【導讀】絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）麵市已有些時日

，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）係統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能麵板、diandongqichechongdianqihegongyesifudianjideriyipuji，shichangduigaoyajiejuefangandexuqiuyezaibuduanpansheng。weilemanzugegexingyedexuqiu，bingjinyibuwanshanchixukuodadegaoyajishuchanpinzuhe（GaN和SiC）

，Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT係列

，首先便是600  V 器件。

係統電氣化和可再生能源的不斷發展是電子市場的最大變革之一。這一趨勢刺激了高能效型電子係統的強勁增長，比如電動車充電站、太陽能發電裝置以及最近的熱泵設備。與此同時，智能工廠和工業4.0對機器人的使用量也在持續加大，尤其是那些需要使用高功率伺服電機的重複型起重作業。因此，根據各種市場調研報告
，到2030年，IGBT市場預計幾乎將翻一番。

IGBT 不斷演變以滿足當下需求

首款IGBT產品發布距今已有40年
，相關技術已發生了巨大演變，這是毋庸置疑的事實。現在的IGBT所使用的不再是上世紀80年代時那種簡單 DMOS 結構，而是使用載流子存儲溝槽柵（CSTG）技術。Nexperia采用 CSTG以及先進的第三代場截止（FS）結(jie)構(gou)
，並(bing)在(zai)晶(jing)圓(yuan)背(bei)麵(mian)采(cai)用(yong)了(le)多(duo)層(ceng)金(jin)屬(shu)。除(chu)了(le)實(shi)現(xian)更(geng)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)和(he)更(geng)高(gao)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)外(wai)
，這(zhe)種(zhong)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)還(hai)能(neng)更(geng)好(hao)地(di)權(quan)衡(heng)兼(jian)顧(gu)器(qi)件(jian)的(de)導(dao)通(tong)性(xing)能(neng)和(he)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)。

成熟可靠的產品組合和合作夥伴

600 V係列涵蓋Nexperia的多款中速(M3)和高速(H3)IGBT
，采用TO-247-3L封裝，可供設計人員自由選擇。20 kHz以下的M3係列經過優化，進一步降低了導通損耗
，保持了出色的開關損耗性能

，並具備5 μs短路能力。H3係列（20kHz至50kHz）重點優化了開關損耗，同時其導通損耗非常低。Nexperia一直重點關注不斷優化器件導通性能和開關性能之間的權衡
，以提高器件可靠性（通過了高壓高濕高溫反偏HV-H3TRB測試），並在高達175 ℃的環境中提高逆變器功率密度。當然，作為基本半導體的專業供應商，Nexperia還擁有大批量交付高質量產品的基礎設施。

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