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MVG在2023全國天線會議中展示SG Evo係統，在拱形環中采用無限采樣專利技術
天線測量解決方案領導者Microwave Vision Group（MVG）今日宣布參加2023年8月20日至23日在哈爾濱舉辦的全國天線會議，並參與會議同期進行的產品展覽，展出其采用了MVG無限采樣專利技術的多探頭測試係統——SG Evo。
2023-08-23
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有效測量碳化矽信號
碳化矽（SiC）技術已超越傳統的矽（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率係統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基於矽的組件和模塊，作為係統升級和係統設計的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）麵市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）係統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能麵板、diandongqichechongdianqihegongyesifudianjideriyipuji，shichangduigaoyajiejuefangandexuqiuyezaibuduanpansheng。weilemanzugegexingyedexuqiu，bingjinyibuwanshanchixukuodadegaoyajishuchanpinzuhe（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT係列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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集成穩壓器消除了對分立元件的需求
集成電壓調節器 (IVR) 是電源管理芯片中的一個新類別，它聲稱已經緩解了功率密度和能源效率之間長達數年的平衡問題。Empower Semiconductor由三位模擬資深人士於 2014 年共同創立，該公司創建了 5 × 5 毫米的封裝，可以消除或集成分立元件。
2023-08-21
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適用於高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，並且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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芯原股份周誌剛：用高性能的功能安全SoC平台，助力ADAS方案落地
7月14日，在ICDIA 2023大會期間同期舉辦的“智能與自動駕駛”專題論壇上，芯原股份係統芯片平台部副總裁周誌剛發表主題演講，介紹了芯原的高性能芯片設計平台與自動駕駛解決方案。
2023-08-21
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貿澤電子提供品類豐富的Vishay汽車級產品
2023年8月18日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車應用設計的產品。Vishay製定了自己的汽車級標準，目標是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標準納入了汽車行業的關鍵質量管理措施和健全的設計政策，在開發新品和改良現有產品時采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。
2023-08-19
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貿澤電子推出新一期EIT內容 分享數字療法變革性的強大力量
提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創新，EIT）計劃推出最新一期內容，共同探討了數字療法帶來的變革性潛力。在本期EIT中(zhong)，貿(mao)澤(ze)深(shen)入(ru)探(tan)究(jiu)了(le)關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)與(yu)醫(yi)學(xue)之(zhi)間(jian)的(de)緊(jin)密(mi)關(guan)聯(lian)，幫(bang)助(zhu)你(ni)了(le)解(jie)各(ge)種(zhong)元(yuan)器(qi)件(jian)如(ru)何(he)協(xie)同(tong)工(gong)作(zuo)，以(yi)及(ji)它(ta)如(ru)何(he)打(da)破(po)傳(chuan)統(tong)醫(yi)療(liao)體(ti)係(xi)的(de)限(xian)製(zhi)和(he)壁(bi)壘(lei)，以(yi)期(qi)提(ti)供(gong)更(geng)為(wei)個(ge)性(xing)化(hua)且(qie)更(geng)容(rong)易(yi)獲(huo)得(de)的(de)醫(yi)療(liao)保(bao)健(jian)服(fu)務(wu)。
2023-08-17
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泰瑞達張震宇：解讀異構集成和Chiplet時代下，測試行業的機遇與挑戰
2023年7月3日，中國 北京訊 —— 全球先進的自動測試設備供應商泰瑞達（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進封裝論壇 - 異構集成”活動。在活動中，泰瑞達Complex SOC事業部亞太區總經理張震宇發表題為《異構集成和Chiplet時代下，芯片測試行業的機遇與挑戰》的精彩演講，生動介紹泰瑞達對於先進封裝，在質量和成本之間找到平衡和最優方案的經驗和見解。
2023-08-17
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使用新型160V MOTIX三相柵極驅動器IC實現更好的電池供電設計（第一部分）
MOTIX™三相柵極驅動器集成電路6ED2742S01Q是英飛淩MOTIX™品牌的新成員，該品牌通過可擴展的產品組合提供低壓電機控製解決方案。它是一款160V絕緣體上矽(SOI)柵極驅動器IC，采用5x5 mm² QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，並集成了電源管理單元(PMU)。這種易於使用的器件非常適合電池供電的工業無刷直流電機控製驅動器，如無繩電動工具、機器人、無人機和輕型電動車（LEV），電池電壓範圍為10.8V至120V。這種寬工作電壓範圍使其成為12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅動器選擇。
2023-08-16
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如何優化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您
在高壓開關電源應用中，相較傳統的矽MOSFET和IGBT，碳化矽（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用矽MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用於非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限於低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFETdeduteqijiantexingyiweizhetamenduizhajiqudongdianluyouteshudeyaoqiu。lejiezhexietexinghou，shejirenyuanjiukeyixuanzenenggoutigaoqijiankekaoxinghezhengtikaiguanxingnengdezhajiqudongqi。zaizhepianwenzhangzhong，womentaolunleSiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然後介紹了一種能夠解決這些問題和其它係統級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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貿澤電子2023上半年新增29家製造商合作夥伴
2023年8月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2023上半年增加了29家新製造商合作夥伴，繼續擴大其產品供應陣容。貿澤目前代理超過1,200個製造商品牌，為其遍布全球的設計工程師、采購人員、教育工作者和學生等客戶群體提供極其廣泛的產品選擇。
2023-08-15
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