我們知道繼電器要成功開啟，特別是高溫下是需要一定的電流的，由於高溫的影響，電阻增大，使得需要的啟動電壓也上升了。

 

因此一般可以得到溫度和電壓的圖
，如圖所示：

達林頓管的飽和電壓要比普通的三極管高一些.

因此RELAY供應商往往不推薦使用這樣的設計，如圖所示：

我不覺得上麵這個設計比前麵一個設計好多少，不過如果這樣設計的話
，問題可以解決一部分。

 

驅動電路的保護問題。

 

感性負載固有關斷有瞬態電壓的問題，這個屢次經過計算。

 

加二極管續流的問題是以繼電器本身的壽命為代價的
，這並不合算。如果不加續流二極管
，則需要考慮這部分能量怎麼瀉放的問題。

後三種方案可選擇，不過穩壓管最便宜，但是速度較慢。

 

三極管為什麼會壞？

 

三極管的軟擊穿。

 

對於集電極電壓超過V(BR)CEO而引起的擊穿，隻要外電路限製擊穿後的電流
，管子就不會損壞，待集電極電壓減小到小於V(BR)CEO後

，管子也就恢複到正常工作
，因此這種擊穿是可逆的，不是破壞性的。

 

三極管的二次擊穿。

 

如(ru)果(guo)上(shang)述(shu)擊(ji)穿(chuan)後(hou)，電(dian)流(liu)不(bu)加(jia)限(xian)製(zhi)
，就(jiu)會(hui)出(chu)現(xian)集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)壓(ya)迅(xun)速(su)減(jian)小(xiao)
，集(ji)電(dian)極(ji)電(dian)流(liu)迅(xun)速(su)增(zeng)大(da)的(de)現(xian)象(xiang)
，通(tong)常(chang)將(jiang)這(zhe)種(zhong)現(xian)象(xiang)稱(cheng)為(wei)二(er)次(ci)擊(ji)穿(chuan)。發(fa)生(sheng)二(er)次(ci)擊(ji)穿(chuan)的(de)過(guo)程(cheng)是(shi)：結麵某些薄 弱ruo點dian上shang電dian流liu密mi度du增zeng大da
，引yin起qi這zhe些xie局ju部bu點dian的de溫wen度du升sheng高gao，從cong而er使shi局ju部bu點dian上shang電dian流liu密mi度du更geng大da，溫wen度du更geng高gao
，如ru此ci反fan複fu作zuo用yong，最zui後hou導dao致zhi過guo熱re點dian的de晶jing體ti熔rong化hua，相xiang應ying在zai集ji射she極ji間jian形xing成cheng低di 阻通道，導致vCE下降，iC劇增，結果是功率管尚未發燙就已損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。可見
，二次擊穿是在高壓低電流時發生的

，相應的 功率稱為二次擊穿耐量。

 

最後一個問題是反接保護的問題。

 

這是一個討厭的問題，二極管的問題是壓降

，如果使用PMOS或者NMOS呢，COIL的反電壓容易對PMOS產生影響
，因此請大家慎重選擇反接保護電路。