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英飛淩600V功率開關器件家族又添新丁

在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛淩科技600V逆導型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。

2011-06-01
2014年IGBT銷售額將增一倍

據IHS iSuppli公司的研究，由於工業與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。

2011-04-18
場效應管在音響電路中的合理應用

本文通過兩個容易被發燒友特別是初學者所忽略的要點來說明場效應管的合理應用。目前，應用於音響領域的場效應管包括結型管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOsFET)，而後者又分為LDMOS、VMOS及近年出現的UHC、IGBT等，並且至今仍在不斷發展與完善之中。

2011-04-08
PCIM-Asia優質廠商引領IGBT市場格局

PCIM-Asia優質廠商引領IGBT市場格局

2011-03-24
IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應用

在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設計的首選，隻有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT 的優點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。

2011-03-01
優化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應用

多年來的調查和分析顯示，IGBT比bi其qi他ta功gong率lv晶jing體ti管guan有you更geng多duo優you點dian，當dang中zhong包bao括kuo更geng高gao電dian流liu能neng力li，利li用yong電dian壓ya而er非fei電dian流liu來lai進jin行xing柵zha極ji控kong製zhi，以yi及ji能neng夠gou與yu一yi個ge超chao快kuai速su恢hui複fu二er極ji管guan協xie同tong封feng裝zhuang來lai加jia快kuai關guan斷duan速su度du。此ci外wai，工gong藝yi技ji術shu及ji器qi件jian結jie構gou的de精jing細xi改gai進jin也ye使shiIGBT的(de)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)得(de)到(dao)相(xiang)當(dang)的(de)改(gai)善(shan)。其(qi)他(ta)優(you)點(dian)還(hai)包(bao)括(kuo)更(geng)好(hao)的(de)通(tong)態(tai)性(xing)能(neng)，以(yi)及(ji)擁(yong)有(you)高(gao)度(du)耐(nai)用(yong)性(xing)和(he)寬(kuan)安(an)全(quan)工(gong)作(zuo)區(qu)。在(zai)考(kao)慮(lv)這(zhe)些(xie)質(zhi)量(liang)之(zhi)後(hou)，這(zhe)種(zhong)功(gong)率(lv)逆(ni)變(bian)器(qi)設(she)計(ji)就(jiu)會(hui)選(xuan)用(yong)高(gao)電(dian)壓(ya)IGBT，作為功率開關的必然之選。

2011-02-06
IGBT驅動與保護電路

多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的(de)柵(zha)極(ji)電(dian)壓(ya)控(kong)製(zhi)快(kuai)速(su)開(kai)關(guan)特(te)性(xing)，又(you)具(ju)有(you)雙(shuang)極(ji)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)大(da)電(dian)流(liu)處(chu)理(li)能(neng)力(li)和(he)低(di)飽(bao)和(he)壓(ya)降(jiang)的(de)特(te)點(dian)，近(jin)年(nian)來(lai)在(zai)各(ge)種(zhong)電(dian)能(neng)變(bian)換(huan)裝(zhuang)置(zhi)中(zhong)得(de)到(dao)了(le)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)。本(ben)文(wen)基(ji)於(yu)EXB841設計IGBT的驅動電路如圖2所示，包括外部負柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與驅動信號鎖存電路，故障信息報警電路。

2011-01-24
IGBT進口替代空間大電子元器件需求強勁

由於全球金融危機和半導體行業的周期性波動，全球半導體產品出貨量從 08年4季度到09年1季度經曆了大幅下滑，主要經濟體的半導體產品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經濟複蘇，半導體行業實現了強勁複蘇並步入景氣上升階段，到09年4季度半導體產品的出貨量基本恢複到08年的最高水平。

2010-12-31
變頻器中電路的EMC方案設計

整流電路在輸入側要接抗雷擊過電壓或操作過電壓吸收電路，這種吸收電路由星形連接的高頻、高壓電容器（如470p/2Kv）和壓敏電阻(如20k/1Kv)組成。逆變器部分在高頻開關狀態時，產生電壓尖脈衝，如果不加以處理將損壞IGBT模塊、幹擾驅動電路...

2010-12-23
中國自主研發的IGBT產品下線

上周，中國首批具有自主知識產權的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產品，在山西北車永濟新時速電機電器公司下線，成功打破了國外對該項技術的長期壟斷。

2010-12-22
並網發電光伏逆變器的設計

本文采用16位微處理器和高速IGBT功率模塊實現了中、小容量光伏電站的並網發電,miaoshuleguangfufadiandebingwangyunxingnibianqi，bujinjuyoujiaogaodexiaolvhejibianxiaodeshuchudianliuboxing，erqiezaidianwangduandiandeqingkuangxianengdanduyunxing，juyouyidingdetuiguangyingyongqianjing...

2010-12-22
IGBT的驅動和過流保護電路的研究

本文主要研究了IGBT的驅動和短路保護問題，就其工作原理進行分析，設計出具有過流保護功能的驅動電路，並進行了仿真研究。

2010-12-02

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