采用TI最新的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下
，從0V升到480V，並具有小於50V的過衝。 

 

圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形（a）；設備封裝（b）
；半橋板圖（c）。

 

GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時
，功率環電感在高壓總線和開關節點處引入振鈴/過衝。這限製了GaN FET的快速切換功能。

 

由(you)於(yu)引(yin)線(xian)長(chang)且(qie)封(feng)裝(zhuang)為(wei)大(da)尺(chi)寸(cun)，傳(chuan)統(tong)的(de)功(gong)率(lv)封(feng)裝(zhuang)通(tong)常(chang)具(ju)有(you)來(lai)自(zi)引(yin)線(xian)和(he)接(jie)合(he)線(xian)的(de)高(gao)電(dian)感(gan)。在(zai)含(han)鉛(qian)封(feng)裝(zhuang)中(zhong)已(yi)觀(guan)察(cha)到(dao)高(gao)達(da)幾(ji)百(bai)伏(fu)的(de)過(guo)衝(chong)。減(jian)少(shao)過(guo)衝(chong)的(de)關(guan)鍵(jian)是(shi)最(zui)小(xiao)化(hua)功(gong)率(lv)環(huan)電(dian)感(gan)。

 

為了降低引線電感，TI以表麵貼裝四方扁平無引線（QFN）封裝提供單通道GaN功率級產品。如圖1b所示，TI設計功率回路和柵極回路，使得QFN內部具有低電感。如圖1c所示，TI的GaN半橋評估模塊（EVM）jianggaocehediceshebeihezongxiandianrongqijinkaoyiqi
，binglijizaishebeizhengxiafangdebancengfanhuidianyuanhuilu。zheshidegonglvhuiludechicunzuixiaohua，congerbaochidihuiludiangan。

 

TI的先進封裝和電路板設計將功率環電感降至幾納亨。這種低電感設計與優化的驅動器集成，使得LMG3410能夠在轉換速率> 100V / ns及過衝小於10％的條件下進行切換。您可使用LMG3410設計電源轉換器
，進行快速切換，以提高效率

，具有低壓過衝，並可減少電磁幹擾（EMI）。

 

TI的LMG3410 GaN功gong率lv級ji使shi得de電dian源yuan設she計ji人ren員yuan能neng夠gou開kai發fa更geng高gao密mi度du和he更geng高gao效xiao率lv的de電dian源yuan。與yu具ju有you過guo流liu和he過guo溫wen保bao護hu的de集ji成cheng驅qu動dong器qi相xiang結jie合he
，此ci設she備bei在zai高gao轉zhuan換huan速su率lv下xia能neng夠gou執zhi行xing可ke靠kao切qie換huan
，可ke簡jian化hua您nin開kai發fa業ye界jie領ling先xian的de電dian源yuan解jie決jue方fang案an的de工gong作zuo。

 

 

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