今年展出的功率器件應用範圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸
、電動汽車、工業和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

 

 

在變頻家電應用方麵，三菱電機這次在去年推介的SLIMDIP模塊的基礎上，開展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產品，SLIMDIP-L用於變頻洗衣機和變頻空調，而SLIMDIP-S用於變頻冰箱和變頻風機控製。

 

兩款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，實現更高的集成度；封裝麵積比超小型DIPIPMTM縮小達30%；內置自舉二極管和限流電阻；最大運行殼溫提升至115℃

；並集成短路保護和欠壓保護

，同時提供溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本供選擇。

 

SLIMDIP模塊

 

 

在PCIM 亞洲展2016上
，三菱電機為軌道牽引和電力傳輸，以及電動汽車領域，帶來三款功率模塊，分別為X係列的單管及雙管HVIGBT模塊，適合牽引變流器及直流輸電應用；而J1係列汽車用IGBT模塊則適用於電動汽車驅動器，及高可靠性逆變器。

 

首次亮相展會的X係列雙管HVIGBT模塊，采用CSTBTTM 結構的第7代IGBT和RFC二極管
，降低功率損耗

；運用可降低內部電感的封裝技術，優化產品性能
；使用兩種封裝(LV100/HV100)，實現兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)
，但兩者具有相同的外形尺寸。LV100封裝包括900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封裝包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV

；可提高係統結構設計的靈活性
，方便實現逆變器擴容。

 

 

至於X係列單管HVIGBT模塊，采用第7代IGBT和RFC Diode矽片技術，實現更低飽和壓降和開關損耗
；使用LNFLR技術實現低熱阻

； 允許最高運行結溫150℃；安全工作區(SOA)裕度大，續流恢複能力強
； 封裝兼容傳統的H係列HVIGBT；標準產品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；此外，還有業界規格最大，針對電力傳輸應用而開發的6500V/1000A單管HVIGBT。

 

X係列單管HVIGBT模塊

 

J1係列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅動器
，及高可靠性逆變器設計，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。它使用第7代IGBT矽片技術
，損耗更低；高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術；及基於矽片的溫度和電流檢測技術。J1係列提供A

、B兩種封裝。A型封裝(小封裝)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V；B型封裝(大封裝)有1000A/650V和600A/1200V

，這兩種封裝可以滿足從小型電動汽車到大型電動公交車的應用要求。
 

針對J1係列新型汽車模塊，三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持，以方便客戶快速應用該模塊實現汽車用逆變器的設計。

 

 

 

針對工業應用市場，三菱電機將展出第7代IGBT模塊、整流逆變製動一體化智能功率模塊DIPIPM+,G1係列智能功率模塊(IPM)。
 

第7代IGBT模塊，可以應用在通用變頻器、伺服驅動器及不間斷電源。它采用了第7代IGBT矽片和二極管矽片，降低損耗；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；涵蓋模塊電流75A至2500A；兼容現有市場主流產品封裝
；提高產品熱循環壽命和功率循環壽命；采用預塗熱界麵材料(PC-TIM)
，與傳統矽脂相比
，模塊與散熱器的接觸熱阻降低70%；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控製端子可供選擇。 

 

 

整流逆變製動一體化模塊DIPIPM+，適合通用變頻器

、伺服驅動器和商用空調壓縮機驅動。它完整地集成整流橋、逆變橋、製動單元以及相應的驅動保護電路， 采用第7代CSTBTTM矽片；內置短路保護
、欠壓保護功能以及溫度模擬量輸出功能；另內置自舉二極管及自舉限流電阻； 提供額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器，可以最大程度地簡化PCB布線設計，縮小基板麵積，是小功率變頻器低成本化的最佳解決方案。

 

整流逆變製動一體化模塊DIPIPM+

 

G1係列IPM，針對高端變頻器、伺服電機驅動器的應用而設計。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片，實現更低損耗；使用更適合伺服驅動器的窄長形封裝；控製端子與現行L1 係列兼容
，適用同樣的接口電路；針對不同的保護動作
，輸出不同的故障識別信號；額定電流覆蓋25A~200A/1200V。

 

 

新能源發電市場

 

為滿足新能源發電特別是光伏發電的市場需求
，三菱電機向客戶大力推介第7代IGBT模塊及大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。

 

針對大功率光伏逆變器及大功率不間斷電源
，三菱電機推出大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它采用第6代和第7代IGBT矽片
，實現低損耗；可以根據不同需要組建I型或者T型3電平拓撲；具備低雜散電感(1單元模塊8nH
，兩單元模塊12nH)；高絕緣耐壓達4000Vrms/1分鍾
；最大結溫可達175℃；最大電流等級達到1400A/1200V和1000A/1700V。

 

大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊

 

三菱電機大中國區半導體總經理四個所大亮先生稱：“三菱電機既如過往
，一直秉持可持續發展信念，不斷研發高性能、高可靠性及低損耗的前沿功率器件
，來滿足電力電子市場持續不斷的需要。”