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一文看懂IGBT相關知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。本文將為大家詳細介紹IGBT相關知識。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅動器？
在功率電子(例如驅動技術)中，IGBTjingchangyongzuogaodianyahegaodianliukaiguan。zhexiegonglvjingtiguanyoudianyakongzhi，qizhuyaosunhaochanshengyukaiguanqijian。weilezuidachengdujianxiaokaiguansunhao，yaoqiujubeijiaoduandekaiguanshijian。
2019-06-26
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態測量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方麵的優點。
2019-05-16
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識別MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由於外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。以下為大家介紹識別MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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開關電源該如何配置合適的電感？
開關電源（SMPS）是一種非常高效的電源變換器，其理論值更是接近100%，種類繁多。按拓撲結構分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按開關控製方式分，有PWM、PFM；按開關管類別分，有BJT、FET、IGBT等。本次討論以數據卡電源管理常用的PWM控製Buck、Boost型為主。 那接下來就讓我們一起學習下開關電源該如何配置合適的電感吧~
2019-03-14
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應用於線性區功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開控製方法
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控製方法，不僅適用於負載開關，還廣泛用於電機控製功率MOSFET或IGBT驅動電路。
2018-12-29
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解析三菱電機6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內部結構和電氣特性，相對於傳統的Si IGBT模塊、傳統全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態特性、動態特性和損耗方麵優勢明顯。
2018-09-14
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負電壓電源設計的種類
各位工程師在設計電路時，可能會遇到需要負電壓供電的係統，例如使用負電壓為IGBT提供關斷負電壓、運放係統中用正負對稱的偏置電壓供電。那麼該如何產生一個穩定可靠的負電壓呢？本文將為你介紹不同的解決方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二極管提供過壓保護？
當IGBT在zai高gao性xing能neng應ying用yong中zhong高gao速su接jie通tong和he斷duan開kai時shi，總zong會hui發fa生sheng過guo壓ya。例li如ru，當dang關guan閉bi負fu載zai電dian流liu電dian路lu時shi，集ji電dian極ji發fa射she極ji電dian壓ya突tu然ran上shang升sheng，達da到dao非fei常chang高gao的de峰feng值zhi。由you開kai關guan引yin起qi的de過guo電dian壓ya會hui嚴yan重zhong損sun壞huai甚shen至zhi破po壞huai開kai關guan晶jing體ti管guan。
2018-08-01
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【揭秘】隔離式柵極驅動器
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控製型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它係統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控製端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對於IGBT，它們被稱為集電極和發射極。
2018-07-24
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堪稱工業中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。
2018-07-18
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詳解MOSFET與IGBT的本質區別
本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，並對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢複特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢複性能對於硬開關拓撲的影響。
2018-07-13
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