行飛思卡爾麵向工業和商業RF航空航天市場提供領先技術所做的承諾。這三款器件讓設計人員朝飛思卡爾LDMOS技術邁出關鍵的一步,並且能夠利用到它的卓越性能和耐用性。 采用LDMOS技術進行設計,可以為客戶提供高效穩定、更高增益的解決方案,以幫助客戶構建更可靠、性價比更好的RF應用。 ”
麵向不匹配應用提供的50V RF LDMOS 功率放大器
MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS晶體管基於飛思卡爾業界領先的50V LDMOS晶體管產品,適合匹配度不高的應用。它們提供600W和1250W的輸出功率電平來實現穩定的應用,同時可以在多個相位角處理65:1的電壓駐波比(VSWR)。 增強耐用性能使設計者可以省去外部電路(以前要求提供外部電路),從而降低整體係統成本並提高性能。
提高遠程應用的效率
隨著新成員MRF8P29300H / S的出現,飛思卡爾麵向 ATC和應用調製通信應用提供的LDMOS功率晶體管,在從10W到1000W的射頻功率電平範圍提供10到3500 MHz的頻率。MRF8P29300H/S 的頻率介於2700到 2900 MHz之間,且射頻脈衝輸出功率為320W,因而是空中交通管理係統和天氣雷達的理想之選。 該器件功率增益為13.3分貝,漏極率為50.5%,從而幫助設計人員降低了係統的複雜性和成本。
- 50V LDMOS功率晶體管提供增強的耐用性
- 30V LDMOS功率晶體管專為脈衝S波段應用
- 30V LDMOS功率晶體管支持調製通信應用
- 適用於工業和商用航空航天領域
飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點,麵向OEM(原始設備製造商)推出三款先進的工業RF功率晶體管。 增強的耐用性與領先的RF性能結合,使OEM廠商能夠大幅縮減在工業和商用航空航天領域的係統級設計成本。
飛思卡爾MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS功率晶體管提供增強的耐用性,以便在惡劣環境下支持匹配度極低的應用,如等離子發生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。MRF8P29300H / S 30V LDMOS功率晶體管專為脈衝S波段應用(如空中交通管製 -ATC)設計,同時還可支持調製通信應用。
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經理Ritu Favre表示,“我們推出最新的30V、50V LDMOS功率晶體管, 是在履行飛思卡爾麵向工業和商業RF航空航天市場提供領先技術所做的承諾。這三款器件讓設計人員朝飛思卡爾LDMOS技術邁出關鍵的一步,並且能夠利用到它的卓越性能和耐用性。 采用LDMOS技術進行設計,可以為客戶提供高效穩定、更高增益的解決方案,以幫助客戶構建更可靠、性價比更好的RF應用。 ”
麵向不匹配應用提供的50V RF LDMOS 功率放大器
MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS晶體管基於飛思卡爾業界領先的50V LDMOS晶體管產品,適合匹配度不高的應用。它們提供600W和1250W的輸出功率電平來實現穩定的應用,同時可以在多個相位角處理65:1的電壓駐波比(VSWR)。 增強耐用性能使設計者可以省去外部電路(以前要求提供外部電路),從而降低整體係統成本並提高性能。
提高遠程應用的效率
隨著新成員MRF8P29300H / S的出現,飛思卡爾麵向 ATC和應用調製通信應用提供的LDMOS功率晶體管,在從10W到1000W的射頻功率電平範圍提供10到3500 MHz的頻率。MRF8P29300H/S 的頻率介於2700到 2900 MHz之間,且射頻脈衝輸出功率為320W,因而是空中交通管理係統和天氣雷達的理想之選。 該器件功率增益為13.3分貝,漏極率為50.5%,從而幫助設計人員降低了係統的複雜性和成本。
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