產品特性：

• 產品分620V和525V兩種
• 導通電阻低至1.28Ω/0.98Ω
• 出色的dv/dt特性
• 采用小封裝，減少占位空間

應用範圍：

• 鎮流器的功率因數校正器
• 半橋電路
• 開關電源

意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效
，功率MOSFET被用於鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，結合更低的導通電阻
，確保晶體管具有更高的能效。此外，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度
，將大幅度提高可靠性和安全性。

620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3係列產品的首款產品
，隨後還將推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技術可以降低導通電阻的優點
，在620V電壓下，DPAK封裝的STD6N62K3把導通電阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V電壓下，STD7N52K3把導通電阻RDS(on)降低到0.98Ω
，從而提高節能燈鎮流器等照明應用的工作能效。新技術還降低反向恢複時間(Trr)、柵電荷量和本征電容，提高開關性能和工作頻率。

優化的垂直結構和帶狀拓撲的融合

，為意法半導體的SuperMESH3技術增添了一個新的優點：即出色的dv/dt特性。這個特性可以讓照明係統和消費電子設備具有更高的可靠性和安全性。為實現全方位的強健性，SuperMESH3器件全部經過了100%的雪崩測試，並集成了齊納二極管保護功能。

在可比的快速恢複高壓晶體管技術中
，SuperMESH3的單位麵積導通電阻最小，受益於這項技術

， STx6N62K3
、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以使用比同級別產品尺寸更小的封裝，如DPAK。這可以節省晶體管的占位麵積和電路板空間
，同時，在開關和散熱性能方麵，還能與尺寸更大的產品媲美。

STx6N62K3采用IPAK、DPAK、TO-220和TO-220FP封裝。

2.5Ω的STx3N62K3將采用IPAK、DPAK、D2PAK
、TO-220和TO-220FP封裝。0.98Ω的STx7N52K3將采用DPAK、D2PAK
、TO-220和TO-220FP封裝
，1.2Ω的STx6N52K3將采用DPAK和TO-220FP封裝。這些產品將豐富SuperMESH3 620V和525V係列產品組合，新產品將於2008年第四季度投產。