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什麼是半導體器件
半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是矽、鍺或砷化镓，可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件
2012-10-25
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接收機高頻頭微波振蕩器的穩頻的三種方法
在衛星電視接收機的高頻頭中，本機振蕩器的工作頻率很高，處在微波頻段。根據下變頻的要求，本機振蕩頻率與輸入信號頻率相差一個中頻，第一中頻的頻率範圍為950MHZ~1450MHZ，對於C波段，通常采用高本振頻率方案，輸入信號的頻率範圍為3.70GHZ~4.20GHZ，本振頻率為5.15GHZ；對於KU波段，通常采用低本振方案，輸入信號的頻率範圍為11.70GHZ~12.20GHZ，本振頻率為 1.075GHZ。
2012-10-23
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掃頻信號源
所謂掃頻信號源就是其輸出的正弦波信號的頻率隨時間在一定範圍內反複掃描，在電子技術中利用壓控振蕩器可以實現。
2012-10-23
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定製頻率高達250MHz的XpressO 振蕩器
Fox最新XpressO振蕩器具有最高250MHz定製頻率，可在一至兩天內提供XpressO-TC振蕩器的樣品，並且能夠在十個工作日內迅速出貨。新器件特別適合需要高精度和極低抖動的應用，包括醫療監視和測量、電信和網絡以及軍用通信。
2012-10-22
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經典的非穩態振蕩器：隻用一節電池就能點亮LED
用一節 1.5V 電池點亮 LED 存在著一個問題，因為 LED 的正向電壓高於電池的電壓。最簡單的辦法是采用一種步進升壓 DC/DC 轉換器。本設計實例為低成本應用提供了一種簡單而可靠的替代方法。
2012-10-22
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全球電壓控製晶體振蕩器的價格走勢預測
據IHS iSuppli公司的元件價格走勢追蹤報告，糟糕的經濟形勢正在促使多種電子元件的價格大幅下挫，這種不如人意的價格走勢在振蕩器身上得到充分體現，為買家帶來了近期買進的機會。
2012-08-27
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壓控晶體振蕩器選型中的幾個問題
壓控晶體振蕩器（VCXO）是通過紅外加控製電壓使振蕩效率可變或是可以調製的石英晶體振蕩器。VCXO主要由石英諧振器、變容二極管和振蕩電路組成，其工作原理是通過控製電壓來改變變容二極管的電容，從而“牽引”石英諧振器的頻率，以達到頻率調製的目的。VCXO大多用於鎖相技術、頻率負反饋調製的目的。VCXO大多用於鎖相技術、頻率負反饋係統及頻率調製，已是通信機、移動電話、尋呼機、全球定位係統（GPS）等眾多電子應用係統必不可少的關鍵部件。
2012-08-20
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壓控振蕩器原理
壓控振蕩器振蕩器 的供應商全稱電壓控製振蕩器，通常由VCO(Voltage Controlled Oscillator)表biao示shi。是shi一yi種zhong將jiang電dian平ping變bian換huan為wei相xiang應ying頻pin率lv的de脈mai衝chong變bian換huan電dian路lu，或huo者zhe說shuo是shi輸shu出chu脈mai衝chong頻pin率lv與yu輸shu入ru信xin號hao電dian平ping成cheng比bi例li的de電dian路lu。它ta被bei廣guang泛fan地di應ying用yong在zai自zi動dong控kong製zhi，自zi動dong測ce量liang與yu檢jian測ce等deng技ji術shu領ling域yu。
2012-07-04
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單穩態多諧振蕩器
單穩態多諧振蕩器
2012-06-20
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以10倍可靠性取代石英 SiTime MEMS振蕩器為賽靈思7係評估套件提供參考時鍾
先進的模擬設計正在取代石英並推動電子行業轉向基於MEMS的時鍾，SiTime的可編程MEMS振蕩器提供了獨特的功能和可靠性，比傳統的石英時鍾產品高10倍以上，其具有的可編程、豐富的功能集，被挑選為賽靈思7係列評估套件提供參考時鍾。
2012-05-23
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IDT新型4M係列振蕩器可替代傳統六管腳晶體振蕩器
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費、雲和工業應用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低於1皮秒的相位抖動運行，使其成為傳統六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。
2012-05-18
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Fox緊湊型溫度晶體振蕩器實現低於1pS RMS的抖動
全球領先的頻率控製解決方案供應商Fox Electronics公司現已擴展其XpressO 可配置晶體振蕩器產品線，提供擴展了溫度範圍的3.3 V HCMOS振蕩器型款。新振蕩器是FXO-HC33係列的一部分，采用緊湊的3.2 mm x 2.5 mm封裝，能夠耐受-40°C至+85°C溫度，同時提供低至±50 ppm的高穩定度。
2012-04-17
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