產品特性：

• 高效率
• 優異的耐用性
• 較低的輸出電容，提高了 Doherty 應用中性能
• 記憶效應低
  
  ，提供優良的預失真能力
• 內部匹配，易於使用

適用範圍：

• 多載波應用，頻率範圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
• 用於 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器

NXP 半導體推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶體管，BLG7G27LS-90P
，應用於基站，工作頻率從 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶體管，采用 NXP 的第七代 LDMOS 技術，采用熱增強型陶瓷封裝。

在單載波W - C D M A 信號的A B類電路中
， 平均輸出功率2 5 W時，BLF7G27LS-90P 可提供 35％ 的效率和 18.5dB 增益。在這些條件下
，如相鄰通道功率給出的
，線性度通常是-36dBc。要獲得此性能，可以從 28V電源驅動設備
，也可以用高達 32V 電源電壓驅動。

BLF7G27LS-90P 是一個堅固的晶體管
，它能夠承受對應於 VSWR= 10:1 通過各個階段的不匹配負載，在目前發現W-CDMA 和 LTE 係統許多故障的形勢下，使其成為產品生存的安全選擇。產品的設計和熱增強型封裝，在典型工作條件下測量， 會產生一個低至0.4K/W 的熱阻。憑借這一特點，設備將可在低結合點溫度下運行，確保在數年的產品周期中性能穩定可靠。BLF7G27LS-90P 在 SOT1121B 中
，四線無耳陶瓷式封裝。還提供一個有耳式版本，BLF7G27L-90P。

應用:

多載波應用
，頻率範圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
用於 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器

特點：

高效率
優異的耐用性
較低的輸出電容，提高了 Doherty 應用中性能
記憶效應低，提供優良的預失真能力
內部匹配，易於使用