碳化矽的機遇與挑戰：

• 是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料
• 將對半導體材料產生革命性的影響
• 將成為功率器件研究領域的主要潮流之一
• 技術需要時間磨合

碳化矽的市場數據：

• 將在今後5～10年內出現SIC的新器件

碳化矽是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，在電力電子方麵也是很重要的，可製作出性能更加優異的高溫(300℃～500℃)
、高頻
、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對於公電輸運和電動汽車等設備的節能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今後5～10年內出現，並將對半導體材料產生革命性的影響。

SIC可以用來製造射頻和微波功率器件、高頻整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SIC高頻功率器件已在Motorola公司研發成功，並應用於微波和射頻裝置；美國通用電氣公司正在開發SIC功率器件和高溫器件；西屋公司已經製造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET；ABB公司正在研製用於工業和電力係統的高壓、大功率SIC整流器和其他SIC低頻功率器件。

理論分析表明，SIC功率器件非常接近理想的功率器件。我們可以預見，各種SIC器件的研發必將成為功率器件研究領域的主要潮流之一。但是我們也要清醒的看到，SIC材料和功率器件的機理、理論和製造工藝均有大量的問題需要去解決，它要真正給電力電子技術領域帶來新的革命，估計還需要時間的等待。