雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的設計
發布時間:2009-09-21 來源:電源技術應用
中心議題:
- 雙晶體管正激有源鉗位軟開關的工作原理
- 雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的設計
解決方案:
- 鉗位開關管VTR1處於關斷狀態
- 擁有單晶正激有源鉗位和雙晶正激兩者的優點
現(xian)在(zai)世(shi)界(jie)資(zi)源(yuan)短(duan)缺(que),各(ge)國(guo)政(zheng)府(fu)及(ji)社(she)會(hui)各(ge)界(jie)越(yue)來(lai)越(yue)要(yao)求(qiu)節(jie)能(neng)降(jiang)耗(hao)。中(zhong)國(guo)政(zheng)府(fu)也(ye)正(zheng)秉(bing)持(chi)這(zhe)一(yi)國(guo)際(ji)化(hua)趨(qu)勢(shi)的(de)理(li)念(nian)在(zai)不(bu)斷(duan)邁(mai)進(jin),這(zhe)一(yi)趨(qu)勢(shi)在(zai)未(wei)來(lai)幾(ji)年(nian)還(hai)會(hui)加(jia)速(su),這(zhe)勢(shi)必(bi)為(wei)響(xiang)應(ying)這(zhe)一(yi)國(guo)際(ji)趨(qu)勢(shi)的(de)科(ke)技(ji)型(xing)企(qi)業(ye)帶(dai)來(lai)巨(ju)大(da)的(de)機(ji)遇(yu)。同(tong)時(shi)對(dui)技(ji)術(shu)薄(bo)弱(ruo)的(de)電(dian)源(yuan)企(qi)業(ye)就(jiu)是(shi)一(yi)個(ge)巨(ju)大(da)的(de)考(kao)驗(yan)。在(zai)電(dian)源(yuan)行(xing)業(ye)來(lai)講(jiang),這(zhe)幾(ji)年(nian)大(da)家(jia)一(yi)直(zhi)致(zhi)力(li)於(yu)80PLUS的產品研發,時至今日,這項技術在大的企業已經得到普及。接下來的方向就是如何來達到85PLUS的要求。
這對於一般的適配器或高電壓直流輸出的電源來講沒有什麼問題,大家很容易就可以實現。但是對於一般的PC電源或服務器電源這種帶多輸出中低直流電壓的電源來講,要達到85PLUS就(jiu)不(bu)這(zhe)麼(me)容(rong)易(yi)了(le)。電(dian)源(yuan)目(mu)前(qian)常(chang)見(jian)的(de)幾(ji)種(zhong)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)高(gao)效(xiao)率(lv)的(de)電(dian)路(lu)拓(tuo)撲(pu)來(lai)講(jiang),單(dan)晶(jing)體(ti)管(guan)有(you)源(yuan)鉗(qian)位(wei)技(ji)術(shu)現(xian)在(zai)有(you)很(hen)多(duo)廠(chang)商(shang)推(tui)廣(guang),但(dan)是(shi)目(mu)前(qian)使(shi)用(yong)情(qing)況(kuang)還(hai)是(shi)不(bu)太(tai)普(pu)及(ji),全(quan)橋(qiao)零(ling)電(dian)壓(ya)開(kai)關(guan)的(de)技(ji)術(shu)也(ye)有(you)人(ren)使(shi)用(yong),也(ye)同(tong)樣(yang)沒(mei)有(you)得(de)到(dao)廣(guang)泛(fan)普(pu)及(ji)。
現今在大的電源使用上大家最常用的就是雙晶體管正激,目前很多廠商從300W~1200W的範圍都有使用,同時可以滿足80PLUS的要求,但是目前要作到85PLUS就jiu很hen難nan,不bu進jin行xing一yi些xie技ji術shu變bian更geng幾ji乎hu不bu可ke能neng。基ji於yu目mu前qian的de情qing況kuang,本ben文wen介jie紹shao一yi種zhong利li用yong有you源yuan鉗qian位wei技ji術shu在zai雙shuang晶jing體ti管guan正zheng激ji上shang實shi現xian軟ruan開kai關guan的de設she計ji方fang法fa,並bing給gei出chu實shi際ji的de設she計ji案an例li及ji實shi驗yan結jie果guo。
雙晶體管正激有源鉗位軟開關的工作原理
雙晶體管正激有源鉗位軟開關主電路如圖1所示。

參閱圖2至圖7,詳細講述雙晶正激有源鉗位開關電源的工作過程如下:
1)功率傳輸階段(t0~t1),如圖2所示,該階段第一主開關管VT1和第二主開關管VT2同時導通,而鉗位開關管VTR1處於關斷狀態。加在變壓器上的輸入電壓使勵磁電流線性上升,初級向次級經變壓器傳輸能量。次級VD1導通,VD2截止,L1上的電流線性上升,整流濾波後供給負載RL。在此條件下VD1和VD2剛好ZVS下導通,因其體二極管先前已經在導通狀態(如圖6所示)
2)諧振階段(t1~t2),如圖3所示,在占空比的控製下,第一主開關管VT1和第二主開關管VT2在t1時刻同時關斷,變壓器磁芯極性反轉。因輸入電源和變壓器的勵磁電感的作用給VT1和VT2的寄生電容COSS1,COSS2充電,由於電容電壓不能突變,第一主開關管VT1和第二主開關管VT2在ZVS狀態下關斷。同時變壓器的勵磁電流開始給鉗位開關管VTR1的寄生電容COSS放電,經VTR1的體二極管給鉗位電容CR1充電。次級VD1截止,VD2導通,L1經過VD2續流繼續給負載RL供電。

3)有源鉗位階段(t2~t3),如圖4和圖5所示,在亡2時刻鉗位開關管VTR在ZVS狀態下開啟,由於VTR1的體二極管先前已開通,VTRl的UDS電壓很低。鉗位開關管VTR1在整個階段處於開通狀態,變壓器勵磁電流經過鉗位開關管VTR1繼續給鉗位電容CR1充電,鉗位電容CR1充滿以後經變壓器勵磁電感放電。次級在整個階段由L1續流經VD2給負載供電,VD1截止。
[page]
4)諧振階段(t2~t4),如圖6所示,t3時刻鉗位開關管VTR1在ZVS狀態下關斷(VTR1的寄生電容使電壓不能突變),由於變壓器初級電流仍然反向流動,磁芯極性反轉,使第一主開關管VT1和第二主開關管VT2的寄生電容COSS放電,在t3後VD1導通,VD2截止;然後其主開關管的體二極管導通把能量全部送回輸入電源與負載,變壓器磁芯完成磁複位。此時主開關管VT1和VT2的UDS電壓為零,t4時刻同時開啟第一主開關管VT1和第二主開關管VT2做到ZVS導通。在t4完成後,開關周期又返回到t0~t1的狀態。

其中t1~t2和t3~t4的諧振時間是實現零電壓開關的關健,可以調節使零電壓開關做到最佳。
本ben文wen介jie紹shao的de雙shuang晶jing體ti管guan正zheng激ji有you源yuan鉗qian位wei開kai關guan電dian源yuan同tong時shi擁yong有you單dan晶jing正zheng激ji有you源yuan鉗qian位wei和he雙shuang晶jing正zheng激ji兩liang者zhe的de優you點dian,適shi合he於yu高gao壓ya中zhong大da功gong率lv應ying用yong,並bing且qie磁ci芯xin得de到dao有you效xiao的de複fu位wei,磁ci芯xin利li用yong率lv得de到dao提ti高gao,占zhan空kong比bi可ke以yi超chao過guo0.5,甚至可以達到0.7。
如果輸入電壓為380V,占空比在0.7時,主開關管反壓也才634V左右,在高電壓應用中有較大的好處,做到了零電壓開關,效率比雙晶正激有較大的提高,同時也減少了EMI的(de)幹(gan)擾(rao)。而(er)次(ci)級(ji)波(bo)形(xing)無(wu)死(si)區(qu)時(shi)間(jian),適(shi)合(he)采(cai)用(yong)自(zi)驅(qu)動(dong)同(tong)步(bu)整(zheng)流(liu),對(dui)低(di)電(dian)壓(ya)大(da)功(gong)率(lv)輸(shu)出(chu)有(you)很(hen)大(da)的(de)好(hao)處(chu),頻(pin)率(lv)也(ye)可(ke)以(yi)相(xiang)應(ying)的(de)提(ti)高(gao),可(ke)節(jie)省(sheng)磁(ci)芯(xin)材(cai)料(liao),減(jian)小(xiao)體(ti)積(ji),初(chu)次(ci)級(ji)開(kai)關(guan)管(guan)的(de)電(dian)壓(ya)應(ying)力(li)也(ye)相(xiang)應(ying)減(jian)小(xiao)。
雙晶正激有源鉗位軟開關電源還有另一種結構,如圖8所示。其結構與圖1所示的雙晶正激有源鉗位軟開關電源基本相似,隻鉗位開關管VTR3以及鉗位電容CR3設置在副邊,鉗位電容CR3一端與變壓器的同名端相連,另一端與鉗位開關管VTR3的D極相連,鉗位開關管VTR3的S極與變壓器的異名端相連,請參閱圖8。其工作原理同在初級鉗位相差不多,這裏不再講述。


實際波形結果我們實際用一般雙晶體管正激的產品經過改進,將其調整為上述的有源鉗位方式,其實際的雙晶體管工作波形如圖9~圖12所示。


- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 築基AI4S:摩爾線程全功能GPU加速中國生命科學自主生態
- 一秒檢測,成本降至萬分之一,光引科技把幾十萬的台式光譜儀“搬”到了手腕上
- AI服務器電源機櫃Power Rack HVDC MW級測試方案
- 突破工藝邊界,奎芯科技LPDDR5X IP矽驗證通過,速率達9600Mbps
- 通過直接、準確、自動測量超低範圍的氯殘留來推動反滲透膜保護
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall



