-
電子信息：拓墣產業預估10年IC收入1380億
拓墣產業預估10年國內IC收入1380億，增速25%~30%；Gartner下調10年全球IT開支增速預測至3.9%；5月元器件出口同比增49.06%；iPhone4上市三天銷售170萬部；
2010-07-27
-
全球智能手機第二季出貨同比增43%達6000萬部
市場調研公司Strategy Analytics日前發表最新研究報告稱，今年第二季度全球智能手機出貨量同比增長了43%，達6000萬部，運營商提高購機補貼、頂級廠商之間的競爭以及低成本智能手機的推廣普及推動了全球智能手機市場的快速發展
2010-07-27
-
2015年中國電子元器件銷售收入將達5萬億元
CMIC專家預計到2015年，我國電子元器件總產量將達到5萬億隻，銷售收入達到5萬億元，阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到50%，國內市場占有率達到70%。
2010-07-26
-
Energy Micro在其海量內存應用產品中新增了Giant Gecko微控製器
節能微控製器公司Energy Micro®日前公布了其EFM® 32 Giant Gecko微控製器產品線的細節。對於具有高內存要求的能源敏感應用，32位Giant Gecko （GG）將提供可達1024KB的閃存配置, 並可選擇增加嵌入式USB連接。
2010-07-23
-
預計2015年電子元器件銷售收入將達5萬億
CMIC專家預計到2015年，我國電子元器件總產量將達到5萬億隻，銷售收入達到5萬億元，阻容感片式化率達到90%。電子元器件國際市場占有率達到50%，國內市場占有率達到70%。
2010-07-23
-
Energy Micro新係列超低功耗Giant Gecko微控製器提供更大閃存
節能微控製器公司Energy Micro®日前公布了其EFM® 32 Giant Gecko微控製器產品線的細節。對於具有高內存要求的能源敏感應用，32位Giant Gecko （GG）將提供可達1024KB的閃存配置, 並可選擇增加嵌入式USB連接。
2010-07-22
-
IDT推出針對智能電表的全新計量 IC 係列
IDT® 公司宣布，推出其第一個針對智能電表的計量 IC 係列，進入智能電網行業。全新的 IDT 解決方案具有業界最寬的動態範圍以及極高的精度，有利於提高智能電表的性能。
2010-07-22
-
2010年全球半導體製造裝置市場規模將達325億美元
國際半導體製造裝置材料協會（SEMI）在“SEMICON West 2010”（2010年7月13～15日在美國舊金山舉行）上，發布了半導體製造裝置市場預測。2010年全球半導體製造裝置市場規模將達325億美元，台灣和韓國將占一半以上
2010-07-22
-
ANADIGICS麵向日益發展的3G移動設備市場推出新係列功率放大器
ANADIGICS, Inc.今日發布了新型HELP4TM WCDMA單頻功率放大器（PA）――AWT66xx係列，該係列放大器是為業界最通用的基於WCDMA（寬帶碼分多址）的3G移動設備設計的。
2010-07-21
-
物聯網產業鏈現投資新模式
7月13日，美國IC（集成電路）專業風投公司Tallwood和無錫新區正式簽約，合作成立5000萬美元的IC專業投資基金，其中Tallwood將出資85%，無錫新區將出資15%。該合資公司將會成為Tall－wood在華投資總部，主要投資設計、封裝、測試等IC相關項目，並計劃投資40%的資本在無錫本地，目標成為中國最成功的IC專業股權投資公司。
2010-07-21
-
2009年中國封測企業大排行
縱觀2009年的IC封(feng)測(ce)產(chan)業(ye)，從(cong)市(shi)場(chang)調(tiao)查(zha)數(shu)據(ju)顯(xian)示(shi)目(mu)前(qian)中(zhong)國(guo)封(feng)測(ce)市(shi)場(chang)還(hai)是(shi)以(yi)外(wai)資(zi)企(qi)業(ye)為(wei)主(zhu)，不(bu)過(guo)由(you)於(yu)市(shi)場(chang)和(he)成(cheng)本(ben)的(de)因(yin)素(su)，中(zhong)國(guo)的(de)封(feng)測(ce)企(qi)業(ye)發(fa)展(zhan)前(qian)景(jing)依(yi)然(ran)廣(guang)大(da)！
2010-07-21
-
Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行！氮矽科技發布集成驅動GaN芯片，助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%！力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電！聖邦微電子發布雙輸出電源芯片，簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端：金升陽推出1200W可編程電源，賦能高端裝備製造
- 邊緣AI的發展為更智能、更可持續的技術鋪平道路
- 每台智能體PC，都是AI時代的新入口
- IAR作為Qt Group獨立BU攜兩項重磅汽車電子應用開發方案首秀北京車展
- 構建具有網絡彈性的嵌入式係統：來自行業領袖的洞見
- 數字化的線性穩壓器
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
