半導體致冷器是由半導體所組成的一種冷卻裝置，於1960年左右才出現，然而其理論基礎peltiereffect可追溯到19世紀。這現象最早是在1821年，由一位德國科學家thomasseeback首先發現，不過他當時做了錯誤的推論，並沒有領悟到背後真正的科學原理。到了1834年，一位法國表匠
，同時也是兼職研究這現象的物理學家jeanpeltier，才發現背後真正的原因
，這個現象直到近代隨著半導體的發展才有了實際的應用，也就是［致冷器］的發明（注意，這種叫致冷器，還不叫半導體致冷器）。

由許多n型和p型半導體之顆粒互相排列而成

，而np之間以一般的導體相連接而成一完整線路，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹一樣夾起來

，陶瓷片必須絕緣且導熱良好，外觀由許多n型和p型半導體之顆粒互相排列而成

，而np之間以一般的導體相連接而成一完整線路
，通常是銅、鋁或其他金屬導體，最後由兩片陶瓷片像夾心餅幹一樣夾起來，陶瓷片必須絕緣且導熱良好。

n型xing半ban導dao體ti。任ren何he物wu質zhi都dou是shi由you原yuan子zi組zu成cheng，原yuan子zi是shi由you原yuan子zi核he和he電dian子zi組zu成cheng。電dian子zi以yi高gao速su度du繞rao原yuan子zi核he轉zhuan動dong，受shou到dao原yuan子zi核he吸xi引yin，因yin為wei受shou到dao一yi定ding的de限xian製zhi，所suo以yi電dian子zi隻zhi能neng在zai有you限xian的de軌gui道dao上shang運yun轉zhuan，不bu能neng任ren意yi離li開kai，而er各ge層ceng軌gui道dao上shang的de電dian子zi具ju有you不bu同tong的de能neng量liang（電子勢能）。liyuanzihezuiyuanguidaoshangdedianzi，jingchangkeyituoliyuanzihexiyin，erzaiyuanzizhijianyundong，jiaodaoti。ruguodianzibunengtuoliguidaoxingchengziyoudianzi，gubunengcanjiadaodian，jiaojueyuanti。bandaotidaodiannenglijieyudaotiyujueyuantizhijian，jiaobandaoti。bandaotizhongyaodetexingshizaiyidingshuliangdemouzhongzazhishenrubandaotizhihou

，budannengdadajiadadaodiannengli，erqiekeyigenjuchanruzazhidezhongleiheshuliangzhizaochubutongxingzhi、不同用途的半導體。將一種雜質摻入半導體後，會放出自由電子，這種半導體稱為n型半導體。

p型半導體
，是靠“空穴”來導電。在外電場作用下“空穴”流動方向和電子流動方向相反，即“空穴”由正板流向負極，這是p型半導體原理。

載流子現象：n型半導體中的自由電子，p型半導體中的“空穴”

，他們都是參與導電，統稱為“載流子”，它是半導體所特有，是由於摻入雜質的結果。

半導體製冷材料：不僅需要n型和p型xing半ban導dao體ti特te性xing，還hai要yao根gen據ju摻chan入ru的de雜za質zhi改gai變bian半ban導dao體ti的de溫wen差cha電dian動dong勢shi率lv

，導dao電dian率lv和he導dao熱re率lv使shi這zhe種zhong特te殊shu半ban導dao體ti能neng滿man足zu製zhi冷leng的de材cai料liao。目mu前qian國guo內nei常chang用yong材cai料liao是shi以yi碲di化hua鉍bi為wei基ji體ti的de三san元yuan固gu溶rong體ti合he金jin
，其qi中zhongp型是bi2te3—sb2te3
，n型是bi2te3—bi2se3，采用垂直區熔法提取晶體材料。

相關閱讀：

利用半導體製冷解決大功率LED照明散熱問題
技術帝教你DIY電子製冷的冰鎮冰壺
利用MEMS技術研究非製冷紅外探測器