產品特性：

• 占板空間僅為64平方毫米
  ，高度僅為1毫米
• 具備2nH的極低寄生電感
• 其獨立的驅動源連接點可以保證幹淨的柵極信號

應用範圍：

• 功率MOSFET

英飛淩科技股份公司近日推出適用於高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的係統解決方案尺寸。

全新封裝采用表麵貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內
，貼裝業界標準TO-220jingli

，bingjubeijinshuluohanpan，bianyuneibugaoxiaosanre。qidiaiwaixingbianyushejizheshejichugengbodedianyuanwaike
，manzudangjinshichangduishishangxianqiaoxinpindexuqiu。muqianyouliangjiagongsiketuichuzhezhongxinfengzhuang：英飛淩和意法半導體將推出采用這種創新封裝的MOSFET，分別為ThinPAK 8x8（英飛淩）和PowerFLAT™ 8x8 HV（意法半導體），為客戶提供不同的優質選擇。

英飛淩高壓MOS產品線經理Jan-Willem Reynaerts指出：“今天我們與意法半導體合作推出的新型封裝，為高壓MOSFET的無管腳SMD封裝樹立了行業新標杆。CoolMOS™ 等矽技術已發展到可高效快速開關的高級階段。在該階段，傳統的標準過孔封裝逐漸成為限製能效和功率密度進一步提升的因素。”

ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感（D2PAK的寄生電感為6nH）、與D2PAK類似的散熱性能
，而且其獨立的驅動源連接點可以保證幹淨的柵極信號。因此
，ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實現更快速
、高效的開關，更輕鬆地處理開關行為和電磁幹擾。

初期
，英飛淩將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件：199毫歐（IPL60R199CP）、299毫歐（IPL60R299CP）和385毫歐（IPL60R385CP）。

供貨

采用ThinPAK 8x8封裝的新器件樣品目前已開始提供。量產時間可根據從訂貨到交貨的標準周期確定。