機遇與挑戰：

• 以後政府將加大對分立器件廠商的扶持力度
• 市場對半導體分立器件的要求越來越高
• 一些高功率的分立器件將在未來多種應用中將扮演重要角色

市場數據：

• 2008中國的分立器件出貨量為2,461億隻，比07年下滑1.1%
  ，而銷售額更是增長12.3%，達到938億元

“今jin天tian在zai會hui上shang我wo聽ting到dao最zui溫wen暖nuan的de一yi句ju話hua就jiu是shi今jin後hou我wo們men半ban導dao體ti分fen立li器qi件jian產chan業ye將jiang劃hua歸gui工gong信xin部bu信xin息xi產chan品pin司si集ji成cheng電dian路lu處chu管guan理li，關guan白bai玉yu處chu長chang的de這zhe句ju話hua令ling我wo們men非fei常chang激ji動dong。”在前不久深圳舉辦的2009中國半導體分立器件市場年會上長電科技副董事長於燮康在大會上表示，“這表示以後政府將加大對分立器件廠商的扶持力度。”長期以來，看到自己的同胞兄弟(集成電路廠商)不斷享受各種扶持政策，而自己隻能作為旁觀者的分立器件廠商這下終於等到了平等權益的這一天。

事實上，隨著市場對半導體分立器件的要求越來越高，一些先進分立器件的技術水平與集成電路不相上下，特別是一些特殊的高功率
、高壓分立器件
，需要非常高的技術門檻，享受與集成電路企業一樣的“高新技術企業”待遇是早就應該解決的事情。“雖然有越來越多的分立器件集成到IC中，但是分立器件將是不可替代的，其低成本性、靈活應用特性
、可靠性以及且采購渠道和資源豐富等特點決定了用戶對它的持續需求。”於燮康說道
，“特別是一些高功率的分立器件，是未來多種應用中將扮演重要的角色。”比如在將來的混合電力純電力汽車中，高功率分離器件將扮演重要角色

，這也是中國很多分立器件廠商目前的研發方向。

2008年在全球市場大幅下滑的情況下
，中國的分立器件出貨量為2,461億隻，比07年下滑1.1%
，而銷售額更是增長12.3%，達到938億元，好於其它市場。“2008年我國分立器件產銷的一大亮點主要得益於全球電子整機對節能
、環保需求的不斷增長，這一方麵帶動了分立器件產品的需求增長，另一方麵也帶動了市場產品結構的快速升級。”於燮康解釋。產品結構的快速升級帶來的是銷售額比產量更快速地增長。“未來幾年
，分立器件將向微型化
、片式化、高性能化方向發展，功率分立器件大有作為。同時，汽車電子市場對功率器件的需求也迅速增長。”

劃(hua)歸(gui)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)管(guan)理(li)處(chu)後(hou)，半(ban)導(dao)體(ti)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)企(qi)業(ye)將(jiang)有(you)可(ke)能(neng)享(xiang)受(shou)與(yu)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)企(qi)業(ye)一(yi)樣(yang)的(de)扶(fu)持(chi)政(zheng)策(ce)，這(zhe)將(jiang)為(wei)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)業(ye)的(de)發(fa)展(zhan)注(zhu)入(ru)一(yi)股(gu)強(qiang)大(da)的(de)催(cui)化(hua)劑(ji)。不(bu)過(guo)，會(hui)上(shang)中(zhong)國(guo)半(ban)導(dao)體(ti)行(xing)業(ye)協(xie)會(hui)秘(mi)書(shu)長(chang)徐(xu)小(xiao)田(tian)對(dui)《國際電子商情》表示
，大家不要對“兩稅”的減免寄予過高的期望。“一號文件中規定了對高新技術企業所得稅減半，如果評不上高新企業就不能享受這個待遇；另外增值稅減免對集成電路企業也沒有特殊待遇，現在是陽光普照
，對國內進口設備同樣待遇。”他接著指出，“兩liang稅shui政zheng策ce就jiu那na樣yang了le，企qi業ye不bu要yao再zai寄ji予yu過guo高gao的de希xi望wang。另ling一yi方fang麵mian也ye說shuo明ming，企qi業ye不bu要yao太tai過guo依yi賴lai於yu減jian免mian稅shui政zheng策ce

，要yao從cong自zi身shen創chuang新xin尋xun求qiu發fa展zhan。包bao括kuo資zi本ben
、人才、技術和產品的創新。”

分立器件業的發展趨勢
半導體分立器件通常總是沿著功率、頻率兩個方向發展，發展新的器件理論、新的結構，出現各種新型分立器件。於燮康指出以下幾種熱門半導體分立器件的發展方向

一
、發展電子信息產品急需的高端分立器件，如SiGaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電器件
、變容管及肖特基二極管等；

二
、發展以SiGe、SiC

、InP、GaN等化合物半導體材料為基礎的新型器件
；

三、跟蹤世界半導體分立器件發展趨勢，加強對納米器件、超導器件等領域的研究
；

四、分立器件封裝技術的發展，要以片式器件為發展方向
，以適應各種電子設備小型化、輕量化
、薄型化的需要。

中國電科集團南京電子器件研究所單片集成電路與模塊國家級重點實驗室邵凱對微波器件的發展趨勢發表如下看法：微波器件的應用主要分為三大類：以手機射頻功放為代表的輸出功率小於5W
，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件
；以移動通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用於通信、雷達等領域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。

它涉及到的半導體材料包括第一代的矽，第二代的砷化镓、磷化銦以及第三代的氮化镓和碳化矽等。不同材料適合不同應用。目前砷化镓異質結雙極晶體管(GaAs HBT)是手機射頻功放的主流技術；移動通信基站功放則主要用矽橫向擴散金屬氧化物半導體場效應器件(Si LDMOS)；微波毫米波功放主要用砷化镓配高電子遷移率晶體管(GaAs pHEMT)。但其它材料和器件結構也在參與激烈競爭，尤其是第三代半導體材料氮化镓(GaN)和碳化矽(SiC)的出現帶來了新的希望。

中國電子科技集團公司趙正平則指出，GaN HEMT在zai微wei波bo毫hao米mi波bo領ling域yu有you了le突tu破po性xing進jin展zhan，目mu前qian正zheng處chu於yu從cong科ke研yan向xiang工gong程cheng化hua轉zhuan化hua的de關guan鍵jian時shi期qi。由you於yu其qi高gao的de擊ji穿chuan場chang強qiang，高gao電dian子zi飽bao和he速su度du，高gao的de兩liang維wei電dian子zi氣qi濃nong度du
，SiC襯底的高熱導率
，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。預期2010年GaN HEMT將在軍民用係統中獲得應用。