CMOS晶體管的新聞事件：

• 2013年將由平麵晶體管向三維溝道的晶體管過渡

CMOS晶體管的事件影響：

• 對各公司的微細化競爭帶來影響
• 元件材料及曝光技術出現轉折

邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前後15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平麵型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及台灣台積電（TSMC）等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的製造技術發生巨變之後，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。

元件材料及曝光技術也會出現轉折

“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”（英特爾）。“在20nm以後的工藝中，立體晶體管不可或缺”（台積電）。gegongsiciqiancongweiduixianxingjingtiguanjishudejiexianzuochuguozheyangdeduanyan。zheshiyinweigeqiyerenshidaoxianxingjishuwufajiejueloudianliu増dadengwenti。lingwai
，gegongsimuqianmiaozhun11nm以後的工藝
，正在開發使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術。估計此前主要以矽為對象的材料技術早晚也會迎來重大轉變。

關於對微細化起到關鍵作用的光刻技術，EUV曝光及EB曝光等新技術正不斷走向實用化。目前已相繼出現為生產線引進曝光裝置並形成15nm以後微細圖案的事例。