產品特性：

• 采用微型DFN1212-3封裝
• 結點至環境熱阻為130ºC/W
• 低導通電阻，低傳導損耗，低功率耗散

應用範圍：

• 數碼相機、平板電腦及智能手機等高便攜式消費電子產品

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝的MOSFET。該器件的結點至環境熱阻 (Rthj-a) 為130ºC/W，能於持續狀態下支援高達1W的功率耗散，相比於占位麵積相同、Rthj-a性能為280ºC/W的SOT723封裝
，能實現更低溫度運行。

這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723 封裝的MOSFET一樣，印刷電路板 (PCB) 麵積為1.44mm2，並具備0.5mm的狹小離板高度
，但後者的熱力效能則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的訊號及負載開關應用，用於包括數碼相機
、平板電腦及智能手機在內的高便攜式消費電子產品。

Diodes公司首次推出的這對MOSFET


，額定電壓為20V
，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有效大幅減少傳導損耗及功率耗散。

Diodes稍後亦會推出采用DFN1212-3封裝
、額定電壓為30V與60V的組件，以及一係列雙極型器件。