ruguodianliuweizhiliu，zexianshiweibutongyansededianliumiduquanbuxiangtong。danshi
，suizhepinlvdezengjia
，dianliuchaodaotiwaibuyidong，ruhongsehechengsesuoshi。zhezhongyongjiqingkuangbeichengweiqufuxiaoying。tourushendubeidingyiweiwaibiaomiandaodianliumidujiangzhiwaibiaomiandianliumidu1/e的那個點的距離。就銅而言，深度為：



其中f單位為兆赫
，而深度單位為cm。


圖2顯xian示shi了le自zi由you空kong間jian中zhong扁bian平ping導dao體ti的de電dian流liu分fen布bu。它ta趨qu向xiang在zai窄zhai邊bian中zhong流liu動dong，而er非fei導dao體ti表biao麵mian都dou相xiang等deng。但dan是shi
，它ta仍reng然ran具ju有you相xiang同tong的de滲shen透tou深shen度du。這zhe大da大da地di增zeng加jia了le電dian阻zu
，因yin為wei導dao體ti的de大da部bu分fen都dou具ju有you非fei常chang低di的de電dian流liu密mi度du。


為了繞過扁平導體的電流分布問題，通常將其直接放置在第二導體或接地層上麵，它們的電流大小相等而方向相反。圖3顯示了一個示例，例子中反向電流相互吸拉至兩個導體的鄰近表麵。滲透深度保持相同。電流主要都包含在一個以滲透深度和導體寬度（而非圖2所示的滲透深度和導體厚度）為邊界的區域中。因此

，這些導體的 交流電阻遠低於自由空間的情況。


圖4顯示了一個層纏繞結構的橫截麵。其中
，最上麵兩個導體（3和4）攜帶相同方向的相同電流

，而最下麵兩個（1和2）攜帶與上麵各層方向相反的相等電流。這可以代表2-2匝數比變壓器的層。如前麵例子所述，繞組的電流被吸取至相對麵。然而
，出現了一種有趣的現象。在繞組1和4中，電流被吸取至內表麵，它在方向相反的繞組2和3上引起電流。繞組2和3的(de)總(zong)電(dian)流(liu)正(zheng)以(yi)反(fan)向(xiang)流(liu)動(dong)，因(yin)此(ci)內(nei)表(biao)麵(mian)上(shang)的(de)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)更(geng)大(da)。這(zhe)種(zhong)現(xian)象(xiang)被(bei)稱(cheng)為(wei)鄰(lin)近(jin)效(xiao)應(ying)，其(qi)會(hui)使(shi)高(gao)頻(pin)工(gong)作(zuo)的(de)層(ceng)結(jie)構(gou)出(chu)現(xian)問(wen)題(ti)。解(jie)決(jue)這(zhe)一(yi)問(wen)題(ti)的(de)一(yi)種(zhong)方(fang)法(fa)是(shi)重(zhong)新(xin)安(an)排(pai)導(dao)體(ti)疊(die)放(fang)
，對(dui)繞(rao)組(zu)交(jiao)錯(cuo)以(yi)讓(rang)電(dian)流(liu)在(zai)兩(liang)端(duan)以(yi)正(zheng)確(que)方(fang)向(xiang)流(liu)動(dong)，而(er)非(fei)使(shi)用(yong)具(ju)有(you)同(tong)向(xiang)電(dian)流(liu)的(de)兩(liang)個(ge)鄰(lin)近(jin)層(ceng)繞(rao)組(zu)。


Dowell1建立了一種分析模型
，用於計算不同厚度和層結構導體的交流電阻增加情況。圖5顯示了其結果。曲線圖的X軸將層厚度標準化為滲透深度，而Y軸表明標準化為直流電阻的交流電阻。根據繞組中層的數目，繪製出這些曲線。一旦導體厚度接近趨膚深度，合理AC/DC比的層數便變少。另外

，需要注意的是1/2層的低曲線。在這種情況下
，繞組被交錯

，並且電阻增加遠遠小於單層情況。


總之
，隨著頻率增加，導體的電流分布會急劇變化。在自由空間中，相比扁平導體， 圓形導體在高頻下電阻更低。但是，同接地層一起使用時，或者其位於攜帶返回電流的導體附近時，扁平導體則更佳。