產品特性：

• 2 mm x 2 mm
• 包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat晶體管和肖特基整流器
• 最高功耗Ptot 2.1 W
• 不含鹵素與氧化銻
• 符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準

應用範圍：

• 移動設備、智能手機和掌上電腦等應用

恩智浦半導體（NXP Semiconductors）日前宣布推出兩種擁有0.65 mm的行業最低高度新2 mm x 2 mm小信號分立無鉛封裝。通過具有良好的熱性能和導電性的無遮蔽散熱片，塑料SMD（表麵封裝器件）封裝的使用壽命得到了提高，並提供3引線（SOT1061）和6引線（SOT1118）兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道MOSFET、低VCesat晶體管和肖特基整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。該性能大致與行業標準封裝SOT89（SC-62）相當，但是隻占用一半的電路板空間。

恩智浦半導體小信號分立器件產品市場經理Ralf Euler表示：“dianlubankongjianyijigonglvhaosanshidangqianxianbojincouxingdianchigongdianshebeishejizhongdeguanjianyinsu，enzhiputigongleyixilieguangfandexiaoxingfengzhuangzuhelaizhichiyejieshixiangengxiaochicundezhongduanshebei。xindechanpinxianshiyidongshebei
、智能手機和掌上電腦中高性能充電電路
、負載開關以及開關電源（SMPS）等應用的理想選擇。”

SOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻，並符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準。

采用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）

• 全新SOT1118封裝的兩款20V/3A FET-KY（集成了低VF的肖特基二極管）和一款20 V雙P溝道MOSFET將於六月底發布。
• 提供額外的1 kV（HBM）防靜電（ESD）保護，提高了ESD強健性。
• 在帶有ESD保護的20V級別的產品中，新的FET-KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）導通電阻為業界最低，柵極電壓（VGS）4.5 V下額定電阻為80毫歐。而為了提高能效
  ，在電流1A時其正向導通電壓（VF）也同樣為業界最低
  ，分別為365 mV和520 mV。雙P溝道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下擁有低至70毫歐的導通電阻，是高效電源管理應用的理想選擇。
• 全新SOT1061封裝的14款高效低VCEsat晶體管符合其作為突破性小信號（BISS）晶體管的稱號：6A電流下的超低飽和電壓低至200mV，相當於隻有33毫歐的RCEsat。
• 涵蓋了12V～100V的全部電壓範圍，新的PBSS*PA係列集電極電流（ICM）峰值高達7A。
• 便於客戶采用SOT1061封裝產品代替大尺寸封裝的晶體管
  ，從而在更小的占位麵積上達到相同的性能。

采用SOT1061封裝的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA係列）

• 恩智浦半導體公司的PMEG*EPA肖特基整流器
  ，不僅具備低正向壓降，而且擁有高正向電流，是該類器件中第一款置於無鉛中功率SOT1061封裝中的產品。
• 五個符合AEC-Q101標準的的單一類型，平均正向電流高達2A
  ，反向電流在 20V和60V之間。並將在今年六月新增四個1A和2A的雙整流器。
• 集成的保護環用於應力保護
  ，與市場上其他同類產品相比，擁有更高的性能和效率。

上市時間

SOT1061和SOT1118中所有新的分立器件樣品可立即用於應用設計。SOT1061中的低VCesat（BISS）晶體管和低VF單肖特基整流器已經可以接受訂購。SOT1118封裝的恩智浦 P溝道MOSFET和FET-KY產品線以及SOT1061封裝的雙肖特基整流器將在今年六月底批量供貨。