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為什麼IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控製中的一項變流技術，其實質是直流控製的脈寬調製，因其波形如同斬切般整齊、duicheng，gumingzhanbo。zhanbozaineikuitiaosukongzhizhongzhanyoujiweizhongyaodediwei，tabujinguanxidaotiaosudejishuxingneng，erqiezhijieyingxiangshebeideyunxinganquanhekekaoxing，yinci，ruhexuanzezhanbodianluhezhanboqijianshifenzhongyao。
2023-04-29
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快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
jincoudechicunhebuduanjiangdidexitongchengbenshidianlidianzishejidekaifazheyizhizhuiqiudemubiao。xianzai，youyujiayongdianqixiaohaodenengliangbuduanzengjia，congshicileiyingyongdegongchengshihaiyouyigemubiao：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這裏，功率因數校正(PFC)是強製性的，對於PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局麵。讓我們一起來了解超共源共柵的曆史，並探討如何將其重新用於優化現代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方麵的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短(duan)路(lu)特(te)性(xing)以(yi)及(ji)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)的(de)魯(lu)棒(bang)性(xing)。直(zhi)接(jie)翻(fan)譯(yi)不(bu)免(mian)晦(hui)澀(se)難(nan)懂(dong)，不(bu)如(ru)加(jia)入(ru)自(zi)己(ji)的(de)理(li)解(jie)，重(zhong)新(xin)梳(shu)理(li)一(yi)遍(bian)，希(xi)望(wang)能(neng)給(gei)大(da)家(jia)帶(dai)來(lai)更(geng)多(duo)有(you)價(jia)值(zhi)的(de)信(xin)息(xi)。今(jin)天(tian)我(wo)們(men)著(zhe)重(zhong)看(kan)下(xia)第(di)一(yi)部(bu)分(fen)——短溝道效應。
2023-04-24
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如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我wo們men提ti到dao尺chi寸cun和he功gong率lv往wang往wang看kan起qi來lai像xiang硬ying幣bi的de兩liang麵mian。當dang你ni縮suo小xiao尺chi寸cun時shi，你ni不bu可ke避bi免mian地di會hui降jiang低di功gong率lv。在zai那na篇pian文wen章zhang中zhong，我wo們men介jie紹shao了le芯xin片pian縮suo小xiao對dui熱re性xing能neng的de影ying響xiang，以yi及ji如ru何he通tong過guo優you化hua芯xin片pian位wei置zhi和he模mo塊kuai布bu局ju來lai減jian輕qing這zhe種zhong影ying響xiang。現xian在zai，讓rang我wo們men來lai看kan看kan我wo們men如ru何he能neng夠gou改gai善shan電dian氣qi性xing能neng。同tong樣yang，我wo們men將jiang以yi采cai用yongTRENCHSTOP™ IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL™ 3模塊為例，該模塊針對通用驅動（GPD）、商業、建築和農業車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優化。
2023-04-10
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如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩麵。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
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為什麼逆導型IGBT可以用於大功率CCM模式 PFC電路
對於功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更複雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用係數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控製器的智能柵極驅動光耦合器
通過集成反激式控製器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸並限度地減少電磁幹擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現顯著的成本節約。
2023-02-17
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MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要麵對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10
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如何手動計算IGBT的損耗
xianjinsuizhegaoduanceshiyiqihefangzhenruanjiandepuji，dabufendesunhaojisuandoukeyishiyonggongjuzidongwancheng，jieshenglebushaojingli，budebushuozheduigongchengshilaishuoshiyizhongjiefang，danshizhexiegongjujiuxiangheihezi，haoxuedexiaohuobanzongxiangzhidaogongzuojili。qishijichudoushidajiaxueguodejibengaodengshuxuezhishi。jintianzuozhejiubangdajiadakaizhegeheihezi，xiangxijieshaoyixiaIGBT損耗計算方法同時一起複習一下高等數學知識。
2023-02-07
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優化汽車應用的駕駛循環仿真
碳化矽（SiC）已經改變了許多行業的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉換部分。由於 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的係統效率並且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、係統和應用。
2023-01-28
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