RCD電路在電源中能夠較大程度的吸收電阻，從而起到降低損耗的作用。但是開關電源當中的RCD吸收電路較為複雜，如果想要新手在短時間內掌握是比較困難的，所以本文就將對開關電源當中的RCD吸收設計進行講解

，希望能對大家有所幫助。

 

MOS電壓尖峰的吸收電路有很多種，比如RCD
，RDTVS，RCD+TVS等，但常用的是前兩者，所以本文將著重講一下前麵兩種形式的參數設計。

 

即如下兩圖形式：

開始設計電路參數之前，我們先定義一下變量含義以便下麵描述：

 

Lr：初級漏感電感量：

 

Vcmax、Vcmin

、Vcavg、△Vc：RCD中C(如上圖1種的C1)兩端的峰值電壓，穀底電壓，平均電壓
，峰值電壓和穀底電壓的差值
，(由定義有，△Vc=Vcmax-Vcmin：Vcavg=Vcmin+△Vc/2)

 

Vtvs：如上圖2中的TVS的擊穿電壓。

 

f:開關電源的工作頻率(已知)

 

Ipk：變壓器初級峰值電流(關於Ipk的確定
，我們在設計變壓器時已定下，當然也要在低壓滿載情況下實測，某些IC自帶限流點則簡單點)

 

Vdsmax：主開關管MOS的最大額定電壓。

 

Vor：次級反射到初級的反射電壓。

 

 

 

這(zhe)兩(liang)種(zhong)鉗(qian)位(wei)電(dian)路(lu)均(jun)是(shi)為(wei)了(le)吸(xi)收(shou)漏(lou)感(gan)的(de)能(neng)量(liang)以(yi)降(jiang)低(di)主(zhu)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)電(dian)壓(ya)應(ying)力(li)，既(ji)然(ran)是(shi)吸(xi)收(shou)漏(lou)感(gan)的(de)能(neng)量(liang)，顯(xian)然(ran)我(wo)們(men)要(yao)知(zhi)道(dao)變(bian)壓(ya)器(qi)的(de)漏(lou)感(gan)能(neng)量(liang)有(you)多(duo)大(da)。然(ran)而(er)，需(xu)要(yao)知(zhi)道(dao)漏(lou)感(gan)能(neng)量(liang)有(you)多(duo)大(da)，需(xu)要(yao)知(zhi)道(dao)漏(lou)感(gan)多(duo)大(da)
，因(yin)此(ci)第(di)一(yi)步(bu)我(wo)們(men)就(jiu)要(yao)測(ce)量(liang)變(bian)壓(ya)器(qi)的(de)漏(lou)感(gan)Lr。

 

 

E=1/2*Lr*Ipk²

 

 

一般我們至少要給MOS電壓應力留有10%的裕量
，保守情況留有20%的裕量，尤其是沒有軟啟動切功率相對較大的電源裏，這裏我們取20%的裕量。所以就有Vcmax(Vtvs)=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

 

 

RCD電路中C1兩端電壓是變化的，主開關關斷時漏感能量迅速將其充電至Vcmax，然後通過R慢慢放電到Vcmin。這個△Vc一般我們會設計在10%-15%Vcmax左右。有了△Vc即可得到Vcavg，Vcmin。

 

 

在第二步中我們已經計算出了漏感能量，假設我們的漏感能量全部被轉移到C1(或被TVS消耗掉)中
，那麼R2上必然消耗掉這些能量。當然
，漏感的能量不會全部轉移到C1中或被TVS消耗掉，但是作為一個理論設計指導，此假設是合理的(假設誤差由實際測試結果來調整)。

 

所以，Vcavg²/R=E*f

 

由此式即可計算出R2的大小
，亦可得出R2的功率要求，一般要保證R2的功率要大於此功率(E*f)的1.5-2.5倍。若為TVS則，TVS的功率也要和電阻的功率要求一樣，要大於1.5-2.5*E*f。

 

 

由第五步中的假設
，可知：E=1/2*C1*(Vcmax²-Vcmin²)所以C1大小可求出。至此我們分析了R2
，C1
，ZD1(TVS)的設計流程，還有R1和D1的要求了。

 

 

一般我們會選取幾十Ω左右，當然功率越大，Ipk越大
，此電阻的損耗越大，所以要取的越小，大功率此電阻取幾Ω即可，甚至不要此電阻。大功率電源中慎用此電阻。

 

功耗要大於Ipk²*R1

 

 

二極管電流電壓按一般裕量原則1.5Ipk，1.5Vcmax即可，功耗要求大於1/2*Ipk*Vf(DCM模式)，CCM模式1/2*Ipk替換為初級平均電流即可
，主要還是看此二極管的發熱量。關於D1用慢管的運用，一定要配合好R1且在小功率場合。