Vishay推出PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻應用於電信和工業設備
發布時間:2011-06-24
PLTT新品特性:
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值範圍擴大至250Ω~3MΩ,並可提供非標阻值。
PLTT電阻的工作溫度範圍為-55℃~+215℃,比傳統薄膜電阻擴大了近100℃。器件具有低至±5 ppm/℃的標準TCR,容差低至±0.02%,噪聲低於-35dB,以及低至0.1ppm/V的電壓係數。PLTT的功率等級為250mW~1000mW,可在100V~200V電壓範圍內工作。
電阻采用穩定的薄膜,在+215℃下經過2000小時後的性能特性為500ppm,針對低噪聲,及在高溫環境中需要補償低偏移和溫度漂移的單信號處理進行了優化,包括鑽井應用、高精度石油和天然氣勘探,以及電信和工業設備。
PLTT采用高純度陶瓷襯底,在鎳柵上有一個10μin~20μin的金質端接,以實現高溫HMP焊接,並采用耐腐蝕特殊鈍化方法(SPM)強化。電阻符合RoHS指令2002/95/EC及IEC 61249-2-21的無鹵素規定,耐火等級達到UL 94 V-0。
增強型PLTT電阻現可提供樣品,並已實現量產,標準訂貨的供貨周期為十周到十二周。
- 工作溫度範圍為-55℃~+215℃
- 具有低至±5 ppm/℃的標準TCR
- 鑽井應用、高精度石油和天然氣勘探,以及電信和工業設備
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其PLTT精密低TCR高溫薄膜電阻現可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值範圍擴大至250Ω~3MΩ,並可提供非標阻值。
PLTT電阻的工作溫度範圍為-55℃~+215℃,比傳統薄膜電阻擴大了近100℃。器件具有低至±5 ppm/℃的標準TCR,容差低至±0.02%,噪聲低於-35dB,以及低至0.1ppm/V的電壓係數。PLTT的功率等級為250mW~1000mW,可在100V~200V電壓範圍內工作。
電阻采用穩定的薄膜,在+215℃下經過2000小時後的性能特性為500ppm,針對低噪聲,及在高溫環境中需要補償低偏移和溫度漂移的單信號處理進行了優化,包括鑽井應用、高精度石油和天然氣勘探,以及電信和工業設備。
PLTT采用高純度陶瓷襯底,在鎳柵上有一個10μin~20μin的金質端接,以實現高溫HMP焊接,並采用耐腐蝕特殊鈍化方法(SPM)強化。電阻符合RoHS指令2002/95/EC及IEC 61249-2-21的無鹵素規定,耐火等級達到UL 94 V-0。
增強型PLTT電阻現可提供樣品,並已實現量產,標準訂貨的供貨周期為十周到十二周。
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