產品特點：

• 新產品采用NEC電子的SuperJunction技術
• 可最小化開關損耗並提高係統效率
• SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容
• 保持極低的導通電阻

• 適用於高效率大電流開關應用
• 汽車工程中的EPS（電子動力轉向）或ABS
• 低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備

近日，NEC電子（歐洲）推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ
，以擴展其低電壓PowerMOSFET係列產品。新產品采用NEC電子的SuperJunction技術，具有傑出的優值係數（FOM），可最小化開關損耗並提高係統效率。

與UMOS-4溝道技術相比，SuperJunction技術可減少超過30%的柵電荷和輸入電容
，同時保持極低的導通電阻RDS(on)。該技術通過在溝道單元的有源P-阱下麵增加P型摻雜區域來提高摻雜度
，從而降低N型外延層的電阻。這意味著在導通電阻不變的情況下可增加設計規則的寬度，從而降低柵電荷。

目前
，新產品采用流行的D2PAK封裝將四個元件封裝於內，漏源電壓為40V和55V，並準備量產。NP110N04PUJ和NP110N055PUJ的柵電荷僅為150 nC，導通電阻RDS(on)分別為1.8 mΩ和2.4 mΩ。和NP係列的其他產品一樣，新產品符合AEC-Q101資質
，最高通道溫度為175℃
，純錫電鍍引腳完全符合RoHS要求。

采用SuperJunction技術的PowerMOSFET產品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ適用於高效率大電流開關應用
，包括汽車工程中的EPS（電子動力轉向）或ABS

，低電壓工業驅動技術中的叉車驅動或其他由電池驅動的設備。