羅姆推出耐壓30V功率MOSFET,產品陣容擴充達16種
發布時間:2012-06-20
產品特性:
日本知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)麵向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發出了功率MOSFET。新係列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性,有助於各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外,根據不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝麵積,更加節省空間。前期工序在羅姆的總部(日本京都市),後期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30~50日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。
近年來,隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展,CPU等deng的de功gong耗hao不bu斷duan增zeng加jia,工gong作zuo電dian壓ya越yue發fa低di電dian壓ya化hua,設she備bei的de電dian源yuan電dian路lu的de溫wen升sheng和he電dian池chi驅qu動dong時shi間jian減jian少shao已yi成cheng為wei很hen大da問wen題ti。在zai這zhe種zhong情qing況kuang下xia,在zai同tong期qi整zheng流liu方fang式shi降jiang壓ya型xingDC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET,使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET,降低導通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權衡兩者的關係後,往往很難同時兼顧。
新係列產品,除了進一步微細化,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50%,達到了業界頂級的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關損耗,而且降低了低邊(Low Side)的(de)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao),可(ke)大(da)大(da)提(ti)高(gao)電(dian)路(lu)整(zheng)體(ti)的(de)效(xiao)率(lv)。另(ling)外(wai),能(neng)夠(gou)在(zai)高(gao)頻(pin)下(xia)進(jin)行(xing)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)動(dong)作(zuo),使(shi)外(wai)圍(wei)部(bu)件(jian)的(de)小(xiao)型(xing)化(hua)成(cheng)為(wei)可(ke)能(neng)。此(ci)外(wai),本(ben)產(chan)品(pin)為(wei)了(le)確(que)保(bao)在(zai)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)性(xing)能(neng),針(zhen)對(dui)Rg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質量方麵也具有高可靠性。羅姆今後也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術,不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。
<特點>
1)低導通電阻、低容量
進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比,表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50%。
2)實現業界頂級的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助於設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。
3)采用小型封裝,有助於更加節省空間,產品陣容中還包括複合封裝
根據不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝麵積減少了65%,為節省空間做出巨大貢獻。而且,產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET複合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝麵積減小,而且還可有助於減少安裝次數。



- 低導通電阻、低容量
- 實現業界頂級的高效率
- 采用小型封裝,有助於更加節省空間
- 服務器、筆記本電腦以及平板電腦等
日本知名半導體製造商羅姆(總部位於日本京都市)麵向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發出了功率MOSFET。新係列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性,有助於各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外,根據不同用途提供3種小型封裝,可減少安裝麵積,更加節省空間。前期工序在羅姆的總部(日本京都市),後期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國),從2012年4月開始出售樣品(樣品價格30~50日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。
近年來,隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展,CPU等deng的de功gong耗hao不bu斷duan增zeng加jia,工gong作zuo電dian壓ya越yue發fa低di電dian壓ya化hua,設she備bei的de電dian源yuan電dian路lu的de溫wen升sheng和he電dian池chi驅qu動dong時shi間jian減jian少shao已yi成cheng為wei很hen大da問wen題ti。在zai這zhe種zhong情qing況kuang下xia,在zai同tong期qi整zheng流liu方fang式shi降jiang壓ya型xingDC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET,使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET,降低導通電阻和柵極容量是非常重要的,然而權衡兩者的關係後,往往很難同時兼顧。
新係列產品,除了進一步微細化,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50%,達到了業界頂級的高效性。由此,不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊(High Side)的開關損耗,而且降低了低邊(Low Side)的(de)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao),可(ke)大(da)大(da)提(ti)高(gao)電(dian)路(lu)整(zheng)體(ti)的(de)效(xiao)率(lv)。另(ling)外(wai),能(neng)夠(gou)在(zai)高(gao)頻(pin)下(xia)進(jin)行(xing)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)動(dong)作(zuo),使(shi)外(wai)圍(wei)部(bu)件(jian)的(de)小(xiao)型(xing)化(hua)成(cheng)為(wei)可(ke)能(neng)。此(ci)外(wai),本(ben)產(chan)品(pin)為(wei)了(le)確(que)保(bao)在(zai)同(tong)期(qi)整(zheng)流(liu)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)性(xing)能(neng),針(zhen)對(dui)Rg(柵極電阻)、UIS(L負載雪崩耐量)實施了100%試驗,在質量方麵也具有高可靠性。羅姆今後也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術,不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。
<特點>
1)低導通電阻、低容量
進一步微細化,同時,采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”,實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比,表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50%。

在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET,可大大降低電力損耗,因此有助於設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越,使外圍部件的小型化成為可能。

根據不同用途,提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝麵積減少了65%,為節省空間做出巨大貢獻。而且,產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊(High Side)用MOSFET與低邊(Low Side)用MOSFET複合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝麵積減小,而且還可有助於減少安裝次數。



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