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IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
IGBT7作為英飛淩最新一代IGBT技術平台,它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平台伺服驅動中的測試,得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明,在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中,IGBT7的結溫均低於IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
功率器件作為半導體產業的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如,傳統的矽基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展,占據了絕對領先的市場份額。不過,隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起,擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業界的持續關注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機設計:新起點
無刷直流電機(BLDC)設計很複雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩,EMIhuozhedianyaguochongdengwenti。yincizaidianlushejideshihouxuyaotebieliuyi。benwengeichuledianluzasandiangandeceliangfangfayijimokuaishujushoucezhongzasandiangandedingyifangfa。
2021-10-14
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什麼情況下應該從矽片轉換到寬帶隙技術?
自從寬帶隙 (WBG) 器qi件jian誕dan生sheng以yi來lai,為wei功gong率lv變bian換huan應ying用yong帶dai來lai了le一yi股gu令ling人ren激ji動dong的de浪lang潮chao。但dan是shi,在zai什shen麼me情qing況kuang下xia從cong矽gui片pian轉zhuan換huan到dao寬kuan帶dai隙xi技ji術shu才cai有you意yi義yi呢ne?迄qi今jin為wei止zhi,屏ping蔽bi柵zha極ji MOSFET、超級結器件和 IGBT等基於矽的功率器件已經很好地在業界得到大規模應用。這些器件在品質因數 (FoM) 方麵不斷改進,加上在拓撲架構和開關機理等方麵的進步,使工程師能夠實現更高的係統效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛淩最近推出了係列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了係統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數解析之開關特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合,但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態特性,控製特性,保護以及損耗與熱特性。內容摘自英飛淩英文版應用指南AN2012-01《雙極性半導體技術信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機,多半是這個原因!
MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過壓或過流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛淩官網在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
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IGBT模塊及散熱係統的等效熱模型
功gong率lv器qi件jian作zuo為wei電dian力li電dian子zi裝zhuang置zhi的de核he心xin器qi件jian,在zai設she計ji及ji使shi用yong過guo程cheng中zhong如ru何he保bao證zheng其qi可ke靠kao運yun行xing,一yi直zhi都dou是shi研yan發fa工gong程cheng師shi最zui為wei關guan心xin的de問wen題ti。功gong率lv器qi件jian除chu了le要yao考kao核he其qi電dian氣qi特te性xing運yun行xing在zai安an全quan工gong作zuo區qu以yi內nei,還hai要yao對dui器qi件jian及ji係xi統tong的de熱re特te性xing進jin行xing精jing確que設she計ji,才cai能neng既ji保bao證zheng器qi件jian長chang期qi可ke靠kao運yun行xing,又you充chong分fen挖wa掘jue器qi件jian的de潛qian力li。
2021-08-23
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利用SiC FET降低電磁幹擾和開關損耗
器件緩衝似乎是處理開關過衝、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案,而這對於諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是,寬禁帶器件,尤其是SiC FET,可以將該技術用為柵極電阻調諧的優良替代方案,以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合,但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解,為此我們組織了6篇連載,包括正向特性,動態特性,控製特性,保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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