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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩腳跟以來，電動汽車製造商一直在追求更高功率的傳動係統、更(geng)大(da)的(de)電(dian)池(chi)容(rong)量(liang)和(he)更(geng)短(duan)的(de)充(chong)電(dian)時(shi)間(jian)。為(wei)滿(man)足(zu)客(ke)戶(hu)需(xu)求(qiu)和(he)延(yan)長(chang)行(xing)駛(shi)裏(li)程(cheng)，電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)製(zhi)造(zao)商(shang)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)車(che)輛(liang)的(de)電(dian)池(chi)容(rong)量(liang)。然(ran)而(er)，電(dian)池(chi)越(yue)大(da)，意(yi)味(wei)著(zhe)充(chong)電(dian)的(de)時(shi)間(jian)就(jiu)越(yue)長(chang)。
2023-07-28
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電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
現今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節省能源、降低成本、提高係統容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節省能源，降低成本，提高係統容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態補償響應，以及高規格安規等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應後級電源時序控製，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩定性PFC應用。
2023-07-28
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基於PSoC 6 Matter的智能家居解決方案
jinnianlai，zhinengjiajuchanyedekuaisufazhan，tuidongleyuanyoujiajuchanyeyuanqudezhuanxingshengji，tongshi，buduankuodadezhinengjiajushichangxuqiu，yijichuantongjiajuchanyedezhuanyi，weihenduodifangbujuxindezhinengjiajuchanyeyuanjianshedailailejihui。zai2019年底中國已成為全球最大的物聯網市場，全球15億台蜂窩網絡連接設備中9.6億台來自中國，占比64%。
2023-07-26
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為什麼Tier1要開發控製器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控製器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控製器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件係統設計的複雜度和成本。可見，SBC在控製器開發中的重要性。對於商業行為，我們知道，降低成本意味著利潤的提高，而且，有利於產品搶占更大的市場份額。
2023-07-26
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基於自振蕩混頻的X波段單器件收發電路設計分析
作(zuo)為(wei)通(tong)信(xin)係(xi)統(tong)中(zhong)的(de)兩(liang)個(ge)關(guan)鍵(jian)的(de)電(dian)路(lu)單(dan)元(yuan)，混(hun)頻(pin)器(qi)和(he)振(zhen)蕩(dang)器(qi)起(qi)著(zhe)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)的(de)作(zuo)用(yong)。在(zai)無(wu)線(xian)通(tong)信(xin)中(zhong)，混(hun)頻(pin)器(qi)與(yu)振(zhen)蕩(dang)器(qi)的(de)設(she)計(ji)直(zhi)接(jie)關(guan)係(xi)到(dao)整(zheng)個(ge)電(dian)路(lu)是(shi)否(fou)具(ju)有(you)高(gao)性(xing)能(neng)與(yu)高(gao)穩(wen)定(ding)性(xing)的(de)品(pin)質(zhi)。在(zai)接(jie)收(shou)前(qian)端(duan)電(dian)路(lu)中(zhong)，混(hun)頻(pin)器(qi)作(zuo)為(wei)實(shi)現(xian)頻(pin)率(lv)搬(ban)移(yi)的(de)器(qi)件(jian)，將(jiang)由(you)天(tian)線(xian)所(suo)接(jie)收(shou)到(dao)的(de)射(she)頻(pin)(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。
2023-07-26
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安森美與博格華納擴大碳化矽戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化矽（SiC）方麵的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模mo型xing有you關guan的de基ji礎chu知zhi識shi，接jie下xia來lai介jie紹shao開kai關guan損sun耗hao提ti取qu技ji術shu和he寄ji生sheng效xiao應ying影ying響xiang的de詳xiang細xi信xin息xi，並bing介jie紹shao虛xu擬ni開kai關guan損sun耗hao環huan境jing的de概gai念nian和he優you勢shi。該gai虛xu擬ni環huan境jing還hai可ke用yong來lai研yan究jiu係xi統tong性xing能neng對dui半ban導dao體ti工gong藝yi變bian化hua的de依yi賴lai性xing。最zui後hou，本ben文wen詳xiang細xi介jie紹shao對dui軟ruan硬ying開kai關guan皆jie適shi用yong的de PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業內其他用於電力電子係統級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用於控製輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用於中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控製和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但矽基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其複合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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IOTE 2023深圳物聯網展邀請函
IOTE 2023 第二十屆國際物聯網展·深圳站，將於2023年9月20-22日在深圳國際會展中心（寶安）震撼來襲，以“IoT構建數字經濟底座”為主題，將IoT技術引入實體經濟領域，促進數字化轉型和智能化升級，推進智能家居、工業互聯網、智慧城市、智慧醫療等多個領域的數智化深度融合，共同推動全球數字經濟的繁榮與進步。
2023-07-14
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SiFive中國技術論壇圓滿落幕, 實力詮釋RISC-V成“垂直半導體時代”必選項
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數年的RISC-V主要發明人、SiFive共同創辦人兼首席架構師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時，始終強調了這一核心思想。
2023-07-10
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV矽(Si)MOSFET產品係列以滿足發展中的需求。這些產品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立矽MOSFET器件。
2023-07-08
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