為wei努nu力li實shi現xian更geng高gao的de功gong率lv密mi度du並bing滿man足zu嚴yan格ge的de效xiao率lv法fa規gui要yao求qiu以yi及ji係xi統tong正zheng常chang運yun行xing時shi間jian要yao求qiu，工gong業ye和he功gong率lv電dian子zi設she計ji人ren員yuan在zai進jin行xing設she計ji時shi麵mian臨lin著zhe不bu斷duan降jiang低di功gong率lv損sun耗hao和he提ti高gao可ke靠kao性xing的de難nan題ti。 然而，在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源
、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能
，設計的複雜程度就會提高，同時還會導致總體係統成本提高。

為幫助設計人員解決這些難題，飛兆半導體公司開發成功了非常適合功率轉換係統的碳化矽(SiC)技術解決方案，進而拓展了該公司在創新型高性能功率晶體管技術領域的領先地位。

與IGBT相比，飛兆半導體最近開發出的碳化矽(SiC) BJT功gong率lv器qi件jian可ke實shi現xian效xiao率lv和he功gong率lv密mi度du的de大da幅fu提ti升sheng，無wu論lun在zai元yuan件jian還hai是shi係xi統tong級ji
，這zhe可ke幫bang助zhu設she計ji工gong程cheng師shi在zai其qi設she計ji中zhong滿man足zu成cheng本ben的de要yao求qiu，以yi及ji改gai善shan功gong率lv密mi度du、可靠性和效率。

SiC BJT可ke提ti供gong更geng高gao的de開kai關guan頻pin率lv和he更geng低di的de損sun耗hao
，從cong而er可ke在zai相xiang同tong係xi統tong尺chi寸cun下xia實shi現xian更geng高gao的de輸shu出chu功gong率lv，並bing降jiang低di無wu源yuan元yuan件jian的de成cheng本ben，因yin為wei它ta允yun許xu使shi用yong更geng小xiao的de電dian感gan、電容和散熱器。

SiC BJT可提供目前市場上最低的傳導損耗
，因為它的導通電阻每平方厘米隻有2.2毫歐姆，它的開關總損耗也是最低的，包括驅動器損耗。SiC BJT直流增益大於70。

SiC BJT可提供更高的開關頻率，它開與關之間的轉換時間隻有20ns，而且這一性能與工作溫度無關。更重要的一點是
，SiC BJT開關轉換時沒有尾流。


今天的很多電子應用諸如可再生能源、工業控製係統和移動電源都要求高效率、小尺寸和重量輕。SiC BJT剛好可以滿足以上要求，與今天的任何其他晶體管（如MOSFET和IGBT）相比，它可提供業內最高的效率，同時它還消除了許多尺寸、重量、溫度和效率方麵的折中考慮。

在改善效率領域
，SiC BJT針對的目標應用包括：太陽能逆變器


、充電樁
、移動電源、電機驅動、PFC輸入級、DC-AC轉換器、焊接係統和DC-DC轉換器。

與此同時，SiC BJT的另一大獨特性能優勢是它可以在高溫下提供可靠的開關操作，這在油氣鑽探、能量收集、商業航空、特定的汽車和工業設計應用中是至關重要的。在高溫應用領域
，SiC BJT針對的目標應用包括：馬達和渦輪控製、安全監控、高溫馬達驅動
、高溫執行器控製和高溫DC轉換器。


飛兆SiC BJT的未來發展路線圖是：SiC BJT分立元件、SiC二極管、SiC電源模塊、SiC BJT IC驅動器、針對高溫應用的SiC BJT。

先進的SiC雙極結型晶體管(BJT)係列產品可實現更高的效率
、電流密度和可靠性，並且能夠順利地在高溫下進行可靠工作。 SiC BJT實現了更高的開關頻率，這是因為傳導和開關損耗較低(30-50%)

，從而能夠在相同尺寸的係統中實現高達40%的輸出功率提升。

這些強健的BJT支持使用更小的電感
、電容和散熱片，可將係統總體成本降低多達20%。 這些業界領先的SiC BJT性能出眾
，可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區
，將在高功率轉換應用的功率管理優化中發揮重大作用。


飛兆半導體還開發了即插即用的分立式驅動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化矽解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關損耗和增強可靠性的條件下提高開關速度，還使得設計人員能夠在實際應用中輕鬆實施SiC技術。飛兆半導體為縮短設計時間、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持；參考設計有助於開發出符合特定應用需求的驅動器電路板。

SiC BJT的特性可歸結為以下三點：1）有史以來最高效的1200 V功率轉換開關---最低的總損耗，包括開關、傳導及驅動器損耗。所有1200 V器件中最低的開關損耗（任意RON條件下）；2）簡單直接的驅動----常關功能降低了風險和複雜程度，並減少了限製性能的設計。穩定的基極輸入，對過壓/欠壓峰值不敏感
；3）強健且可靠---額定工作溫度高： Tj=175°C 。由於RON具有正溫度係數，增益具有負溫度係數
，因此易於並聯。穩定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。

飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現在起即可獲取工程設計樣本。