MGFC50G5867/MGFC47G5867:三菱電機推出最高功率GaN HEMT功率放大器
發布時間:2011-12-05 來源:三菱電機
產品特性:
- 大功率、高效率
- 低失真特性
應用範圍:
- C波段衛星通信地麵站
三菱電機株式會社宣布研發出兩款用於C波段※1衛星通信地麵站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,擁有100W和50W的業屆最高輸出※5功率,樣品從2012年1月10日開始提供。
※1 頻率4 GHz~8GHz的微波
※2 衛星通信時設置在地麵的基站
※3 Gallium Nitride:氮化镓
※4 High Electron Mobility Transistor:高電子遷移率晶體管
※5 截至2011年11月29日,根據本公司調查。在衛星通信地麵站用的GaN HEMT中
新產品的特點
1.大功率、高效率有助於功率放大器的小型化
・采用耐壓性能卓越的GaN,可在40V的高電壓下工作
・大功率,輸出功率分別達到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)
・高效率,功率附加效率※6達到43%以上
※6 供電功率轉換為輸出功率時的效率。數值越高,效率越佳。
2.低失真特性有助於提高信號質量
・輸出功率為40W(46dBm)時IM3※7=-25dBc,實現低失真特性(MGFC50G5867)
※ 7 Inter Modulation:當2個信號同時輸入到放大器時產生的失真現象。數值越低,性能越佳。

主要規格

- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
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