產品特性：

• PowerPAK SO-8 封裝
• 4.5V 柵極電壓時有2.25 毫歐最大導通電阻
• 導通電阻與柵極電荷乘積為 98

應用範圍：

• 穩壓器模塊、服務器
• 使用負載點功率轉換的眾多係統

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 係列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。

新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封裝的 n 通道器件
，在 4.5V 柵極驅動電壓時具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優值 (FOM)
，該值為 98，是任何采用 SO-8 封裝的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新業界標準。與分別為實現低導通損失及低開關損(sun)失(shi)而(er)優(you)化(hua)的(de)最(zui)接(jie)近(jin)競(jing)爭(zheng)器(qi)件(jian)相(xiang)比(bi)，這(zhe)些(xie)代(dai)表(biao)了(le)市(shi)場(chang)上(shang)最(zui)佳(jia)的(de)現(xian)有(you)規(gui)格(ge)。更(geng)低(di)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)及(ji)更(geng)低(di)的(de)柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he)分(fen)別(bie)可(ke)轉(zhuan)變(bian)成(cheng)更(geng)低(di)的(de)傳(chuan)導(dao)損(sun)失(shi)及(ji)更(geng)低(di)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)失(shi)。

Vishay Siliconix Si7192DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及開關損失將使穩壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的眾多係統實現功效更高且更節省空間的設計。

目前
，Si7192DP 控製器的樣品和量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。