技術達人:詳解CMOS Sensor圖像傳感器的技術演進
發布時間:2014-02-20 責任編輯:mikeliu
【導讀】從多項層麵看,CMOS圖像傳感器的持續強勁發展,最終將超越CMOS圖像傳感器,且這樣的轉變預計在往後幾年內就會實現,不過與其他變革相同的,從舊變革到新,其利、弊兩者必然紛陳,CMOS圖像傳感器如何累積能量與優勢,將弊處降至最低、益處持續提升,這將成為CMOS圖像傳感器後續發展推進的主要課題。
部份分析觀察家指出:2010年時,筆記型電腦的總產值將超越桌上型電腦、2011年32位元微控製器的總產值將超越8位元微控製器。類似的,自從90年代末CMOS圖像傳感器即開始在一些應用上逐步取代CCD(Charge-Coupled Devices)圖像傳感器,而這樣的取代效應仍持續醞釀發酵,再加上多項新影像感測應用的出現,如拍照手機、指紋辨識、網際視訊等,使CMOS圖像傳感器的用量進一步的擴增,加上品質技術的強化改進,因此人們預估約在今年、明年,CMOS圖像傳感器的總產值就會超越CCD圖像傳感器。
雖然CMOS圖像傳感器超越CCD圖像傳感器已成時間問題,但即便總產值超越CCD也不代表CMOS影像感測器的一切表現都將超越CCD圖像傳感器,雖然CMOS圖像傳感器在多項表現上優於CCD影像感測器,但仍有許多方麵不如CCD圖像傳感器,如果CMOS圖像傳感器不能在這些落後項目上力求改進,那麼CCD圖像傳感器將持續在某些應用領域中佔有市場,且不一定拘限於利基市場,如此將有可能影響到CMOS圖像傳感器在應用範疇上的持續推進。
因此,本文以下將針對現有CMOS圖像傳感器的發展、技術等進行更多探討,同時也再次審視、比較CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器的優劣性,做為日後各項應用設計時的評估參考。
CMOS感測品質大躍進:主動式像素技術
首先我們必須從過往的技術歷程來瞭解CMOS圖像傳感器與CCD圖像傳感器,老實說CCD圖像傳感器的運用歷史遠比CMOS悠久,CCD圖像傳感器的應用至今已超過30年的歷史,相對的CMOS圖像傳感器的應用約在1990年中期才展露。
在1990年中期以前,CMOS圖像傳感器並沒有受到重視,原因在於感測影像品質的低落,然1990年中期對CMOS圖像傳感器而言實是一個技術發展演進的轉捩點,此時美國國家航空暨太空總署(National Aeronautics and Space Administration;NASA)的噴射推進實驗室(Jet Propulsion Laboratory)發明了主動式像素(Active Pixel)的CMOS圖像傳感器架構,此架構提出後大幅改善CMOS圖像傳感器的影像感測品質,自此以後CMOS圖像傳感器的應用才逐漸開展。也因為主動式像素架構的提出,為了與過往的架構有所區別,因此將過去的傳統架構稱為被動式像素(Passive Pixel)架構。
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為何主動式像素感測器架構能大幅改善CMOS圖像傳感器的影像感測品質呢?這必須從架構設計上來說明,傳統被動式像素是將每個獨立電晶體(並搭配電容器)做為每個影像感測像素的開關(Switch),jiangganceqiganyingdaoguangyuan,bingjiangguangzhuanhuanchengdianzihou,jiangzhexieshuchudedianzichucundaodianrongqinei,zhihouzaiduquxingliejiaohuichudedianrongqi,bingjiangdianrongqineidedianzixunhaotouguoxunhaofangdaqijiayifangda。
相xiang對dui的de,主zhu動dong式shi像xiang素su架jia構gou的de作zuo法fa是shi在zai每mei個ge影ying像xiang感gan測ce像xiang素su上shang都dou設she置zhi訊xun號hao放fang大da器qi與yu雜za訊xun控kong製zhi元yuan件jian,這zhe樣yang就jiu可ke以yi避bi免mian被bei動dong式shi像xiang素su架jia構gou的de一yi些xie缺que陷xian,被bei動dong式shi像xiang素su架jia構gou的de主zhu要yao弱ruo處chu就jiu在zai於yu訊xun號hao運yun送song過guo程cheng中zhong遭zao受shou到dao雜za訊xun幹gan擾rao,而er主zhu動dong式shi像xiang素su感gan測ce因yin為wei就jiu近jin在zai為wei每mei個ge像xiang素su設she置zhi專zhuan屬shu的de訊xun號hao放fang大da器qi、雜訊控製等設計,使雜訊的影響大幅降低,進而提升了影像感測品質。

圖說:韓國MagnaChip公司的CMOS圖像傳感器之攝影機模組:HV7171SP(210萬像素),該模組為固定對焦型,圖中為模組與一般迴紋針的尺寸比較。
CMOS與CCD之比較
在感測品質大幅改善後,CMOS圖像傳感器在諸多的本質特性上反而優於CCD圖像傳感器,這也使得愈來愈多的應用設計者願意用CMOS圖像傳感器來取代CCD圖像傳感器,到底有哪些本質特性是CMOS優於CCD,以下將逐一說明。
◆低成本性、高整合性
CCD圖像傳感器使用特有的成形結構,需要獨有、專屬的製造、製程技術來實現,因此製造成本較高。相對的,CMOS圖像傳感器能夠用標準的製造設備來產製,現今所有的半導體晶片有90%都是透過這些標準化設備、設施所產出,包括CPU、RAM、ROM等晶片都是,標準化的結果可以讓CMOS圖像傳感器的成本降低。
也因為使用標準的半導體製程,所以CMOS圖像傳感器不僅可以使用較先進的縮密製程,也才能方便整合訊號放大器、雜訊控製等電路,來實現主動式像素的感測器架構,同時標準製程也讓CMOStuxiangchuanganqinengfangbianzhengheyingxiangchulifangmiandedianlu,gaozhenghedubujinyeyouzhuyujiangdizhizaochengben,tongshiyegengshiheyixieyiqingbianweizhuyaosuqiudeyingyongzhong,ruzhaoxiangshoujijishiyili。
◆低功耗、易驅動性
主動式像素感測器架構的CMOS影像感測器的用電相當少,與CCD圖像傳感器相比可相差達近100倍,這對行動應用(如:筆記型電腦)、手持式應用(如:手持式掃描器)等使用電池運作的裝置而言相當重要,在相同像素下CMOS圖像傳感器約隻要20mW∼50mW的用電,相對的CCD影像感測器卻需要2W∼5W的用電。
此外CMOS圖像傳感器隻要單一固定電壓(5V或者是3.3V)的供電就可驅動運作,但CCD圖像傳感器卻需要擺盪性的電壓(5V∼15V間變化)才能運作,這對應用開發設計者而言,CCD設計反而是較困難與繁瑣。
◆隨機讀取像素區 增加感測應用彈性
由於主動式像素結構的CMOS圖像傳感器,其每個感應像素都具有獨立配屬的光電二極體(Photodiode,也稱:感光二極體)及讀取感測信號用的放大器(Readout Amplifier),如此感應的電荷可以從行列線路上(X-Y Wires)讀取,相對的CCD影像感測器的每一個電荷區(Charge Domain)是用移位暫存器(Shift Register)來讀取,所以CMOS影像感測器無論從行或列都可以進行定址,如此與一般的RAM記憶體相當類似。
具有此一獨到特性後,CMOS圖像傳感器可以實現隻讀取整體影像感應中的部分窗區內容,此稱之為「Windowing」,此可以用來實現晶片內的電子式鏡頭移動、偏向、縮放等效果。更廣義地說,Windowing特性對影像感測應用而言能帶來壓縮、移動性偵測、或目標追蹤等功效,此一特性對保全監視用的攝影係統設計而嚴格外受用。
◆更快速的畫框率
主動式像素在結構上就具有快速感測的天性,因此適合用在一些(移動)動作分析方麵的應用,主動式像素在驅動影像陣列中的欄(Column)匯流排的速度上能夠過去的被動式像素結構快速,同時也比CCD影像感測器快速。另外CMOS圖像傳感器可以內建類比數位轉換器(Analog Digital Converter;ADC),使shi感gan測ce資zi料liao可ke以yi盡jin快kuai輸shu出chu到dao感gan測ce晶jing片pian外wai,內nei建jian類lei比bi數shu位wei轉zhuan換huan器qi的de另ling一yi好hao處chu是shi感gan測ce影ying像xiang直zhi接jie在zai晶jing片pian內nei就jiu轉zhuan換huan成cheng數shu位wei信xin號hao,如ru此ci可ke以yi免mian去qu類lei比bi信xin號hao因yin傳chuan輸shu而er遭zao受shou到dao雜za訊xun幹gan擾rao。
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◆更容易實現智慧型功效
同樣是CMOS製程的天性使然,CMOS圖像傳感器可以與信號處理整合設計,如此可讓CMOS影像感測器的功效超越傳統的標準攝影機功效,例如透過信號處理可以實現自動曝光控製(Auto Exposure Control;AGC),另外也可以抵抗抖動(Anti Jitter),使影像畫麵更為穩定,此即是一般所言的「防手振」gongneng,lingwaiyekeyijinxingyingxianghuamiandeyasuo,zaiyingxiangziliaoshangweishuchudaojingpianwaibuqianjiuyijingwanchengyasuochengxu,kejiasuyingxiangziliaodechuanshu,huozheweileshejidanxingyekeyongyuanshengfangshichuanchuyingxiangziliao,zaiyujingpianwaijinxingyasuochengxu。
不僅如此,其他的信號處理功效還有色彩編碼(Color Encoding)、內建電腦用的資料匯流排介麵電路、提供多種解析度的成像方式、畫麵動作追蹤等,甚至可針對某些影像應用而進行信號處理的支援性,例如視訊會議(Video Conferencing)、無線控製等。

圖說:美國美光(Micron)公司的CMOS圖像傳感器:MT9E001,該圖像傳感器具有800萬像素,解析度為3,264(水平)x2,448(垂直),MT9E001並不是單晶片型態的圖像傳感器,而是單純的圖像傳感器,其他相關影像處理必須將感測資料讀出後才能進行。
CMOS如何改善畫質
CMOS圖像傳感器雖然有諸多特點勝過CCD圖像傳感器,但CMOS圖像傳感器依然有些方麵不如CCD圖像傳感器,例如在亮度不足、偏暗的情況下,其影像感測效果就會大幅轉劣,但CCDyingxiangganceqiquemeiyouzheyangdewenti。weilegaishanciyiwenti,muqianyejieyijingtichuyixiegaishanchangshi,baokuoruheranggengduodeguangyinruganceqinei,yijijiangdiyingxiangganceqidezaxunwenti。
以加強引光而言,業者提出微透鏡(Micro Lens)技術,讓更多的光源能導入到影像感測器的表麵(光電二極體)上,言下之意是增加感應的亮度,不過微透鏡技術已屬微機電係統(MEMS)的層次,而非原有的單純半導體電路層次,所以挑戰難度的增加自是不難想像。
另外一種作法是在原有半導體製程上強化,業者CMOS電路的矽表麵上摻入雜質,以此形成1個針紮層(Pinning Layer),新增此結構可將光源吸收到矽晶片的內部,進而降低(光電二極體)表麵的雜訊,此種作法也稱為針紮光電二極體(Pinned Photodiode)目前此種作法確實改善了雜訊問題,使感測品質提升,不過現階段此種製程也會增加晶片的製造成本。
不過,上述兩種改善感測畫質的方式,都尚未真正成熟普及,其它的嚐試技術也都類似,一旦CMOS影像感測器在感測畫質上能再行提升,那麼取代CCD圖像傳感器的進度也會更為加速。
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