產品特性：

• 超小型
  、高密度、高效率
• 導通電阻極低

應用範圍：

• 智能手機
  、電腦、數碼相機
  、服務器和網絡通訊設備

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝係列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET矽技術，為一係列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務器和網絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，並帶有標準或邏輯水平柵極驅動器。這些器件隻需要4平方毫米的占位空間
，采用IR最新的低電壓N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFETxilie

，yekeyimanzuwomenkehudexuqiu
，jinyibusuoxiaofengzhuangchicun，bingjiehejizhunguijishu。zhexiexinqijianyongyouchaoxiaochicunhegaomidu
，feichangshiheyugaodushuzihuaneirongxiangguandeyingyong。”

這個PQFN2x2係列包括為負載開關的高側而優化的P-通道器件
，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時
，新器件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表麵貼裝技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限製指令 (RoHS) 。

產品規格