新聞事件：

• 法國和瑞士科學家研製成功高性能氮化镓晶體管

事件影響：

• 科學家可據高性能氮化镓晶體管研製出混合電子元件
• 氮化镓晶體管可使計算機
  、手機及動力電子設備更高效

據悉，法國和瑞士科學家首次使用氮化镓在（100）-矽（晶體取向為100）基座上，成功製造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。此前
，氮化镓隻能用於（111）-矽上，而目前廣泛使用的由矽製成的互補性金屬氧化半導體（CMOS）芯片一般在（100）-矽或（110）-矽晶圓上製成。這表明
，新晶體管能同由（110）-矽製成的CMOS芯片兼容

，科學家可據此研製出兼具CMOS芯片的計算能力和氮化镓晶體管大功率容量的混合電子元件
，以獲得更小更快
、能耗更低的電子設備。

晶體管主要由矽製成，用在高電壓電路中，其作用是計算以及增強電子射頻信號。瑞士蘇黎世聯邦高等工學院（ETH）的科倫坡·博羅內斯說：“矽是上帝賜予工程師們的禮物。矽不僅是做基座，也是做半導體和芯片的基本材料。”

然而，矽也有缺陷。當溫度超過200攝氏度後，矽基設備開始出故障。氮化镓晶體管能應對1000攝氏度以上的高溫
；其能應對的電場強度也是矽的50多倍，這使科學家們可用氮化镓製造出更快的電子線路。博羅內斯說：“這一點對於通訊來說尤為重要，因為工程師們能借此更快更有效地處理信息。”

但(dan)科(ke)學(xue)家(jia)們(men)一(yi)直(zhi)認(ren)為(wei)氮(dan)化(hua)镓(jia)技(ji)術(shu)太(tai)過(guo)昂(ang)貴(gui)，不(bu)能(neng)取(qu)代(dai)矽(gui)技(ji)術(shu)。不(bu)過(guo)
，最(zui)近(jin)工(gong)程(cheng)師(shi)們(men)開(kai)始(shi)利(li)用(yong)氮(dan)化(hua)镓(jia)在(zai)構(gou)建(jian)動(dong)力(li)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)方(fang)麵(mian)的(de)優(you)勢(shi)
，希(xi)冀(ji)研(yan)發(fa)出(chu)更(geng)快(kuai)、更耐熱、能效更高的晶體管。

yinweidanhuajiaheguizheliangzhongcailiaodeshuxingbutong
，hennanjiangliangzhejiehezaiyigejingyuanshang
，bingqiezaijiareguochengzhongkenengyehuichanshengliehen。buguo，zaizuixinyanjiuzhong

，boluoneisihefaguoguojiakexueyanjiuzhongxindekexuejiachenggongdijiangdanhuajiazhongzhizai（100）-矽晶圓上，製造出了新的氮化镓晶體管，也解決了高溫可能產生裂痕的問題。

（100）-矽基座的成本為每平方厘米50美分，比常用的藍寶石或碳化矽基座更便宜（碳化矽基座的成本為每平方厘米5美元至20美元），大大降低了氮化镓技術的成本。科學家們也可以使用矽製造出直徑為30厘米的大晶圓，用藍寶石或碳化矽則無法做到這些。

另ling外wai，氮dan化hua镓jia具ju有you良liang好hao的de耐nai熱re性xing能neng，因yin此ci由you其qi製zhi成cheng的de動dong力li電dian子zi設she備bei幾ji乎hu不bu需xu要yao冷leng卻que。博bo羅luo內nei斯si表biao示shi，如ru果guo移yi動dong通tong訊xun基ji站zhan配pei備bei氮dan化hua镓jia晶jing體ti管guan，運yun營ying商shang將jiang不bu再zai需xu要yao高gao能neng耗hao的de冷leng卻que係xi統tong。照zhao明ming能neng耗hao約yue占zhan全quan球qiu能neng耗hao的de20%
，用氮化镓製成的一個5瓦的燈泡與傳統60瓦的白熾燈一樣明亮，因此，氮化镓有助於為照明領域節省大量能源。

科學家們也已證明，氮化镓晶體管能更快發光，且頻率可高達205G赫茲
，足以使計算機、手機以及動力電子設備更快
、更小且更經濟。