我們一起扒一扒:電源模塊熱設計
發布時間:2015-10-30 責任編輯:echolady
【導讀】電源模塊的(de)表(biao)麵(mian)發(fa)熱(re)並(bing)非(fei)模(mo)塊(kuai)壞(huai)了(le)的(de)緣(yuan)故(gu),知(zhi)識(shi)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)正(zheng)在(zai)工(gong)作(zuo)的(de)正(zheng)常(chang)現(xian)象(xiang)。微(wei)微(wei)發(fa)熱(re)不(bu)會(hui)造(zao)成(cheng)影(ying)響(xiang),但(dan)是(shi)高(gao)溫(wen)則(ze)會(hui)危(wei)害(hai)到(dao)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。所(suo)以(yi)設(she)計(ji)好(hao)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)的(de)熱(re)設(she)計(ji)才(cai)能(neng)保(bao)證(zheng)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)可(ke)靠(kao)運(yun)行(xing),減(jian)小(xiao)電(dian)源(yuan)表(biao)麵(mian)和(he)內(nei)部(bu)器(qi)件(jian)的(de)溫(wen)升(sheng)是(shi)首(shou)要(yao)任(ren)務(wu),本(ben)文(wen)就(jiu)來(lai)分(fen)析(xi)電(dian)源(yuan)模(mo)塊(kuai)的(de)熱(re)設(she)計(ji)。
高gao溫wen對dui功gong率lv密mi度du高gao的de電dian源yuan模mo塊kuai的de可ke靠kao性xing影ying響xiang極ji其qi大da。高gao溫wen會hui導dao致zhi電dian解jie電dian容rong的de壽shou命ming降jiang低di,變bian壓ya器qi漆qi包bao線xian的de絕jue緣yuan特te性xing降jiang低di,晶jing體ti管guan損sun壞huai,材cai料liao熱re老lao化hua,焊han點dian脫tuo落luo等deng現xian象xiang。有you統tong計ji資zi料liao表biao明ming,電dian子zi元yuan件jian溫wen度du每mei升sheng高gao2℃,可靠性下降10%。
對於電源模塊的熱設計,它包括兩個層麵:降低損耗和改善散熱條件。
一、元器件的損耗
損(sun)耗(hao)是(shi)產(chan)生(sheng)熱(re)量(liang)的(de)直(zhi)接(jie)原(yuan)因(yin),降(jiang)低(di)損(sun)耗(hao)是(shi)降(jiang)低(di)發(fa)熱(re)的(de)根(gen)本(ben)。市(shi)麵(mian)上(shang)有(you)些(xie)廠(chang)家(jia)把(ba)發(fa)熱(re)元(yuan)件(jian)包(bao)在(zai)模(mo)塊(kuai)內(nei)部(bu),使(shi)得(de)熱(re)量(liang)散(san)不(bu)出(chu)去(qu),這(zhe)種(zhong)方(fang)法(fa)有(you)點(dian)自(zi)欺(qi)欺(qi)人(ren)。降(jiang)低(di)內(nei)部(bu)發(fa)熱(re)元(yuan)件(jian)的(de)損(sun)耗(hao)和(he)溫(wen)升(sheng)才(cai)是(shi)硬(ying)道(dao)理(li)。
電源模塊熱設計的關鍵器件一般有:MOS管、二極管、變壓器、功率電感、限流電阻等。其損耗如下:
1、MOS管的損耗:導通損耗、開關損耗(開通損耗和關斷損耗);
2、整流二極管的損耗:正向導通損耗;
3、變壓器、功率電感:鐵損和銅損;
4、無源器件(電阻、電容等):歐姆熱損耗。
二、熱設計
在設計的初期,方案選擇、元器件選擇、PCB設計等方麵都要考慮到熱設計。
1、方案的選擇
方案會直接影響到整體損耗和整體溫升的程度。
2、元器件的選擇
元器件的選擇不僅需要考慮電應力,還要考慮熱應力,並留有一定降額餘量。降額等級可以參考《國家軍用標準——元器件降額準則GJB/Z35-93》,該標準對各類元器件的各等級降額餘量作了規定。設計一個穩定可靠的電源,實在不能任性,必須好好照著各元件的性子,設計、降額、驗證。圖1為一些元件降額曲線,隨著表麵溫度增加,其額定功率會有所降低。

圖1降額曲線
元器件的封裝對器件的溫升有很大的影響。如由於工藝的差異,DFN封裝的MOS管比DPAK(TO252)封裝的MOS管(guan)更(geng)容(rong)易(yi)散(san)熱(re)。前(qian)者(zhe)在(zai)同(tong)樣(yang)的(de)損(sun)耗(hao)條(tiao)件(jian)下(xia),溫(wen)升(sheng)會(hui)比(bi)較(jiao)小(xiao)。一(yi)般(ban)封(feng)裝(zhuang)越(yue)大(da)的(de)電(dian)阻(zu),其(qi)額(e)定(ding)功(gong)率(lv)也(ye)會(hui)越(yue)大(da),在(zai)同(tong)樣(yang)的(de)損(sun)耗(hao)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia),表(biao)麵(mian)溫(wen)升(sheng)會(hui)比(bi)較(jiao)小(xiao)。
設計中,要評估的電阻一般有MOS管的限流檢測電阻、MOS管的驅動電阻等。限流電阻一般使用1206或更大的封裝,多個並聯使用。驅動電阻的損耗也需要考慮,否則可能導致溫升過高。
youshi,dianlucanshuhexingnengkansizhengchang,danshijishangyinzanghendadewenti。moudianlujibenxingnengmeiyouwenti,danzaichangwenxia,yonghongwairechengxiangyiyice,budelele,MOS管的驅動電阻表麵溫度居然達到95.2℃。長期工作或高溫環境下,極易出現電阻燒壞、模mo塊kuai損sun壞huai的de問wen題ti。可ke見jian,研yan發fa過guo程cheng中zhong使shi用yong熱re成cheng像xiang儀yi測ce試shi元yuan器qi件jian的de溫wen度du尤you其qi重zhong要yao,可ke及ji時shi發fa現xian並bing定ding位wei問wen題ti點dian。通tong過guo調tiao整zheng電dian路lu參can數shu,降jiang低di電dian阻zu的de歐ou姆mu熱re損sun耗hao,且qie將jiang電dian阻zu封feng裝zhuang由you0603改成0805,大大降低了表麵溫度。

PCB的銅皮麵積、銅皮厚度、板材材質、PCB層數都影響到模塊的散熱。常用的板材FR4(環氧樹脂)是很好的導熱材料,PCB上元器件的熱量可以通過PCB散熱。特殊應用情況下,也有采用鋁基板或陶瓷基板等熱阻更小的板材。
PCB的布局布線也要考慮到模塊的散熱:
(1)發熱量大的元件要避免紮堆布局,不要哪裏“熱”鬧,就往哪裏湊,盡量保持板麵熱量均勻分布;
(2)熱敏感的元件尤其應該“哪邊涼快哪邊去”;
(3)必要時采用多層PCB;
(4)功率元件背麵敷銅平麵散熱,並用“熱孔”將熱量從PCB的一麵傳到另一麵。熱孔的孔徑應很小,大約0.3mm左右,熱孔的間距一般為1mm~1.2mm。功率元件背麵敷銅平麵加熱孔的方法,可以起到很好的散熱效果,降低功率元件的表麵溫升。沒有采用此方法時,MOS管表麵溫度和背麵PCB的溫度;下麵兩圖為采用“背麵敷銅平麵加熱孔”方法後,MOS管表麵溫度和背麵銅平麵的溫度。可以看出:
a)MOS管表麵溫度由98.0℃降低了22.5℃;
b)MOS管與背麵的銅平麵的溫差大大減小,熱孔的傳熱性能良好。

1、對dui於yu寬kuan壓ya輸shu入ru的de電dian源yuan模mo塊kuai,高gao壓ya輸shu入ru和he低di壓ya輸shu入ru的de發fa熱re點dian和he熱re量liang分fen布bu完wan全quan不bu同tong,需xu全quan麵mian評ping估gu。短duan路lu保bao護hu時shi的de發fa熱re點dian和he熱re量liang分fen布bu也ye要yao評ping估gu。
2、在zai灌guan封feng類lei電dian源yuan模mo塊kuai中zhong,灌guan封feng膠jiao是shi一yi種zhong良liang好hao的de導dao熱re的de材cai料liao。模mo塊kuai內nei部bu元yuan件jian的de表biao麵mian溫wen升sheng會hui進jin一yi步bu降jiang低di。即ji便bian如ru此ci,我wo們men仍reng要yao測ce試shi高gao溫wen環huan境jing下xia內nei部bu元yuan件jian的de表biao麵mian溫wen升sheng,來lai確que保bao模mo塊kuai的de可ke靠kao性xing。
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