產品特性：

• 將提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度
• 尺寸僅為8x8mm

應用範圍：

• 功率MOSFET
   

功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝

，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術的功率密度。

在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內

，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業標準的TO-220大da小xiao的de裸luo片pian，並bing提ti供gong一yi個ge裸luo露lu的de金jin屬shu漏lou極ji焊han盤pan
，有you效xiao排pai除chu內nei部bu產chan生sheng的de熱re量liang。薄bo型xing封feng裝zhuang將jiang使shi設she計ji人ren員yuan能neng夠gou設she計ji更geng薄bo的de電dian源yuan外wai殼ke，為wei當dang今jin市shi場chang提ti供gong緊jin湊cou時shi尚shang的de新xin產chan品pin。客ke戶hu可ke從cong兩liang個ge公gong司si獲huo得de這zhe款kuan新xin的de標biao準zhun產chan品pin：意法半導體和英飛淩（Infineon Technologies）均將推出采用這個創新封裝的MOSFET晶體管
，意法半導體的產品名稱是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛淩的產品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質雙貨源供貨。

新封裝的纖薄外形和優異的散熱性能
，結合意法半導體MDmesh V技術的無與倫比的超低單位裸片麵積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節省印刷電路板空間。意法半導體將在現有的MDmesh V 產品陣容內加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發布該係列首款產品：650V STL21N65M5。

意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“我wo們men與yu英ying飛fei淩ling的de合he作zuo卓zhuo有you成cheng效xiao

，已yi開kai發fa出chu一yi項xiang高gao性xing能neng封feng裝zhuang技ji術shu，我wo們men的de客ke戶hu可ke以yi獲huo得de尖jian端duan的de應ying用yong設she計ji和he全quan球qiu兩liang大da功gong率lv半ban導dao體ti廠chang商shang支zhi持chi的de芯xin片pian封feng裝zhuang。這zhe項xiang具ju有you突tu破po性xing的de封feng裝zhuang技ji術shu結jie合he意yi法fa半ban導dao體ti獨du有you的de業ye內nei最zui先xian進jin的deMDmesh V製程
，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性：

• RDS(ON)：0.190?
• 最大額定輸出電流 （ID）：17A
• 結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W

采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現已提供樣片，量產定於2010年7月。

關於意法半導體的MDmesh™ V技術：

MDmesh V是意法半導體的新一代多漏極網格技術
，該項技術可最大限度地降低導通損耗，同時不會對開關性能產生很大的影響。采用這項技術的MOSFET能neng夠gou讓rang設she計ji人ren員yuan符fu合he對dui電dian子zi產chan品pin能neng效xiao有you更geng高gao要yao求qiu的de環huan保bao設she計ji法fa規gui

，還hai能neng讓rang他ta們men有you機ji會hui在zai再zai生sheng能neng源yuan等deng新xin興xing產chan業ye中zhong尋xun找zhao市shi場chang機ji遇yu，因yin為wei在zai全quan球qiu發fa展zhan新xin興xing產chan業ye的de浪lang潮chao中zhong，最zui大da限xian度du地di降jiang低di功gong率lv轉zhuan換huan損sun耗hao是shi降jiang低di每mei瓦wa成cheng本ben的de關guan鍵jian所suo在zai。

MDmesh V架jia構gou改gai進jin了le晶jing體ti管guan的de漏lou極ji結jie構gou，可ke有you效xiao降jiang低di漏lou源yuan電dian壓ya降jiang
，結jie果guo，裸luo片pian單dan位wei麵mian積ji的de導dao通tong電dian阻zu非fei常chang低di，尺chi寸cun小xiao的de器qi件jian也ye能neng取qu得de超chao低di的de通tong態tai損sun耗hao。事shi實shi上shang
，在zai采cai用yongTO-220標準封裝的650V MOSFET產品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。

MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低
，在高速開關時能效優異
，RDS(ON) x Qg 性能因數 (FOM)很小。新產品650V的擊穿電壓高於競爭品牌的600V產品的擊穿電壓
，為設計工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高
，具有出色的耐dV/dt斜率能力，並100%經過雪崩測試。另一項優勢是，整齊的關斷波形有助於簡化柵極控製
，降低對EMI濾波的要求。

現已上市的MDmesh V技術產品采用各種工業標準封裝，包括TO-220

、TO-220FP
、I2PAK
、TO-247和Max247。