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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法

實現更高功率密度的障礙是什麼？實際上，熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方麵的附加特性，既無法忽略也不能使用係統級過濾元件“優化”。要緩解係統過熱問題，需要在開發過程的每個步驟中進行關鍵的微調，以便設計能夠滿足給定尺寸約束下的係統要求。以下是 TI 專注於優化熱性能和突破芯片級功率密度障礙的三個關鍵領域。

2022-11-01
庖丁解牛看功率器件雙脈衝測試平台

雙脈衝測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用於各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發生在器件研發、器件生產、係統應用等各個環節，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。

2022-10-31
高集成度功率電路的熱設計挑戰

muqiansuizhekexuejishuhezhizaogongyidebuduanfazhanjinbu，bandaotijishudefazhanrixinyueyi。duiyugonglvbandaotiqijianeryan，qizhizaogongyiyetongyangshicongpingmiangongyiyanbiandaogoucaogongyi，gonglvmiduyuelaiyuegao。muqiangonglvbandaotiqijianbujinshidanyidekaiguanxingqijianruIGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控製電路IC，這(zhe)樣(yang)的(de)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)具(ju)有(you)更(geng)高(gao)的(de)集(ji)成(cheng)度(du)。這(zhe)種(zhong)混(hun)合(he)集(ji)成(cheng)型(xing)的(de)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)其(qi)封(feng)裝(zhuang)結(jie)構(gou)和(he)傳(chuan)統(tong)的(de)單(dan)一(yi)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)有(you)一(yi)定(ding)的(de)區(qu)別(bie)，因(yin)此(ci)其(qi)散(san)熱(re)設(she)計(ji)和(he)熱(re)傳(chuan)播(bo)方(fang)式(shi)也(ye)有(you)別(bie)於(yu)傳(chuan)統(tong)的(de)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)，會(hui)給(gei)使(shi)用(yong)者(zhe)帶(dai)來(lai)更(geng)大(da)的(de)熱(re)設(she)計(ji)挑(tiao)戰(zhan)。

2022-10-28
上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平(ping)板(ban)電(dian)腦(nao)等(deng)的(de)不(bu)斷(duan)更(geng)新(xin)換(huan)代(dai)，功(gong)能(neng)越(yue)來(lai)越(yue)豐(feng)富(fu)，隨(sui)之(zhi)帶(dai)來(lai)了(le)耗(hao)電(dian)量(liang)急(ji)劇(ju)上(shang)升(sheng)的(de)挑(tiao)戰(zhan)。然(ran)而(er)，在(zai)現(xian)有(you)電(dian)池(chi)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)還(hai)未(wei)取(qu)得(de)突(tu)破(po)性(xing)進(jin)展(zhan)的(de)背(bei)景(jing)下(xia)，人(ren)們(men)開(kai)始(shi)探(tan)索(suo)更(geng)快(kuai)的(de)電(dian)量(liang)補(bu)給(gei)，以(yi)高(gao)效(xiao)充(chong)電(dian)來(lai)壓(ya)縮(suo)充(chong)電(dian)時(shi)間(jian)，降(jiang)低(di)充(chong)電(dian)的(de)時(shi)間(jian)成(cheng)本(ben)，從(cong)而(er)換(huan)取(qu)設(she)備(bei)的(de)便(bian)攜(xie)性(xing)，提(ti)升(sheng)用(yong)戶(hu)體(ti)驗(yan)。

2022-10-28
無需電流采樣電阻的智能電機驅動IC，不來了解一下麼？

第(di)二(er)次(ci)工(gong)業(ye)革(ge)命(ming)，將(jiang)人(ren)們(men)從(cong)農(nong)業(ye)時(shi)代(dai)推(tui)送(song)到(dao)了(le)電(dian)氣(qi)時(shi)代(dai)，在(zai)人(ren)們(men)不(bu)斷(duan)發(fa)明(ming)創(chuang)造(zao)的(de)今(jin)天(tian)，已(yi)經(jing)實(shi)現(xian)了(le)很(hen)多(duo)產(chan)品(pin)的(de)自(zi)動(dong)化(hua)，這(zhe)些(xie)都(dou)是(shi)離(li)不(bu)開(kai)電(dian)機(ji)的(de)。電(dian)機(ji)其(qi)實(shi)也(ye)是(shi)分(fen)好(hao)多(duo)種(zhong)。比(bi)如(ru)，直(zhi)流(liu)電(dian)機(ji)、交流電機、有刷電機、無刷電機和步進電機等等，這些電機在我們的生活中隨處可見。

2022-10-27
防反保護電路的設計（下篇）

本係列的上、下兩篇文章探討了防反保護電路的設計。上篇介紹了各種脈衝幹擾以及在汽車電子產品中設計防反保護電路的必要性，同時回顧了 PMOS 方案保護電路的特性；本文為下篇，將討論使用 NMOS 和升降壓驅動 IC 實現的防反保護電路。

2022-10-27
第一部分——IC製造生命周期關鍵階段之安全性入門

本文包括兩部分，我們主要探討芯片供應商和OEM之間的相互關係，以及他們為何必須攜手合作以完成各個製造階段的漏洞保護。第一部分指出了IC製造生命周期每個階段中存在的威脅，並說明了如何解決這些威脅。第二部分著重說明了OEM所特有的安全風險，並指出了最終產品製造商和芯片供應商如何承擔各自的責任。這些內容將圍繞以下問題進行闡釋，即OEM和芯片供應商對各自生產階段的風險各負其責，以此來阻止大多數安全攻擊。

2022-10-25
貿澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯網技術研討會

貿澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic於10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專題技術研討會。屆時，來自Nordic的資深技術專家將為大家帶來Nordic的超低功耗產品在物聯網方麵的開發，助力工程師設計出更具性能優勢的產品。

2022-10-20
SiC MOSFET功率模塊是快速充電應用的理想選擇

碳化矽（SiC）MOSFETzaigonglvbandaotishichangzhongzhengzaixunsupuji，yinweiyixiezuichudekekaoxingwentiyijingjiejue，bingqiejiageshuipingyijingdadaolefeichangyouxiyinlidedian。suizheshichangshangdeqijianyuelaiyueduo，lejieSiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發展趨勢，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產品特性。

2022-10-20
自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

在一些低成本的應用中，特別是對於一些600V小功率的IGBT，業界總是嚐試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單並且成本低。

2022-10-19
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究

作為目前碳化矽MOSFET型號最豐富的國產廠商派恩傑，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可ke靠kao性xing上shang更geng是shi超chao越yue國guo際ji一yi流liu廠chang商shang。總zong裁cai黃huang興xing博bo士shi用yong高gao性xing能neng和he高gao可ke靠kao性xing的de產chan品pin證zheng明ming派pai恩en傑jie是shi國guo產chan碳tan化hua矽gui功gong率lv器qi件jian的de佼jiao佼jiao者zhe，展zhan現xian了le超chao高gao的de碳tan化hua矽gui設she計ji能neng力li和he工gong藝yi水shui平ping。

2022-10-19
LED串中升壓電源調節電流的示例

在此配置中，外設配置為產生大多數電流模式的固定頻率電源。COG是互補輸出發生器。其功能是通過上升沿和下降沿輸入構成的可編程死區生成互補輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當電流超出斜率補償器的輸出時，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結合來產生占空比。一些拓撲（如升壓、反激或SEPIC）需要占空比。運放OPA用於提供反饋和補償。

2022-10-19

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