模擬石墨烯晶體管的產品特性：

• p或n型矽晶體管的放大功能
• 在倍頻模式下具備雙極特性
• 能使模擬功能區塊尺寸與複雜性降低

模擬石墨烯晶體管的應用範圍：

• 相移鍵控與頻移鍵控電路

在所謂的“後矽時代(post-silicon era)”，采用純碳薄片——也就是石墨烯(graphene)——所製作的晶體管，為數字電路開啟了一個新典範
，但是模擬電路呢？

美國萊斯大學(Rice University)的研究人員最近開發出一種模擬石墨烯晶體管，不隻具備像是p或n型矽晶體管的放大功能，也發現石墨烯在一種特殊的倍頻 (frequency-multiplication)模式下，可具備雙極(ambipolar)特性。萊斯大學的研究人員並示範了這種三模 (triple-mode)的石墨烯晶體管，能如何用以打造簡易的相移鍵控(phase-shift keying)與頻移鍵控(frequency-shift keying)電路。

矽場效晶體管(FET)是單極(unipolar)的，因為該類組件隻能使用單個電荷載體

，或者是電洞(electrons of holes)——依照該組件是n或p型xing來lai決jue定ding。在zai另ling一yi方fang麵mian
，用yong石shi墨mo烯xi製zhi作zuo的de碳tan雙shuang極ji晶jing體ti管guan，能neng同tong時shi利li用yong電dian子zi與yu電dian洞dong，取qu決jue於yu是shi否fou施shi加jia正zheng電dian壓ya或huo是shi負fu電dian壓ya。因yin此ci研yan究jiu人ren員yuan表biao示shi，能neng利li用yong以yi上shang特te性xing製zhi作zuo創chuang新xin的de、可利用上兩種載體型態進行放大的模擬電路，隻要透過輸入高於或低於閘極偏置電壓(bias voltage)的訊號。

laisidaxuedeyanjiurenyuanbingzhichu，gaizhongsanmojingtiguanyinengyongyizhizuogengjianyidedianlu

，bingnengyincijiangyibanxinpianzhongdemonigongnengqukuaichicunyufuzaxingjiangdi。weilezhengshiyishanggainian，yanjiurenyuanzhizuolejubeigongtongyuanji(common-source)、共同汲極(common-drain)以及倍頻模式的電路，包括相移鍵控與頻移鍵控的調變 (modulation)架構。