SiC與Si性能對比

簡單來說，SiC主要在以下3個方麵具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高（10倍於Si），更寬的能帶隙（3倍於Si），熱導率高（3倍於Si），這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。

SiCMOSFET性能明顯優於SiMOSFET

1.極其低的導通電阻RDS(ON)
，導致了極其優越的正向壓降和導通損耗
，更能適應高溫環境下工作。

2.SiCMOSFET管具有SiMOSFET管的輸入特性，即相當低的柵極電荷
，導致性能卓越的切換速率。

3.寬禁帶寬度材料，具有相當低的漏電流，更能適應高電壓的環境應用。

SiCMOSFET與SiMOSFET在設備中應用對比

現代工業對電力電子設備提出了許多新的要求，要求體積小
、功率大、發熱量小、設備輕便等。麵對這些新要求，SiMOSFET一籌莫展
，而SiCMOSFET就開始大顯身手了。通過對SiCMOSFET管與SiMOSFET管相關電氣參數進行比較，我們可以肯定SiCMOSFET將成為高壓高頻場合中應用的主流器件


，可謂應用SiCMOSFET者得天下。


低電阻特性，SiC具有低電阻特性，在同等電壓和電流等級的MOSFET中，SiCMOSFET的內阻要幾倍小於SiMOSFET的內阻，且SiC的模塊體積小型化，有利於增加係統功率密度。

高速工作特性，SiCMOSFET相對於SiMOSFET具有更高頻率的工作特性，使係統中的電容電感器件體積小型化，減小係統整體體積
，同時也降低了生產加工成本。

高溫工作特性
，SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應用於高溫工作環境，原因在於一方麵SiCMOSFET自身損耗小，發熱量小
，自身溫升相對較小，另一方麵，熱導率高3倍於SiMOSFET。


有了以上特性對比結果
，我們可以清楚的認識到SiCMOSFET性能全麵優於SiMOSFET。雖然單個SiCMOSFET價格高於SiMOSFET，

但是應用了SiCMOSFET的係統設備整體價格低於應用SiMOSFET的設備，原因在於SiCMOSFET各項優秀性能使得設備中的電容容值減小、電感降低
、散熱片麵積和體積減少以及設備整體體積和成本明顯減小。歡迎撥打世強服務熱線電話40088-73266獲得專業快捷的服務！

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