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Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 係列中的首款器件,該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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GA..係列:Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前,Vishay宣布推出采用業界標準 Int-A-Pak 封裝的新係列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該係列由八個 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術,可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率。
2008-03-14
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VLMW611../VLMW621..係列:Vishay新型功率SMD LED
日前,Vishay推出采用 InGan技術且具有低電阻及高光功率的兩個新係列暖白色 SMD LED。VLMW611..係列采用 CLCC-6 封裝,而 VLMW621..係列采用具有 0.9mm 業界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封裝。
2008-03-12
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PTS:Vishay新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器
日前,Vishay宣布推出具有三種標準芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 且采用先進薄膜技術的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s(空中)的較短反應時間以及 -55°C~+155ºC 的溫度範圍。
2008-03-07
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CRCW....-EL:Vishay新型高可靠性厚膜電阻
日前,Vishay宣布推出一款新型厚膜電阻,該電阻將超低的電阻值與麵向電流感應應用的小容差及低 TCR 進行了完美結合。
2008-03-07
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WSL0603…18:Vishay 0.20W Power Metal Strip電阻
日前,Vishay宣布推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業界首款 Power Metal Strip電阻。WSL0603…18 的功率是標準 WSL0603 型器件的兩倍,該產品是一種小型表麵貼裝電阻,主要麵向直流到直流轉換器、電源/鋰離子電池管理係統以及計算機與電信係統的 VRM 中的高功率、電流感應應用。
2008-02-27
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Z202:Vishay新型202小型超高精度Z箔電阻
日前,Vishay宣布推出小型超高精度 Z202係列 Z 箔電阻,當溫度範圍在 0°C 至 +60°C 時,該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的負載壽命穩定性,在 5 Ω 至 30 kΩ 的標準阻抗範圍內的任何容差下,可調整為任一特定值。
2008-02-08
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VEMI係列:Vishay 新型四通道、六通道及八通道EMI 濾波器
日前,Vishay宣布推出采用超緊湊型LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。憑借 0.6 毫米的超薄厚度,新型 VEMI 濾波器係列可在麵向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的便攜式電子設備中節省板麵空間,以及提供 ESD 保護。
2008-02-06
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PE60:Vishay首款具有金屬陶瓷元件的功率麵板電位計
日前,Vishay宣布推出業界首款具有金屬陶瓷元件的功率麵板電位計,溫度在 50°C 時其額定功率為 6 W。該PE60采用美國及歐盟套管螺紋和完全密封式封裝,主要麵向飛機駕駛艙、卡車與拖拉機、HVAC 係統、電焊機、加工設備、農場與采礦設備及防水設備等終端產品中的工業和航空控製麵板及重型控製應用。
2008-02-01
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Vishay推出高溫應用的第5 代高性能Schottky二極管係列
日前,Vishay宣布推出適用於高溫應用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代矽平台,以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。
2008-01-30
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TSOP3X3..係列:Vishay五款AGC3 紅外線接收器
為減少熒光燈 (CFL) 以及其它幹擾信號源對紅外線遙控係統的影響,Vishay日前宣布推出五款新型高靈敏度紅外線接收器係列。上述AGC3 接收器適用於噪聲環境和短脈衝碼應用。
2008-01-30
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WSMS5515:Vishay新型Power Metal Strip儀表並聯電阻
日前,Vishay宣布推出采用 5515 尺寸封裝的新型 Power Metal Strip 儀表並聯電阻,該器件具有 3W 功率以及低至 100µΩ 的超低電阻值。該WSMS5515儀表並聯電阻采用可產生 100µΩ~500µΩ 超低電阻值的專有工藝技術,該技術可在麵向工業及民用電子電表的電流表並聯應用中提供更高的精確度。
2008-01-23
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