作為無源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種：

 

1
、應用於電源電路，實現旁路、去藕、濾波和儲能的作用。下麵分類詳述之：

 

1）旁路

 

旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩壓器的輸出均勻化，降低負載需求。 就像小型可充電電池樣
，旁路電容能夠被充電
，並向器件進行放電。 為盡量減少阻抗

，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。

 

2）去藕

 

去藕，又稱解藕。 從電路來說
， 總是可以區分為驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大， 驅動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候

， 電流比較大
， 這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流
，由於電路中的電感

，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對於正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。

 

去藕電容就是起到一個“電池”的de作zuo用yong，滿man足zu驅qu動dong電dian路lu電dian流liu的de變bian化hua，避bi免mian相xiang互hu間jian的de耦ou合he幹gan擾rao。將jiang旁pang路lu電dian容rong和he去qu藕ou電dian容rong結jie合he起qi來lai將jiang更geng容rong易yi理li解jie。旁pang路lu電dian容rong實shi際ji也ye是shi去qu藕ou合he的de，隻zhi是shi旁pang路lu電dian容rong一yi般ban是shi指zhi高gao頻pin旁pang路lu，也ye就jiu是shi給gei高gao頻pin的de開kai關guan噪zao聲sheng高gao一yi條tiao低di阻zu抗kang泄xie防fang途tu徑jing。高gao頻pin旁pang路lu電dian容rong一yi般ban比bi較jiao小xiao
，根gen據ju諧xie振zhen頻pin率lv一yi般ban取qu0.1μF、0.01μF 等
；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大
，依據電路中分布參數、以及驅動電流的變化大小來確定。

 

旁pang路lu是shi把ba輸shu入ru信xin號hao中zhong的de幹gan擾rao作zuo為wei濾lv除chu對dui象xiang
，而er去qu耦ou是shi把ba輸shu出chu信xin號hao的de幹gan擾rao作zuo為wei濾lv除chu對dui象xiang，防fang止zhi幹gan擾rao信xin號hao返fan回hui電dian源yuan。這zhe應ying該gai是shi他ta們men的de本ben質zhi區qu別bie。

 

3）濾波

 

從理論上（即假設電容為純電容）說
，電容越大
，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的de電dian容rong大da多duo為wei電dian解jie電dian容rong
，有you很hen大da的de電dian感gan成cheng份fen，所suo以yi頻pin率lv高gao後hou反fan而er阻zu抗kang會hui增zeng大da。有you時shi會hui看kan到dao有you一yi個ge電dian容rong量liang較jiao大da電dian解jie電dian容rong並bing聯lian了le一yi個ge小xiao電dian容rong，這zhe時shi大da電dian容rong通tong低di頻pin


，小xiao電dian容rong通tong高gao頻pin。電dian容rong的de作zuo用yong就jiu是shi通tong高gao阻zu低di，通tong高gao頻pin阻zu低di頻pin。電dian容rong越yue小xiao低di頻pin越yue容rong易yi通tong過guo，電dian容rong越yue大da高gao頻pin越yue容rong易yi通tong過guo。具ju體ti用yong在zai濾lv波bo中zhong,大電容（1000μF）濾低頻
，小電容（20pF）濾高頻。曾有網友形象地將濾波電容比作“水塘”。由(you)於(yu)電(dian)容(rong)的(de)兩(liang)端(duan)電(dian)壓(ya)不(bu)會(hui)突(tu)變(bian)

，由(you)此(ci)可(ke)知(zhi)
，信(xin)號(hao)頻(pin)率(lv)越(yue)高(gao)則(ze)衰(shuai)減(jian)越(yue)大(da)，可(ke)很(hen)形(xing)象(xiang)的(de)說(shuo)電(dian)容(rong)像(xiang)個(ge)水(shui)塘(tang)，不(bu)會(hui)因(yin)幾(ji)滴(di)水(shui)的(de)加(jia)入(ru)或(huo)蒸(zheng)發(fa)而(er)引(yin)起(qi)水(shui)量(liang)的(de)變(bian)化(hua)。它(ta)把(ba)電(dian)壓(ya)的(de)變(bian)動(dong)轉(zhuan)化(hua)為(wei)電(dian)流(liu)的(de)變(bian)化(hua)，頻(pin)率(lv)越(yue)高(gao)
，峰(feng)值(zhi)電(dian)流(liu)就(jiu)越(yue)大(da)，從(cong)而(er)緩(huan)衝(chong)了(le)電(dian)壓(ya)。濾(lv)波(bo)就(jiu)是(shi)充(chong)電(dian)
，放(fang)電(dian)的(de)過(guo)程(cheng)。

 

4）儲能

 

儲能型電容器通過整流器收集電荷，並將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。 電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是較為常用的。根據不同的電源要求，器件有時會采用串聯、並聯或其組合的形式
， 對於功率級超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

 

2
、應用於信號電路，主要完成耦合
、振蕩/同步及時間常數的作用：

 

1）耦合

 

舉個例子來講，晶體管放大器發射極有一個自給偏壓電阻，它同時又使信號產生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合， 這個電阻就是產生了耦合的元件，如果在這個電阻兩端並聯一個電容， 由於適當容量的電容器對交流信號 較小的阻抗，這樣就減小了電阻產生的耦合效應，故稱此電容為去耦電容。

 

2）振蕩/同步

 

包括RC、LC 振蕩器及晶體的負載電容都屬於這一範疇。

 

3）時間常數

 

這就是常見的 R
、C 串聯構成的積分電路。當輸入信號電壓加在輸入端時，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下麵的公式描述：

 

i = (V / R)e - (t / CR)

 

 

通常，應該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？筆者認為，應基於以 下幾點考慮：

 

那麼
，是否有捷徑可尋呢？其實
，電容作為器件的外圍元件，幾乎每個器件的 Datasheet 或者 Solutions，都dou比bi較jiao明ming確que地di指zhi明ming了le外wai圍wei元yuan件jian的de選xuan擇ze參can數shu，也ye就jiu是shi說shuo

，據ju此ci可ke以yi獲huo得de基ji本ben的de器qi件jian選xuan擇ze要yao求qiu
，然ran後hou再zai進jin一yi步bu完wan善shan細xi化hua之zhi。其qi實shi選xuan用yong電dian容rong時shi不bu僅jin僅jin是shi隻zhi看kan容rong量liang和he封feng裝zhuang

，具ju體ti要yao看kan產chan品pin所suo使shi用yong環huan境jing，特te殊shu的de電dian路lu必bi須xu用yong特te殊shu的de電dian容rong。

下麵是 chip capacitor 根據電介質的介電常數分類
， 介電常數直接影響電

 

路的穩定性。

 

NP0 or CH （K < 150）： 電氣性能最穩定，基本上不隨溫度﹑電壓與時間的改變而改變，適用於對穩定性要求高的高頻電路。鑒於K 值較小，所以在0402、0603
、0805 封裝下很難有大容量的電容。如 0603 一般最大的 10nF以下。X7R or YB （2000 < K < 4000）： 電氣性能較穩定,在溫度﹑電壓與時間改變時性能的變化並不顯著（?C < ±10%）。適用於隔直
、偶合、旁路與對容量穩定性要求不太高的全頻鑒電路。Y5V or YF（K > 15000）： 容量穩定性較 X7R 差（?C < +20% ～ -80%）
，容量﹑損耗對溫度
、電壓等測試條件較敏感，但由於其K 值較大
，所以適用於一些容值要求較高的場合。

 

 

電容的分類方式及種類很多

，基於電容的材料特性
，其可分為以下幾大類：

 

1
、鋁電解電容

 

電容容量範圍為0.1μF ～ 22000μF，高脈動電流、長壽命、大容量的不二之選，廣泛應用於電源濾波
、解藕等場合。

 

2、薄膜電容

 

電容容量範圍為0.1pF ～ 10μF，具有較小公差、較高容量穩定性及極低的壓電效應，因此是X、Y 安全電容、EMI/EMC 的首選。

 

3
、鉭電容

 

電容容量範圍為2.2μF ～ 560μF，低等效串聯電阻（ESR）
、低等效串聯 電感（ESL）。脈動吸收、瞬態響應及噪聲抑製都優於鋁電解電容


，是高穩定電源的理想選擇。

 

4、陶瓷電容

 

電容容量範圍為0.5pF ～ 100μF
，獨特的材料和薄膜技術的結晶，迎合了當今“更輕、更薄、更節能“的設計理念。

 

5
、超級電容

 

電容容量範圍為0.022F ～ 70F，極高的容值，因此又稱做“金電容”或者“法拉電容”。主要特點是：超高容值、良好的充/放電特性，適合於電能存儲 和電源備份。缺點是耐壓較低，工作溫度範圍較窄。

 

 

對於電容而言
，小型化和高容量是永恒不變的發展趨勢。其中，要數多層陶瓷電容（MLCC）的發展最快。

 

duocengtaocidianrongzaibianxiechanpinzhongguangfanyingyongjiweiguangfan，danjinnianlaishuzichanpindejishujinbuduiqitichulexinyaoqiu。liru，shoujiyaoqiugenggaodechuanshusulvhegenggaodexingneng；基帶處理器要求高速度、低電壓；LCD 模塊要求低厚度（0.5mm）
、大容量電容。 而汽車環境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置於其中的多層陶瓷電容必須能滿足150℃ 的工作溫度；其次是在電池電路上需要短路失效保護設計。

 

也就是說，小型化
、高速度和高性能、耐高溫條件
、高可靠性已成為陶瓷電容的關鍵特性。

 

陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常數， 因此需要從材料方麵


，降低介電常數對電壓的依賴，優化直流偏置電壓特性。

 

應用中較為常見的是 X7R（X5R）類多層陶瓷電容， 它的容量主要集中在1000pF 以上，該類電容器主要性能指標是等效串聯電阻（ESR），在高波紋電 流的電源去耦、濾波及低頻信號耦合電路的低功耗表現比較突出。
 

另一類多層陶瓷電容是 C0G 類，它的容量多在 1000pF 以下， 該類電容器主要性能指標是損耗角正切值 tgδ(DF)。傳統的貴金屬電極（NME）的 C0G 產品 DF 值範圍是 (2.0 ～ 8.0) × 10-4，而技術創新型賤金屬電極（BME）的C0G 產品 DF 值範圍為 (1.0 ～ 2.5) × 10-4
， 約是前者的 31 ～ 50%。 該 類產品在載有 T/R 模塊電路的 GSM、CDMA
、無繩電話、藍牙、GPS 係統中低功耗特性較為顯著。較多用於各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時器電路等。

 

 

替代電解電容的誤區通常的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因為鉭電容的介質為陽極氧化後生成 的五氧化二鉭，它的介電能力（通常用ε 表示）比鋁電容的三氧化二鋁介質要高。

 

因此在同樣容量的情況下
，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電 容量取決於介質的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積 就可以做得越小

，反之，體積就需要做得越大）再加上鉭的性質比較穩定
，所以 通常認為鉭電容性能比鋁電容好。

 

但這種憑陽極判斷電容性能的方法已經過時了，目前決定電解電容性能的關 鍵並不在於陽極，而在於電解質，也就是陰極。因為不同的陰極和不同的陽極可 以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽極的電容由於 電解質的不同
，性能可以差距很大
，總之陽極對於電容性能的影響遠遠小於陰極。 還有一種看法是認為鉭電容比鋁電容性能好，主要是由於鉭加上二氧化錳陰 極助威後才有明顯好於鋁電解液電容的表現。如果把鋁電解液電容的陰極更換為 二氧化錳， 那麼它的性能其實也能提升不少。

 

可以肯定
，ESR 是衡量一個電容特性的主要參數之一。 但是，選擇電容，應避免 ESR 越低越好，品質越高越好等誤區。衡量一個產品，一定要全方位、 多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的誇大。

 

---以上引用了部分網友的經驗總結。

 

普通電解電容的結構是陽極和陰極和電解質，陽極是鈍化鋁，陰極是純鋁， 所以關鍵是在陽極和電解質。陽極的好壞關係著耐壓電介係數等問題。

 

一般來說，鉭電解電容的ESR 要比同等容量同等耐壓的鋁電解電容小很多， 高頻性能更好。如果那個電容是用在濾波器電路（比如中心為50Hz 的帶通濾波益。然而,這需要你在PCB 麵積
、器件數目與成本之間尋求折衷。

 

 

這裏的電解電容器主要指鋁電解電容器
，其基本的電參數包括下列五點：

 

1、電容值

 

電解電容器的容值，取決於在交流電壓下工作時所呈現的阻抗。因此容值， 也就是交流電容值，隨著工作頻率、電壓以及測量方法的變化而變化。在標準 JISC 5102 規定：鋁電解電容的電容量的測量條件是在頻率為 120Hz，最大交 流電壓為 0.5Vrms，DC bias 電壓為1.5 ～ 2.0V 的條件下進行。可以斷言， 鋁電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。

 

2、損耗角正切值 Tan δ

 

在電容器的等效電路中，串聯等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ， 這裏的 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然，Tan δ 隨著測量頻率 的增加而變大，隨測量溫度的下降而增大。

3、阻抗 Z

在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗（Z）。它與電 容等效電路中的電容值、電感值密切相關
，且與 ESR 也有關係。

 

Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]

 

式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC

 

XL = ωL = 2πfL

 

電容的容抗（XC）在低頻率範圍內隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續增加 達到中頻範圍時電抗（XL）降至 ESR 的值。當頻率達到高頻範圍時感抗（XL） 變為主導，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。

 

4、漏電流

 

電容器的介質對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由於鋁氧化膜介質上 浸有電解液，在施加電壓時
，重新形成的以及修複氧化膜的時候會產生一種很小 的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。

 

5、紋波電流和紋波電壓

 

在一些資料中將此二者稱做“漣波電流”和“漣波電壓”，其實就是 ripple current，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和ESR 之間的關係密切，可以用下麵的式子表示：

 

Urms = Irms × R

 

式中


，Vrms 表示紋波電壓

 

Irms 表示紋波電流

 

R 表示電容的 ESR

 

由上可見
，當紋波電流增大的時候
，即使在 ESR 保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高。換言之，當紋波電壓增大時
，紋波電流也隨之增大
，這也是要求電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流後

，由於電容內部的等效串連電阻（ESR）引起發熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與 頻率成正比，因此低頻時紋波電流也比較低。

 

 

1、容量（法拉）

 

英製： C = ( 0.224 × K · A) / TD

 

公製： C = ( 0.0884 × K · A) / TD

 

2、電容器中存儲的能量

 

E = 1/2 CV2

 

3、電容器的線性充電量

 

I = C (dV/dt)

 

4、電容的總阻抗（歐姆）

 

Z = √ [ RS

 

2 + (XC – XL)2 ]

 

5
、容性電抗（歐姆）

 

XC = 1/(2πfC)

 

6、相位角 Ф

 

理想電容器：超前當前電壓 90°

 

理想電感器：滯後當前電壓 90°

 

理想電阻器：與當前電壓的相位相同

 

7、耗散係數 (%)

 

D.F. = tan δ （損耗角）

 

= ESR / XC

 

= (2πfC)(ESR)

 

8、品質因素

 

Q = cotan δ = 1/ DF

 

9
、等效串聯電阻ESR（歐姆）

 

ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC

 

10、功率消耗

 

Power Loss = (2πfCV2) (DF)

 

11、功率因數

 

PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)

 

12、均方根

 

rms = 0.707 × Vp

 

13

、千伏安KVA （千瓦）

 

KVA = 2πfCV2 × 10-3

 

14、電容器的溫度係數

 

T.C. = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106

 

15、容量損耗(%)

 

CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100

 

16
、陶瓷電容的可靠性

 

L0 / Lt = (Vt / V0) X (Tt / T0)Y

 

17

、串聯時的容值

 

n 個電容串聯：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + ,,. + 1/Cn

 

兩個電容串聯：CT = C1 · C2 / (C1 + C2)

 

18、並聯時的容值

 

CT = C1 + C2 + ,,. + Cn

 

19、重複次數（Againg Rate）

 

A.R. = % △C / decade of time

 

上述公式中的符號說明如下：

 

 

 

在交流電源輸入端，一般需要增加三個電容來抑製EMI 傳導幹擾。交流電源的輸入一般可分為三根線：火線（L）/零線（N）/地線（G）。在火線和地線之間及在零線和地線之間並接的電容，一般稱之為Y 電容。這兩個Y電(dian)容(rong)連(lian)接(jie)的(de)位(wei)置(zhi)比(bi)較(jiao)關(guan)鍵(jian)，必(bi)須(xu)需(xu)要(yao)符(fu)合(he)相(xiang)關(guan)安(an)全(quan)標(biao)準(zhun)，以(yi)防(fang)引(yin)起(qi)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)漏(lou)電(dian)或(huo)機(ji)殼(ke)帶(dai)電(dian)，容(rong)易(yi)危(wei)及(ji)人(ren)身(shen)安(an)全(quan)及(ji)生(sheng)命(ming)
，所(suo)以(yi)它(ta)們(men)都(dou)屬(shu)於(yu)安(an)全(quan)電(dian)容(rong)，要(yao)求(qiu)電(dian)容(rong)值(zhi)不(bu)能(neng)偏(pian)大(da)，而(er)耐(nai)壓(ya)必(bi)須(xu)較(jiao)高(gao)。一(yi)般(ban)地(di)，工(gong)作(zuo)在(zai)亞(ya)熱(re)帶(dai)的(de)機(ji)器(qi)，要(yao)求(qiu)對(dui)地(di)漏(lou)電(dian)電(dian)流(liu)不(bu)能(neng)超(chao)0.7mA
；工作在溫帶機器，要求對地漏電電流不能超過0.35mA。因此，Y 電容的總容量一般都不能超過4700pF。

 

特別提示：Y 電容為安全電容，必須取得安全檢測機構的認證。Y 電容的耐壓一般都標有安全認證標誌和AC250V 或AC275V 字樣，但其真正的直流耐壓高達5000V 以上。因此
，Y 電容不能隨意使用標稱耐壓AC250V
，或DC400V之類的普通電容來代用。

 

在火線和零線抑製之間並聯的電容

，一般稱之為X 電容。由於這個電容連接的位置也比較關鍵
，同樣需要符合安全標準。因此，X 電容同樣也屬於安全電容之一。X 電容的容值允許比Y 電容大
，但必須在X 電dian容rong的de兩liang端duan並bing聯lian一yi個ge安an全quan電dian阻zu
，用yong於yu防fang止zhi電dian源yuan線xian拔ba插cha時shi
，由you於yu該gai電dian容rong的de充chong放fang電dian過guo程cheng而er致zhi電dian源yuan線xian插cha頭tou長chang時shi間jian帶dai電dian。安an全quan標biao準zhun規gui定ding
，當dang正zheng在zai工gong作zuo之zhi中zhong的de機ji器qi電dian源yuan線xian被bei拔ba掉diao時shi
，在zai兩liang秒miao鍾zhong內nei，電dian源yuan線xian插cha頭tou兩liang端duan帶dai電dian的de電dian壓ya(或對地電位)必須小於原來額定工作電壓的30%。同理，X 電容也是安全電容，必須取得安全檢測機構的認證。X 電容的耐壓一般都標有安全認證標誌和AC250V 或AC275V 字樣
，但其真正的直流耐壓高達2000V 以上，使用的時候不要隨意使用標稱耐壓AC250V，或DC400V 之類的普通電容來代用。

 

X 電dian容rong一yi般ban都dou選xuan用yong紋wen波bo電dian流liu比bi較jiao大da的de聚ju脂zhi薄bo膜mo類lei電dian容rong
，這zhe種zhong電dian容rong體ti積ji一yi般ban都dou很hen大da
，但dan其qi允yun許xu瞬shun間jian充chong放fang電dian的de電dian流liu也ye很hen大da，而er其qi內nei阻zu相xiang應ying較jiao小xiao。普pu通tong電dian容rong紋wen波bo電dian流liu的de指zhi標biao都dou很hen低di，動dong態tai內nei阻zu較jiao高gao。用yong普pu通tong電dian容rong代dai替tiX 電容，除了耐壓條件不能 滿足以外
，一般紋波電流指標也是難以滿足要求的。

 

實際上，僅僅依賴於Y 電容和X 電容來完全濾除掉傳導幹擾信號是不太可能的。因為幹擾信號的頻譜非常寬，基本覆蓋了幾十KHz 到幾百MHz，甚至上千MHz 的頻率範圍。通常，對低端幹擾信號的濾除需要很大容量的濾波電容，但受到安全條件的限製
，Y 電容和X 電容的容量都不能用大；duigaoduanganraoxinhaodelvchu
，darongliangdianrongdelvboxingnengyoujicha
，tebieshijuzhibomodianrongdegaopinxingnengyibandoubijiaocha，yinweitashiyongjuanraogongyishengchande，bingqiejuzhibomojiezhigaopinxiangyingtexingyutaocihuoyunmuxiangbixiangchahenyuan，yibanjuzhibomojiezhidoujuyouxifuxiaoying，tahuijiangdidianrongqidegongzuopinlv
，juzhibomodianronggongzuopinlvfanweidayuedouzai1MHz 左右
，超過1MHz 其阻抗將顯著增加。 因此
，為抑製電子設備產生的傳導幹擾，除了選用Y 電容和X dianrongzhiwai，haiyaotongshixuanyongduogeleixingdedianganlvboqi
，zuheqilaiyiqilvchuganrao。dianganlvboqiduoshuyuditonglvboqi
，dandianganlvboqiyeyouhenduoguigeleixing，liruyou：差模、共模，以及高頻、低頻等。每種電感主要都是針對某一小段頻率的幹擾信號濾除而起作用，對其它頻率的幹擾信號的濾除效果不大。

 

通tong常chang，電dian感gan量liang很hen大da的de電dian感gan，其qi線xian圈quan匝za數shu較jiao多duo，那na麼me電dian感gan的de分fen布bu電dian容rong也ye很hen大da。高gao頻pin幹gan擾rao信xin號hao將jiang通tong過guo分fen布bu電dian容rong旁pang路lu掉diao。而er且qie
，導dao磁ci率lv很hen高gao的de磁ci芯xin，其qi工gong作zuo頻pin率lv則ze較jiao低di。目mu前qian，大da量liang使shi用yong的de電dian感gan濾lv波bo器qi磁ci芯xin的de工gong作zuo頻pin率lv大da多duo數shu都dou在zai75MHz 以(yi)下(xia)。對(dui)於(yu)工(gong)作(zuo)頻(pin)率(lv)要(yao)求(qiu)比(bi)較(jiao)高(gao)的(de)場(chang)合(he)，必(bi)須(xu)選(xuan)用(yong)高(gao)頻(pin)環(huan)形(xing)磁(ci)芯(xin)
，高(gao)頻(pin)環(huan)形(xing)磁(ci)芯(xin)導(dao)磁(ci)率(lv)一(yi)般(ban)都(dou)不(bu)高(gao)，但(dan)漏(lou)感(gan)特(te)別(bie)小(xiao)，比(bi)如(ru)
，非(fei)晶(jing)合(he)金(jin)磁(ci)芯(xin)
，坡(po)莫(mo)合(he)金(jin)等(deng)。