美國加州聖何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 係列
，該係列提供廣泛的可選封裝並擁有業內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新係列幫助設計師提高高性能解決方案（需要 600V/650V 以上的擊穿電壓）的效率
、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。

 

 

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 係列由 Rdson 範圍為 4.3 歐姆至業內最低 60 毫歐的26個器件（均以各種標準封裝提供）組成，為設計師在針對特定應用采用最佳器件中提供更多選擇和靈活性。例如，FCD850N80Z 是該係列的主要成員，將 DPAK 中異常低的850 毫歐 Rdson（最大值）與比主要競爭產品低 6~11% 的Rdson （最大值）和低8~13% 的Coss (@400V)相結合
，使其成為需要低導通電阻和尺寸受限的 LED 照明應用的理想之選。該係列的關鍵應用包括 LED 照明、LED 電視和家庭影院音響設備的電源
、電源適配器、服務器、工業電源
、輔助電源及微型太陽能逆變器。

 

 “借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 係列，製造商可提高產品的效率和可靠性。由於優越的開關性能和低導通電阻，此係列的效率明顯優於最接近的競爭產品
，”Fairchild 的首席技術市場工程師 Wonhwa Lee 說。“新係列采用最新的超級結技術

，實現小形狀因數及更勝以往的高效率，其耐用的內置二極管在高 dv/dt 條件下可提高工業橋式電路的可靠性。” 

 

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成員包括：

 

                                (*： 開發中） 
 

800V SuperFET II MOSFET 係(xi)列(lie)的(de)最(zui)佳(jia)可(ke)靠(kao)性(xing)，加(jia)上(shang)出(chu)色(se)的(de)效(xiao)率(lv)和(he)熱(re)特(te)性(xing)，使(shi)其(qi)成(cheng)為(wei)各(ge)種(zhong)應(ying)用(yong)的(de)理(li)想(xiang)之(zhi)選(xuan)。同(tong)時(shi)，多(duo)種(zhong)可(ke)選(xuan)封(feng)裝(zhuang)為(wei)設(she)計(ji)師(shi)帶(dai)來(lai)巨(ju)大(da)的(de)靈(ling)活(huo)性(xing)，在(zai)尺(chi)寸(cun)受(shou)限(xian)的(de)設(she)計(ji)中(zhong)尤(you)為(wei)如(ru)此(ci)。要(yao)了(le)解(jie) Fairchild SuperFET II MOSFET 技術的更多信息，請訪問

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