【“源”察秋毫係列】下一代半導體氧化镓器件光電探測器應用與測試
發布時間:2024-11-17 責任編輯:lina
【導讀】氧化镓(Ga2O3)tanceqishiyizhongjiyuchaokuanjindaibandaoticailiaodeguangdiantanceqi,zhuyaoyongyurimangziwaiguangdetance。qidutedewulihuaxuetexingshiqizaiduogeyingyonglingyuzhongzhanxianchuguangfandeqianjing。tanceqixingnengyouyucailiaobutong、結構不同、製備工藝以及應用場景的不同的區別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在製約,例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應度、可靠性和靈敏度等需要權衡和折中。對於性能表征也是如此,高響應度一定無法和高精度電流表征同時進行。Tektronix提供了多種性能、架構的測試儀器儀表,滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。
氧化镓(Ga2O3)tanceqishiyizhongjiyuchaokuanjindaibandaoticailiaodeguangdiantanceqi,zhuyaoyongyurimangziwaiguangdetance。qidutedewulihuaxuetexingshiqizaiduogeyingyonglingyuzhongzhanxianchuguangfandeqianjing。tanceqixingnengyouyucailiaobutong、結構不同、製備工藝以及應用場景的不同的區別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在製約,例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應度、可靠性和靈敏度等需要權衡和折中。對於性能表征也是如此,高響應度一定無法和高精度電流表征同時進行。Tektronix提供了多種性能、架構的測試儀器儀表,滿足探測器在不同極限維度下測試的需求。
氧化镓的特性應用及探測器分類
氧化镓的特性與應用
氧化镓具有4.4到5.3eV的超寬帶隙,能夠有效地覆蓋日盲波段(200-280nm)的(de)紫(zi)外(wai)光(guang)。這(zhe)一(yi)特(te)性(xing)使(shi)得(de)氧(yang)化(hua)镓(jia)成(cheng)為(wei)理(li)想(xiang)的(de)日(ri)盲(mang)紫(zi)外(wai)探(tan)測(ce)材(cai)料(liao),因(yin)為(wei)該(gai)波(bo)段(duan)的(de)光(guang)在(zai)大(da)氣(qi)中(zhong)受(shou)到(dao)臭(chou)氧(yang)層(ceng)的(de)強(qiang)烈(lie)吸(xi)收(shou),地(di)麵(mian)背(bei)景(jing)幹(gan)擾(rao)較(jiao)小(xiao),能(neng)夠(gou)提(ti)供(gong)更(geng)高(gao)的(de)探(tan)測(ce)精(jing)度(du)。同(tong)時(shi),氧(yang)化(hua)镓(jia)最(zui)穩(wen)定(ding)的(de)異(yi)構(gou)體(ti),β-Ga2O3的禁帶寬度達到4.8eV , 理論擊穿電場約8MV/cm。由此,巴利加優值 (Baliga’s Figure of Merit) 高達3444, 遠超氮化镓 (GaN) 和碳化矽 (SiC),這意味著其用於功率器件的潛力巨大 , 使(shi)其(qi)成(cheng)為(wei)下(xia)一(yi)代(dai)半(ban)導(dao)體(ti)功(gong)率(lv)電(dian)子(zi)的(de)候(hou)選(xuan)材(cai)料(liao)。由(you)於(yu)應(ying)用(yong)場(chang)景(jing)的(de)不(bu)同(tong),對(dui)於(yu)氧(yang)化(hua)镓(jia)的(de)單(dan)體(ti)以(yi)及(ji)參(can)雜(za)和(he)器(qi)件(jian)製(zhi)備(bei)及(ji)測(ce)試(shi)的(de)思(si)路(lu)都(dou)不(bu)用(yong),本(ben)文(wen)重(zhong)點(dian)談(tan)論(lun)氧(yang)化(hua)镓(jia)在(zai)光(guang)電(dian)探(tan)測(ce)器(qi)的(de)應(ying)用(yong)以(yi)及(ji)測(ce)試(shi)的(de)方(fang)法(fa)。
探測器結構與類型
氧化镓探測器的結構主要分為以下幾種類型:
金屬 - 半導體 - 金屬(MSM)型:這種結構簡單,響應度高,適合大規模集成,但有效光吸收麵積較小。
肖特基結型:通過金屬和氧化镓之間形成的肖特基勢壘,具有較快的響應速度和較低的暗電流。
薄膜晶體管(TFT)型:能夠在抑製暗電流的同時放大增益,適用於高響應速度的應用。
陣列型:主要用於大麵積成像,適合需要廣泛覆蓋的應用場景。
氧化镓探測器的分類
MSM型器件:由光敏材料及背靠背的 兩個肖特基接觸(具有整流電壓電流特性的金屬半導體接觸)電dian極ji構gou成cheng,當dang外wai加jia偏pian壓ya施shi加jia在zai器qi件jian上shang時shi,其qi中zhong一yi個ge肖xiao特te基ji結jie為wei正zheng向xiang偏pian置zhi,另ling一yi個ge結jie為wei反fan向xiang偏pian置zhi,因yin此ci暗an電dian流liu較jiao小xiao。同tong時shi器qi件jian還hai具ju有you結jie構gou簡jian單dan、容易製備、結電容小等優點。
肖特基結型器件:由光敏材料與分別形成肖特基接觸和歐姆接觸(具有非整流電壓電流特性的金屬半導體接觸)的兩個電極構成, 肖特基結型器件的光響應來源於光伏效應,可以在0V偏壓下工作。同時由於空間電荷區與電極緊鄰,更靠近表麵,因此器件通常具有較高的外量子效率和較快的響應速度 。
異質結:由於Ga2O3高質量穩定的p型摻雜還存在很大困難,限製了其pn同質結型器件的發展,因此通過將n型的Ga2O3和p型或n型的其他材料結合構成異質結型器件,可顯著降低暗電流,提高響應度。
氧化镓探測器性能指標及測試方法
對於氧化镓探測器的測試可以分為材料測試、器件本征分析(靜態)以及光電(動態)。材料測試通常利用TEM、XRD 等分析所製備材料等微觀晶體、薄膜結構、表麵形貌等特征。本文旨對電學、光電特性進行簡單介紹。
本征分析主要包含:轉移特性曲線、輸出特征曲線,表征器件的控製以及載流子(電子-空穴對)在不同工況下的遷移特性,以及電學輸出特性。通過SMU源表和4200A-SCS參數分析儀可以輕鬆完成。需要根據掃描的電壓範圍和載流子的範圍確定所需要的儀器的具體參數和型號。


SMU源表係列
24係列、26係列滿足不同測試精度的需求,特別針對於氧化镓襯底、異質結等新型、創新性製備、結構設計等,高通量的載流子表征。
4200A-SCS參數分析儀
器件測試的利器,內建了氧化镓光電測試模塊,覆蓋靜態、動態測試,同時可以增配CVU模塊,增加CV測試能力,可以對器件界麵進行缺陷的定量測量。並且,可以控製外部脈衝源、示波器等,完成動態響應度測試。

圖:典型的β-Ga2O3探測器的轉移和輸出特性曲線[3]

圖:測試框圖
特別對於光電類型的器件,需要表征輸入光到輸出電流的響應度特性。加之光電器件在沒有光照的時候,存在隨機的電子 - 空穴對的飄移所產生的暗電流,特別對於MSM和異質結類型的器件,暗電流的性能直接決定了不同材料之間在製備中的缺陷。
光響應度R = (JPhoto - JDark)/P
其中R是光響應度,JPhoto是光電流密度,JDark是暗電流密度,P是入射光功率。
可以看到暗電流的測試對於測試儀器還是有很高要求的,電流在pA量級,需要高精度源表配合低漏流的探針台才能做到該水平。推薦Keithley 2600係列源表,或4200A-SCS上增配PA模塊以達到pA的量級的精度、aAliangjidefenbianlv。zaiceshixitongzhong,guangyuandexuanzejuedingyuyingyongchangjing。keyigaibianjiliguangyuan,shixianbochangyilaidudeceshi。butongdeguangyuanleixingyejuedingleceshixitongdechengben。tongchangkeyixuanUV LED,包含了豐富的UV光譜,成本低廉,但是無法實現確定的波長;激光器、單色儀,波長選擇強,但是成本高。
氧化镓動態參數測試所表征的主要是光電響應速度、響應穩定度(光暗循環)等。響應時間指探測器從接收光信號到輸出電信號的時間。較短的響應時間意味著探測器能夠更快地檢測到光信號的變化 , 這對於需要實時監測或高速通信的應用至關重要。響應穩定度測試可以評估探測器在不同工作條件下(如溫度變化、長時間運行等)的性能一致性。確保探測器在各種環境下都能保持穩定的響應時間和靈敏度,對於實際應用至關重要。

圖:氧化镓典型的響應速度和穩定性
對各類镓基氧化物薄膜日盲紫外探測器性能對比,響應上升時間範圍在納秒級到秒級別,跨越了9個數量級,暗電流的範圍在皮安到納安量級。
通常在測試ms量級的電流變化時,可以使用SMU,利用SMU的autoscale,如果需要us量級的時間測試,可以使用DMM6500,連接到測試係統中,進行高速的電流采樣。同時兼容的較小的電流測試量程和測試精度。如果電流變化在ns量級,需要使用示波器來完成,但通常示波器的電流測試能力在mA量級,需要外部使用固定穩定增益的TIA進行放大。
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在於傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯係小編進行處理。
推薦閱讀:
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
- 邊緣AI的發展為更智能、更可持續的技術鋪平道路
- 每台智能體PC,都是AI時代的新入口
- IAR作為Qt Group獨立BU攜兩項重磅汽車電子應用開發方案首秀北京車展
- 構建具有網絡彈性的嵌入式係統:來自行業領袖的洞見
- 數字化的線性穩壓器
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall





