產品特性：

• 3.3V供電電壓
• 采用0.25μm CMOS技術，相位噪聲性能優異
• 具有四種可供選擇的輸出頻率
• 集成的1:2扇出緩衝器
• 采用無鉛TSSOP-16封裝
• 分別產生一組和兩組差動HCSL輸出時鍾

應用範圍：

• PCI Express、千兆位以太網(GbE)
• 雙列直插內存模塊(FBDIMM)應用

安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴展其PureEdge高性能時鍾產生產品係列
，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。

NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)時鍾產生器
，生成頻率可在25、100
、125和200兆赫(MHz)之間選擇的主時鍾信令等級(HCSL)和亞皮秒(ps)抖動的優質時鍾。這些器件非常適合於PCI Express、千兆位以太網(GbE)和雙列直插內存模塊(FBDIMM)應用。與標準的晶體振蕩器和矽基競爭時鍾產生器件相比，PureEdge架構提供更高的設計靈活性及更低的係統成本。

NB3N3002生成一組差動HCSL輸出時鍾，NB3N5573則提供雙輸出。這兩款器件采用先進的0.25微米(μm) CMOS技術，相位噪聲性能大幅超越競爭器件，可與昂貴的表麵聲波(SAW)晶體振蕩器相媲美。這些器件以低成本25 MHz晶體生成的高質量時鍾具有四種可供選擇的輸出頻率和集成的1:2扇出緩衝器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)載波頻率偏移處，NB3N5573提供的相位噪聲為130 dBc/Hz(每1赫帶寬內單邊帶相位噪聲功率與載波功率之比)。

與安森美半導體所有的PureEdge器件相似，這些新的時鍾產生器為係統設計人員省下更多的珍貴時序預算，並提供真正的設計靈活性。矽基時鍾產生IC，如NB3N3002和NB3N5573本質上比昂貴的晶體振蕩器更易於製造，故能降低總體係統成本
，並大幅縮短產品上市時間。NB3N5573與功能相競爭的器件ICS557-03引腳兼容，能夠替代這器件。在沒有采用擴頻功能下

，NB3N5573提供更佳的抖動性能，使其在不需要同步狀態信息(SSM) 下更發揮價值。

NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm無鉛TSSOP-16封裝，每2,500片的批量預算單價為1.80美元。