通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房裏，如圖1所示。

 

圖1：通訊電源機房

 

目前主流的通訊電源
，其參數如下：

 

•輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz

 

•輸出功率：2kw

 

•輸出：最大電壓12V/164.2A

 

•功率密度：26.14w/Cu.Inch.

 

•效率：93%

 

在通訊電源中要求高效
，功率密度高、體積小、重量輕、成本低，有些工程師采用多種功率段並級成大功率，通訊電源主要由可控整流PFC，逆變和整流三大塊組成，要提高效率和功率密度必須要降低損耗，在前端的可控整流PFC部分會有幾種拓撲，ZVT PFC
，無橋PFC,交錯並聯PFC以及SiC的硬開關PFC。在這麼多拓撲中，除了SiC硬開關PFC以外，其他幾種控製方式都十分複雜
，因此在新一代的主流設計中工程師們對SiC的硬開關PFC更感興趣。由SiC器件組成硬開關電路如下圖2所示：

 

圖2：SIC管的硬開關boost電路

 

因為SiC器件的特性，SiC二極管的反向恢複時間接近0，因此開關損耗很低。將SiC用於PFC中可以帶來的好處是：高頻化、在較高的開關頻率下依然可以得到較低的開關損耗，電感的體積可以減小，同時還提高了功率密度。

 

在六管組成三相VIENNA拓撲的PFC
，采用全6管SiC的MOSFET，可以省掉快恢複二極管，如下圖3所示：

 

圖3：由6個SIC MOSFET組成的PFC電路

 

上圖的6管PFC，如果選用6個900V的65毫歐的SiC MOSFET或者1200V的160毫歐/80毫歐的SiC MOSFET，目標開關頻率是100Khz
，最大可以做到20KW功率。

 

圖4：SIC MOSFET開通和關管的波形

 

從圖4的仿真模型中可以看出，在開通和關斷的交越區域非常小，因此損耗非常小，CREE的SiC產品可以實現在通訊電源上的高效

、低成本、小體積以及高可靠性的要求。