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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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意法半導體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發了一套先進的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關鍵的汽車係統開發，提高軟件定義汽車的安全性和經濟性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節、電流管理等核心領域。隨著技術節點的演進，功率器件麵臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方麵帶來了新的挑戰。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
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貿澤電子推出在線汽車資源中心助力工程師實現創新設計
貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出內容豐富的汽車資源中心，為工程師提供設計創新應用所需的工具。汽車行業正在經曆一場由技術進步推動的快速轉型，SAE 3級ADAS是其中的一項重要技術。實現這一級別的車輛在未請求駕駛人接管的情況下，可通過升級的激光雷達 (LiDAR)、雷達和攝像頭等傳感器實現完全自主駕駛。這種自主性不僅將重塑我們對交通的認知，更有望提升安全功能、減少交通擁堵，以及增強殘障人士出行的便利性。
2025-02-11
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意法半導體監事會擬在2025 年度股東大會提名新監事人選
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，監事會已同意在公司 2025 年度股東大會上提議股東批準Werner Lieberherr接任2025 年度股東大會結束時任期屆滿的Janet Davidson，擔任意法半導體監事一職。
2025-02-08
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貿澤電子2024年新增逾60家供應商持續為客戶擴大產品代理陣容
專注於引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 於2024年新增超過60jiagongyingshang，chanpindailizhenrongchixukuoda，weiguangdadianzishejigongchengshiyucaigourenyuantigonglegengjiaduoyuanhuadexuanze。maozeweikehutigonggeleixianjinchanpin，rangshejirenyuanqingsonghuodegexiangxinjishu，xiezhuqijiakuaichanpinshangshisudu。
2025-02-08
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意法半導體公布2024年第四季度及全年財報
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國通用會計準則 (U.S. GAAP) 編製的截至2024年12月31日的第四季度財報。此外，本新聞稿還包含非美國通用會計準則的財務數據 (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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MD&M West展會：Micro Crystal攜創新定時元件，共繪醫療科技新藍圖
在醫療科技日新月異的今天，每一次創新都可能引領行業的未來。2025 年 2 月 4 日至 6 日，美國加州阿納海姆將迎來第 40 屆 MD&M West 醫療展會，這場彙聚全球醫療技術精英的盛會，正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技術實力與行業承諾的舞台。
2025-02-06
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解鎖AI設計潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設計
在zai當dang今jin科ke技ji飛fei速su發fa展zhan的de時shi代dai，半ban導dao體ti行xing業ye作zuo為wei眾zhong多duo前qian沿yan技ji術shu的de基ji石shi，正zheng麵mian臨lin著zhe前qian所suo未wei有you的de機ji遇yu與yu挑tiao戰zhan。隨sui著zhe電dian子zi係xi統tong越yue來lai越yue複fu雜za，芯xin片pian電dian路lu設she計ji也ye變bian得de更geng為wei複fu雜za，這zhe導dao致zhi了le更geng長chang的de設she計ji周zhou期qi、更高的開發成本以及更大的錯誤風險。
2025-02-01
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貿澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過10,000個新物料
致力於快速引入新產品與新技術的業界知名代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務是提供來自1,200多(duo)家(jia)知(zhi)名(ming)廠(chang)商(shang)的(de)新(xin)產(chan)品(pin)與(yu)技(ji)術(shu)，幫(bang)助(zhu)客(ke)戶(hu)設(she)計(ji)出(chu)先(xian)進(jin)產(chan)品(pin)，並(bing)加(jia)快(kuai)產(chan)品(pin)上(shang)市(shi)速(su)度(du)。貿(mao)澤(ze)旨(zhi)在(zai)為(wei)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)全(quan)麵(mian)認(ren)證(zheng)的(de)原(yuan)廠(chang)產(chan)品(pin)，並(bing)提(ti)供(gong)全(quan)方(fang)位(wei)的(de)製(zhi)造(zao)商(shang)可(ke)追(zhui)溯(su)性(xing)。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈衝測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基於實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是shi現xian代dai電dian子zi技ji術shu中zhong不bu可ke或huo缺que的de元yuan器qi件jian之zhi一yi，在zai開kai關guan電dian源yuan設she計ji中zhong扮ban演yan著zhe至zhi關guan重zhong要yao的de角jiao色se。開kai關guan電dian源yuan作zuo為wei現xian代dai電dian力li轉zhuan換huan和he管guan理li的de核he心xin組zu件jian，其qi性xing能neng與yu效xiao率lv在zai很hen大da程cheng度du上shang依yi賴lai於yuMOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管在開關電源中的具體作用，並剖析其關鍵性能參數對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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